Naam van het product:mosfet machtstransistor
VDSS:20V
Materiaal:silicium
Naam van het product:mosfet machtstransistor
VDS:30V
RDS () < 35mΩ:(VGS = 4.5V)
Naam van het product:mosfet machtstransistor
Verbindingstemperatuur::150℃
Materiaal:silicium
Naam van het product:mosfet machtstransistor
VDS:30V
Identiteitskaart (bij VGS=10V):13A
Naam van het product:mosfet machtstransistor
RDS () (BIJ VGS=10V):< 24m="">
Materiaal:silicium
Naam van het product:mosfet machtstransistor
Toepassing:Hoge Frequentieomschakeling
Materiaal:silicium
Naam van het product:mosfet machtstransistor
Verbindingstemperatuur::150℃
Materiaal:silicium
Structuur:verticale structuur
V DSS afvoerkanaal-Bronvoltage:-40 V
V GSS-poort-Bronvoltage:±20 V
Naam van het product:mosfet machtstransistor
V DSS afvoerkanaal-Bronvoltage:-60 V
V GSS-poort-Bronvoltage:±20 V
Naam van het product:Mos Gebiedseffect Transistor
V DSS afvoerkanaal-Bronvoltage:30 V
V GSS-poort-Bronvoltage:±20 V
Naam van het product:mosfet machtstransistor
V DSS afvoerkanaal-Bronvoltage:30 V
V GSS-poort-Bronvoltage:±20 V
Naam van het product:Mos Gebiedseffect Transistor
V DSS afvoerkanaal-Bronvoltage:60 V
V GSS-poort-Bronvoltage:±25 V