Thuis ProductenMos Gebiedseffect Transistor

Het Gebiedseffect van HXY4406A VDS 30V Mos Transistoridentiteitskaart 13A RDS () < 11.5mΩ

Certificaat
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaten
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaten
Klantenoverzichten
wij samenwerking met Hua Xuan Yang zijn grotendeels toe te schrijven aan hun professionalisme, hun scherpe reactie op de aanpassing van de producten die wij, de regeling van al onze behoeften en, vooral, zij voorziening van de kwaliteitsdiensten hebben gewenst.

—— — — Jason van Canada

In het kader van de aanbeveling van mijn vriend, zijn wij van Hua Xuan Yang, een hogere deskundige in de halfgeleider en de elektronische componentenindustrie op de hoogte, die ons heeft toegelaten om onze kostbare tijd te verminderen en niet poging moeten wagen andere fabrieken.

—— — — Виктор van Rusland

Ik ben online Chatten Nu

Het Gebiedseffect van HXY4406A VDS 30V Mos Transistoridentiteitskaart 13A RDS () < 11.5mΩ

Het Gebiedseffect van HXY4406A VDS 30V Mos Transistoridentiteitskaart 13A RDS () &lt; 11.5mΩ
Het Gebiedseffect van HXY4406A VDS 30V Mos Transistoridentiteitskaart 13A RDS () &lt; 11.5mΩ

Grote Afbeelding :  Het Gebiedseffect van HXY4406A VDS 30V Mos Transistoridentiteitskaart 13A RDS () < 11.5mΩ

Productdetails:
Plaats van herkomst: Shenzhen China
Merknaam: Hua Xuan Yang
Certificering: RoHS、SGS
Modelnummer: HXY4406A
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: 1000-2000 PCs
Prijs: Negotiated
Verpakking Details: In dozen gedaan
Levertijd: 1 - 2 weken
Betalingscondities: L/C T/T Western Union
Levering vermogen: 18,000,000PCS/per Dag

Het Gebiedseffect van HXY4406A VDS 30V Mos Transistoridentiteitskaart 13A RDS () < 11.5mΩ

beschrijving
Naam van het product: mosfet machtstransistor VDS: 30V
Identiteitskaart (bij VGS=10V): 13A Modelnummer: HXY4406A
RDS () (BIJ VGS=10V): < 11=""> Type: Mosfet Transistor
Hoog licht:

hoge huidige transistor

,

logicamosfet schakelaar

60V N-Channel AlphaSGT HXY4264
 

 

Productsamenvatting

 

 

VDS 30V
Identiteitskaart (bij VGS=10V) 13A
RDS () (BIJ VGS=10V) < 11="">
RDS () (bij VGS = 4.5V) < 15="">

 

 

 

Algemene Beschrijving

 

HXY4406A gebruikt geavanceerde toprovide uitstekende RDS van de geultechnologie () met lage poortlast. Dit apparaat is geschikt voor hoge zijschakelaar in andgeneral het doeltoepassingen van SMPS.

 

 

Het Gebiedseffect van HXY4406A VDS 30V Mos Transistoridentiteitskaart 13A RDS () < 11.5mΩ 0

 

 

 

Elektrokenmerken (T =25°C tenzij anders vermeld)

Het Gebiedseffect van HXY4406A VDS 30V Mos Transistoridentiteitskaart 13A RDS () < 11.5mΩ 1

 

 

A. De waarde van RθJA wordt gemeten met het apparaat opgezet op de raad van 1in2 Fr-4 met 2oz. Koper, in een stil luchtmilieu met TA =25°C.

de waarde in om het even welke bepaalde toepassing hangt van het specifieke de raadsontwerp van de gebruiker af.

B. De machtsdissipatie PD is gebaseerd op TJ die(MAXIMUM) =150°C, de verbinding-aan-omringende thermische weerstand van ≤ gebruiken 10s.

C. de herhaalde die classificatie, impulsbreedte de Classificaties door van de verbindingstemperatuur TJ(MAXIMUM) wordt beperkt =150°C. is gebaseerd op cycli met lage frekwentie en te houden plichts

initialT =25°C.

D. RθJA is de som van de thermische impedantie van verbinding om RθJL te leiden en tot omringend te leiden.

E. De statische kenmerken in Cijfers 1 tot 6 zijn het verkregen gebruiken <300>

F. Deze krommen zijn gebaseerd op de verbinding-aan-omringende thermische impedantie die met het apparaat opgezet op de raad van 1in2 Fr-4 met wordt gemeten

2oz. Koper, die een maximumverbindingstemperatuur van TJ(MAXIMUM) veronderstellen =150°C. De SOA-kromme verstrekt één enkele impulsclassificatie.

G. De maximum cyclus van de aarplicht 5%, beperkt door verbindingstemperatuur TJ (MAXIMUM) =125°C.

 

TYPISCHE ELEKTRO EN THERMISCHE KENMERKEN

 

Het Gebiedseffect van HXY4406A VDS 30V Mos Transistoridentiteitskaart 13A RDS () < 11.5mΩ 2Het Gebiedseffect van HXY4406A VDS 30V Mos Transistoridentiteitskaart 13A RDS () < 11.5mΩ 3
Het Gebiedseffect van HXY4406A VDS 30V Mos Transistoridentiteitskaart 13A RDS () < 11.5mΩ 4Het Gebiedseffect van HXY4406A VDS 30V Mos Transistoridentiteitskaart 13A RDS () < 11.5mΩ 5Het Gebiedseffect van HXY4406A VDS 30V Mos Transistoridentiteitskaart 13A RDS () < 11.5mΩ 6

Het Gebiedseffect van HXY4406A VDS 30V Mos Transistoridentiteitskaart 13A RDS () < 11.5mΩ 7Het Gebiedseffect van HXY4406A VDS 30V Mos Transistoridentiteitskaart 13A RDS () < 11.5mΩ 8

Het Gebiedseffect van HXY4406A VDS 30V Mos Transistoridentiteitskaart 13A RDS () < 11.5mΩ 9

Contactgegevens
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Contactpersoon: David

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)

Laat een bericht achter

We bellen je snel terug!