Thuis Producten

de diode van de hoogspanningsgelijkrichter

China de diode van de hoogspanningsgelijkrichter

Van de de Hoogspanningsgelijkrichter van het algemeen Doelsilicium van de de Diode Hoog Voorwaarts Schommeling de Stroomvermogen

Type:De Gelijkrichter van het algemeen Doelsilicium

I (AV):1.0AMP

IFSM:30.0Amp
M1 DOOR M7-de Diode Omgekeerd Voltage van de Hoogspanningsgelijkrichter - 50 tot 1000 Volts

Type:De Gelijkrichter van het algemeen Doelsilicium

RθJA:75.0℃/W

IFSM:30.0Amp
De oppervlakte zet Algemeen de Diode Omgekeerd Voltage op van de Hoogspanningsgelijkrichter 50 tot 1000 Volts

Type:De Diode van de hoogspanningsgelijkrichter

Zaak:Het gevormde plastic lichaam van JEDEC -214AC over gepassiveerde spaander

Terminals:Geplateerd soldeersel, solderable per mil-std-750, Methode 2026
Voorwaartse Huidige de Gelijkrichter van de Hoogspanningsbrug/OEM van de Siliciumgelijkrichter Diode

Type:de gelijkrichter van de hoogspanningsbrug

Zaak:plastic lichaam

Terminals:Geplateerd soldeersel, solderable per mil-std-750, Methode 2026
De plastic de Gelijkrichterdiode van de Pakkethoogspanning voor Oppervlakte zette 10,0 Ampères op

Type:de diode van de hoogspanningsgelijkrichter

Zaak:Het gevormde plastic lichaam van JEDEC -214AB

Terminals:Geplateerd soldeersel, solderable per mil-std-750, Methode 2026
De Gelijkrichter van de de Diodebrug van siliciumschottky, Ac Hoge Frequentiegelijkrichter

Type:de schottky gelijkrichter van de diodebrug

Zaak:Het gevormde plastic lichaam van JEDEC -214AB

Terminals:Geplateerd soldeersel, solderable per mil-std-750, Methode 2026
94V-0 de Diode van de hoogspanningsgelijkrichter met het Gevormde Plastic Lichaam van JEDEC -214AB

Type:de diode van de hoogspanningsgelijkrichter

Zaak:Het gevormde plastic lichaam van JEDEC -214AB

Terminals:Geplateerd soldeersel, solderable per mil-std-750, Methode 2026
RL251 DOOR RL257-de Diode Voorwaartse Stroom van de Hoogspanningsgelijkrichter - 2,5 Ampère

Type:De Gelijkrichter van het algemeen Doelsilicium

RθJA:35.0℃/W

IFSM:150.0Amp
RL201 DOOR RL207-de Gelijkrichter van de Hoogspanningsbrug, Hoge Huidige Gelijkrichterdiode

Type:De Gelijkrichter van het algemeen Doelsilicium

RθJA:50.0℃/W

IFSM:70.0Amp
10A05 DOOR de Hoge Huidige Gelijkrichter van 10A10, de Diode van de Siliciumgelijkrichter

Type:De Gelijkrichter van het algemeen Doelsilicium

RθJA:20.0℃/W

IFSM:600Amp
8A05 DOOR 8A10-de Diodeifsm 600Amp Lage Omgekeerde Lekkage van de Hoogspanningsgelijkrichter

Type:De Gelijkrichter van het algemeen Doelsilicium

RθJA:10.0℃/W

IFSM:600Amp
6A05 DOOR de Diode van de de Hoge Machtsgelijkrichter van 6A10 VF 0.95Volts 0,072 Ons 2,05 Gram

Type:De Gelijkrichter van het algemeen Doelsilicium

I (AV):6.0AMPS

vf:0.95Volts

Page 1 of 2|< << 1 2 >> >|

Bladeren door rubrieken：

mosfet machtstransistor
De Transistors van de uiteindemacht
De Transistor van de siliciummacht
Dubbele Omschakelingsdiode
Mos Gebiedseffect Transistor
Dubbel - kanaalmosfet
de snelle diode van de terugwinningsgelijkrichter
machts zener diode
schottky bruggelijkrichter
de diode van de hoogspanningsgelijkrichter
Halfgeleidertriode
Voltagestabilisator IC

de diode van de hoogspanningsgelijkrichter

China de diode van de hoogspanningsgelijkrichter

Van de de Hoogspanningsgelijkrichter van het algemeen Doelsilicium van de de Diode Hoog Voorwaarts Schommeling de Stroomvermogen

M1 DOOR M7-de Diode Omgekeerd Voltage van de Hoogspanningsgelijkrichter - 50 tot 1000 Volts

De oppervlakte zet Algemeen de Diode Omgekeerd Voltage op van de Hoogspanningsgelijkrichter 50 tot 1000 Volts

Voorwaartse Huidige de Gelijkrichter van de Hoogspanningsbrug/OEM van de Siliciumgelijkrichter Diode

De plastic de Gelijkrichterdiode van de Pakkethoogspanning voor Oppervlakte zette 10,0 Ampères op

De Gelijkrichter van de de Diodebrug van siliciumschottky, Ac Hoge Frequentiegelijkrichter

94V-0 de Diode van de hoogspanningsgelijkrichter met het Gevormde Plastic Lichaam van JEDEC -214AB

RL251 DOOR RL257-de Diode Voorwaartse Stroom van de Hoogspanningsgelijkrichter - 2,5 Ampère

RL201 DOOR RL207-de Gelijkrichter van de Hoogspanningsbrug, Hoge Huidige Gelijkrichterdiode

10A05 DOOR de Hoge Huidige Gelijkrichter van 10A10, de Diode van de Siliciumgelijkrichter

8A05 DOOR 8A10-de Diodeifsm 600Amp Lage Omgekeerde Lekkage van de Hoogspanningsgelijkrichter

6A05 DOOR de Diode van de de Hoge Machtsgelijkrichter van 6A10 VF 0.95Volts 0,072 Ons 2,05 Gram

mosfet machtstransistor

HXY4616 de Transistor van het logicaniveau, Bijkomende MOSFET van de Hoogspanningstransistor 30V

HXY4616 Mosfet de Hoogspanning VDS 40V VGS ±20v van de Machtstransistor ±20v VGS

Mosfet van 20G04S 40V van de het Kanaalverhoging van de Machtstransistor N+P de Wijzemosfet