Thuis Producten

schottky bruggelijkrichter

China schottky bruggelijkrichter

MBR10150CT Schottky-de Ingekapselde Dioden van de Bruggelijkrichter aan-220-3L Plastiek

Machtsmosfet Transistor:Aan-220-3L plastic-kapselen in

Functie:Schottky-Barrièrespaander

Gemiddelde Gerectificeerde Outputstroom:10A
MBR10150,200 Schottky-de Gelijkrichter van de Diodebrug, de Gelijkrichter van de Diodebrug

Machtsmosfet Transistor:Aan-220-3L plastic-kapselen Dioden in

Gelijkstroom-het Blokkeren Voltage:150/200v

Gemiddelde Gerectificeerde Outputstroom:10A
Mbrb10100ct-B Schottky-Hoge rendement van het de Machtsverlies van de Bruggelijkrichter het Lage

Machtsmosfet Transistor:Aan-263-2L plastic-kapselen Dioden in

Type:schottky bruggelijkrichter

Functie:Laag Machtsverlies, Hoog rendement
MBR1070CT~100CT hoge Huidige Schottky-Diode, de Gelijkrichter van de Siliciumbrug

Machtsmosfet Transistor:Aan-220-3L plastic-kapselen Dioden in

Powerdissipation:2w

IFSM:150A
MBR1070CT Schottky-Gerectificeerde de Outputstroom 10 A van de Bruggelijkrichter Gemiddelde

Machtsmosfet Transistor:Aan-220-3L plastic-kapselen Dioden in

Gemiddelde Gerectificeerde Outputstroom:10 A

IFSM:150A
MBR3060CT/van de de Barrièregelijkrichter van MBR3060FCT Schottky Vermogen van de de Diode het Hoge Schommeling

Machtsmosfet Transistor:Aan-220-3L plastic-kapselen Dioden in

Type:Schottky-Barrièrespaander

Gebruik:Hoge frequentieomvormers
MBR3045CT Schottky-de Machtsdissipatie 2 van de Bruggelijkrichter Hoog de Schommelingsvermogen van W

Machtsmosfet Transistor:Aan-220-3L plastic-kapselen Dioden in

Type:Schottky-Barrièrespaander

Machtsdissipatie:2 W
Bepaal de Diodembr2030,35,40,45,50fct Hoog Huidig Vermogen van Machtsschottky

Type:Schottky-Barrièrespaander

Gemiddelde Gerectificeerde Outputstroom:20A

Het werk Piek Omgekeerd Voltage:30-60V
MBR2030CT Schottky-Bruggelijkrichter gelijkstroom het Blokkeren Voltage 30-50v

Machtsmosfet Transistor:Aan-220-3L plastic-kapselen Dioden in

Functie:Hoog schommelingsvermogen

Gelijkstroom-het Blokkeren Voltage:30-50V
MBR1030, 35, 40, 45, 50FCT aan-220F plastic-kapsel de Bruggelijkrichter in van Diodenschottky

Machtsmosfet Transistor:Aan-220F plastic-kapselen in

Functie:Laag Machtsverlies, Hoog rendement

Opslagtemperatuur:-55~+150℃

Page 1 of 1

Bladeren door rubrieken：

mosfet machtstransistor
De Transistors van de uiteindemacht
De Transistor van de siliciummacht
Dubbele Omschakelingsdiode
Mos Gebiedseffect Transistor
Dubbel - kanaalmosfet
de snelle diode van de terugwinningsgelijkrichter
machts zener diode
schottky bruggelijkrichter
de diode van de hoogspanningsgelijkrichter
Halfgeleidertriode
Voltagestabilisator IC

schottky bruggelijkrichter

China schottky bruggelijkrichter

MBR10150CT Schottky-de Ingekapselde Dioden van de Bruggelijkrichter aan-220-3L Plastiek

MBR10150,200 Schottky-de Gelijkrichter van de Diodebrug, de Gelijkrichter van de Diodebrug

Mbrb10100ct-B Schottky-Hoge rendement van het de Machtsverlies van de Bruggelijkrichter het Lage

MBR1070CT~100CT hoge Huidige Schottky-Diode, de Gelijkrichter van de Siliciumbrug

MBR1070CT Schottky-Gerectificeerde de Outputstroom 10 A van de Bruggelijkrichter Gemiddelde

MBR3060CT/van de de Barrièregelijkrichter van MBR3060FCT Schottky Vermogen van de de Diode het Hoge Schommeling

MBR3045CT Schottky-de Machtsdissipatie 2 van de Bruggelijkrichter Hoog de Schommelingsvermogen van W

Bepaal de Diodembr2030,35,40,45,50fct Hoog Huidig Vermogen van Machtsschottky

MBR2030CT Schottky-Bruggelijkrichter gelijkstroom het Blokkeren Voltage 30-50v

MBR1030, 35, 40, 45, 50FCT aan-220F plastic-kapsel de Bruggelijkrichter in van Diodenschottky

mosfet machtstransistor

HXY4616 de Transistor van het logicaniveau, Bijkomende MOSFET van de Hoogspanningstransistor 30V

HXY4616 Mosfet de Hoogspanning VDS 40V VGS ±20v van de Machtstransistor ±20v VGS

Mosfet van 20G04S 40V van de het Kanaalverhoging van de Machtstransistor N+P de Wijzemosfet