|
Productdetails:
|
| Productnaam: | Dubbele Mosfet Schakelaar | model: | AP50N10D |
|---|---|---|---|
| Pak: | Aan-252 | Het merken: | AP50N10D XXX YYYY |
| VDSDrain-bronvoltage: | 100V | Rce Voltage VGSGate-Sou: | ±20V |
| Hoog licht: | n kanaalmosfet transistor,hoogspanningstransistor |
||
AP50N10D dubbele Mosfet Schakelaar/50A 100V aan-252 Hoge Machtstransistor
Dubbele Mosfet Schakelaartoepassingen
De Voedingen (SMPS) van de schakelaarwijze
Woon, commerciële, architecturale en straatverlichting
Gelijkstroom-gelijkstroom convertors
Motorcontrole
Automobieltoepassingen
Dubbele Mosfet Schakelaarbeschrijving:
De geavanceerde de geultechnologie van AP50N10D gebruik
om uitstekende RDS (), lage poortlast te verstrekken en
verrichting met poortvoltages zo laag zoals 4.5V.
Dit apparaat is geschikt voor gebruik als a
Batterijbescherming of in andere Omschakelingstoepassing.
Dubbele Mosfet Schakelaareigenschappen
VDS = 100V-identiteitskaart =50A
RDS () < 25m="">
Pakket die en tot Informatie merken opdracht geven
| Product-id | Pak | Het merken | Qty (PCs) |
| AP50N10D | Aan-252 | AP50N10D XXX YYYY | 2500 |
Absolute Maximumclassificaties (anders genoteerde TC =25℃unless)
| Symbool | Parameter | Grens | Eenheid |
| VDS | Afvoerkanaal-bronvoltage | 100 | V |
| VGS | Poort-bronvoltage | ±20 | V |
| Identiteitskaart | Huidig-Ononderbroken afvoerkanaal | 50 | A |
| I (100℃) | Huidig-Ononderbroken afvoerkanaal (TC=100℃) | 21 | A |
| IDM | Gepulseerde Afvoerkanaalstroom | 70 | A |
| PD | Maximummachtsdissipatie | 85 | W |
| Deratingsfactor | 0,57 | W/℃ | |
| EAS | De enige energie van de impulslawine (Nota 5) | 256 | mJ |
| TJ, TSTG | Werkende Verbinding en Opslagtemperatuurwaaier | -55 tot 175 | ℃ |
| RθJC | Thermische Weerstand, verbinding-aan-Geval (Nota 2) | 1.8 | ℃/W |
Elektrokenmerken (anders genoteerde TC =25℃unless)
| Symbool | Parameter | Voorwaarde | Min | Type | Maximum | Eenheid |
| BVDSS | Afvoerkanaal-bronanalysevoltage | VGS=0V ID=250μA | 100 | - | V | |
| IDSS | Nul het Afvoerkanaalstroom van het Poortvoltage | VDS=100V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
| IGSS | Poort-lichaam Lekkagestroom | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | Na |
| VGS (Th) | Het Voltage van de poortdrempel | VDS=VGS, ID=250 μA | 1 | 3 | V | |
| RDS () |
Afvoerkanaal-bron op-Staat Weerstand |
VGS=10V, ID=20A | - | 24 | 28 | mΩ |
| RDS () |
Afvoerkanaal-bron op-Staat Weerstand |
VGS=4.5V, ID=10A | - | 28 | 30 | mΩ |
| gFS | Voorwaartse Transconductance | VDS=5V, ID=10A | - | 15 | - | S |
| Clss | Inputcapacitieve weerstand | VDS=25V, VGS=0V, F=1.0MHz |
- | 2000 | - | PF |
| Coss | Outputcapacitieve weerstand | - | 300 | - | PF | |
| Crss | Omgekeerde Overdrachtcapacitieve weerstand | - | 250 | - | PF | |
| td () | De Tijd van de inschakelenvertraging | VDD=50V, RL=5Ω VGS=10V, RGEN=3Ω |
- | 7 | - | NS |
|
r t |
De Tijd van de inschakelenstijging | - | 7 | - | NS | |
| td (weg) | De Tijd van de productvertraging | - | 29 | - | NS | |
|
F t |
De Tijd van de productdaling | - | 7 | - | NS | |
| Qg | Totale Poortlast | VDS=50V, ID=10A, VGS=10V |
- | 39 | - | nC |
| Qgs | Poort-bronlast | - | 8 | - | nC | |
| Qgd | Poort-afvoerkanaal Last | - | 12 | - | nC | |
| VSD | Diode Voorwaarts Voltage (Nota 3) | VGS=0V, IS=20A | - | - | 1.2 | V |
|
S I |
Diode Voorwaartse Stroom (Nota 2) | - | - | - | 30 | A |
|
rr t |
Omgekeerde Terugwinningstijd |
TJ = 25°C, ALS = 10A di/dt = 100A/μs (Note3) |
- | 32 | - | NS |
| Qrr | Omgekeerde Terugwinningslast | - | 53 | - | nC | |
| ton | Door:sturen Inschakelentijd |
De intrinsieke inschakelentijd is te verwaarlozen (de inschakelen worden langs overheerst LS+LD) |
||||
Nota's:
1, Herhaalde Classificatie: Impulsbreedte door maximumverbindingstemperatuur die wordt beperkt.
2, Oppervlakte Opgezet op FR4-Raad, t ≤ 10 seconden.
3, Impulstest: Impulsbreedte ≤ 300 μs, Plichtscyclus ≤ 2%.
4, met opzet Gewaarborgd, niet onderworpen aan productie
5, EAS-Voorwaarde: Tj=25 ℃, VDD=50V, VG=10V, L=0.5mH, Rg=25Ω, IAS=32A
Aandacht
1, om het even welk en alle APM-hierin beschreven of bevatte Micro-elektronicaproducten hebben geen specificaties die toepassingen kunnen behandelen die uiterst hoge niveaus van betrouwbaarheid, zoals het levenssteunregelingen, aircraft controlesystemen, of andere toepassingen vereisen de waarvan mislukking redelijk kan worden verwacht om in ernstige fysieke en/of materiële schade te resulteren. Raadpleeg uw APM-Micro-elektronica representatieve het meest dichtbijgelegen u alvorens om het even welke die APM-Micro-elektronicaproducten of te gebruiken hierin in dergelijke toepassingen worden beschreven.
2, APM-Micro-elektronica veronderstellen geen verantwoordelijkheid voor materiaalmislukkingen dat resultaat van het gebruiken van producten bij waarden die, zelfs snel voorbijgaand, geschatte waarden (zoals maximumclassificaties, exploitatievoorwaardewaaiers, of andere die parameters) in productenspecificaties van om het even welk en alle APM-hierin beschreven worden vermeld of bevatte Micro-elektronicaproducten overschrijden.
3, de Specificaties van om het even welk en alle APM-Micro-elektronicaproducten beschreven of bevatten instipulate hier de prestaties, de kenmerken, en de functies van de beschreven producten in de onafhankelijke staat, en zijn geen waarborgen van de prestaties, de kenmerken, en de functies van de beschreven producten zoals opgezet in het de producten of materiaal van de klant. Om symptomen en staten te verifiëren die niet in een onafhankelijk apparaat kunnen worden geëvalueerd, zou de klant apparaten evalueren en altijd moeten testen opgezet in het de producten of materiaal van de klant.
4, APM-Co. van de Micro-elektronicahalfgeleider, Ltd streven ernaar om hoogte te leveren - producten van de kwaliteits de hoge betrouwbaarheid. Nochtans, ontbreken om het even welk en alle halfgeleiderproducten met wat waarschijnlijkheid. Het is mogelijk dat deze probabilistic mislukkingen tot ongevallen of gebeurtenissen konden leiden die mensenlevens konden in gevaar brengen die tot rook of brand konden leiden, of die schade aan ander bezit konden veroorzaken. Het Whendesigningsmateriaal, keurt veiligheidsmaatregelen goed zodat deze soorten ongevallen of gebeurtenissen niet kunnen voorkomen. Dergelijke maatregelen omvatten maar zijn niet beperkt tot beschermende kringen en de kringen van de foutenpreventie voor veilig ontwerp, overtollig ontwerp, en structureel ontwerp.
5, in het geval dat om het even welk of alle APM-hierin beschreven of bevatte Micro-elektronicaproducten (met inbegrip van technische gegevens, de diensten) in het kader van om het even welk van toepasselijke lokale uitvoercontrolewetten en verordeningen worden gecontroleerd, dergelijke producten moeten niet worden uitgevoerd zonder de de uitvoervergunning uit de autoriteiten te verkrijgen betrokken overeenkomstig de bovengenoemde wet.
6, Geen deel van deze publicatie kunnen in om het even welke vorm of op om het even welke manier, elektronisch of mechanisch, met inbegrip van het fotokopiëren van en het registreren, of om het even welk informatieopslag of herwinningssysteem, of anders, zonder de vroegere geschreven toestemming van APM-Co. van de Micro-elektronicahalfgeleider, Ltd worden gereproduceerd of worden overgebracht.
7, Informatie (met inbegrip van schakelschema's en kringsparameters) zijn hierin bijvoorbeeld slechts; het is niet gewaarborgd voor volumeproductie. APM-de Micro-elektronica gelooft de informatie hierin nauwkeurig en betrouwbaar is, maar geen waarborgen worden gemaakt of betreffende zijn gebruik of om het even welke overtredingen van intellectuele-eigendomsrechten of andere rechten van derde partijen gemaakt.
8, hierin beschreven of bevatte om het even welk en al informatie zijn voor wijzigingen vatbare zonder voorafgaande kennisgeving toe te schrijven aan product/de technologieverbetering, enz. Wanneer het ontwerpen van materiaal, verwijs naar de „Leveringsspecificatie“ voor het APM-Micro-elektronicaproduct dat u van plan bent te gebruiken.
Contactpersoon: David
