Thuis Productenmosfet machtstransistor

Mosfet van de G201220v 12A 10mr 2.4W Transistor Module ap6982gn2-HF

Certificaat
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaten
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaten
Klantenoverzichten
wij samenwerking met Hua Xuan Yang zijn grotendeels toe te schrijven aan hun professionalisme, hun scherpe reactie op de aanpassing van de producten die wij, de regeling van al onze behoeften en, vooral, zij voorziening van de kwaliteitsdiensten hebben gewenst.

—— — — Jason van Canada

In het kader van de aanbeveling van mijn vriend, zijn wij van Hua Xuan Yang, een hogere deskundige in de halfgeleider en de elektronische componentenindustrie op de hoogte, die ons heeft toegelaten om onze kostbare tijd te verminderen en niet poging moeten wagen andere fabrieken.

—— — — Виктор van Rusland

Ik ben online Chatten Nu

Mosfet van de G201220v 12A 10mr 2.4W Transistor Module ap6982gn2-HF

Mosfet van de G201220v 12A 10mr 2.4W Transistor Module ap6982gn2-HF
Mosfet van de G201220v 12A 10mr 2.4W Transistor Module ap6982gn2-HF

Grote Afbeelding :  Mosfet van de G201220v 12A 10mr 2.4W Transistor Module ap6982gn2-HF

Productdetails:
Plaats van herkomst: Shenzhen, China
Merknaam: Hua Xuan Yang
Certificering: RoHS、SGS
Modelnummer: Ap6982gn2-HF
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Onderhandeling
Prijs: Negotiation
Verpakking Details: In dozen gedaan
Levertijd: 1 - 2 weken
Betalingscondities: L/C T/T WESTERN UNION
Levering vermogen: 18,000,000PCS/per Dag

Mosfet van de G201220v 12A 10mr 2.4W Transistor Module ap6982gn2-HF

beschrijving
Type: Field-Effect Transistor Productnaam: Ap6982gn2-HF
Kwaliteit: origineel Toepassing: Huistoestellen
Embleem: aangepast Vth:: 0.7V
Hoog licht:

2.4W transistormosfet Module

,

10mr transistormosfet Module

,

Ap6982gn2-HF Gebiedseffect Transistor

Mosfet van de G201220v 12A 10mr transistor alternatief voor ap6982gn2-HF

 

Beschrijving:

 

AP6982 de reeksen zijn van Geavanceerde Macht vernieuwden ontwerp en

de technologie van het siliciumproces om laagste mogelijk te bereiken? weerstand en snelle omschakelingsprestaties. Het verstrekt

ontwerper met een extreem efficiënt apparaat voor gebruik in breed

waaier van machtstoepassingen.


Absoluut MaximumRatings@Tj =25o.C (tenzij anders gespecificeerd)

 

 

Symbool Parameter Classificatie Eenheden
VDS Afvoerkanaal-bronvoltage 20 V
VGS Poort-bronvoltage +8 V
ID@TA =25℃ Ononderbroken Afvoerkanaalstroom3 @ VGS =4.5V 11 A
ID@TA =70℃ Ononderbroken Afvoerkanaalstroom3 @ VGS =4.5V 8.7 A
IDM Gepulseerde Afvoerkanaalstroom1 40 A
PD@TA =25℃ Totale Machtsdissipatie3 2.4 W
TSTG De Waaier van de opslagtemperatuur -55 tot 150
TJ De werkende Waaier van de Verbindingstemperatuur -55 tot 150

Thermische Gegevens
 
Symbool Parameter Waarde Eenheid
Rthj-a Maximum Thermische Weerstand, verbinding-Omringende3 52 ℃/W
 

ElektroCharacteristics@Tj =25oC (tenzij anders gespecificeerd)

 

Symbool Parameter Beproevingsomstandigheden Min. Type. Max. Eenheden
BVDSS Afvoerkanaal-bronanalysevoltage VGS =0V, IDENTITEITSKAART =250UA 20 - - V
RDS () Statische afvoerkanaal-Bron op-Weerstand2 VGS =4.5V, IDENTITEITSKAART =10A - 9.3 12.5
VGS =2.5V, IDENTITEITSKAART =5A - 11.3 16
VGS =1.8V, IDENTITEITSKAART =2A - 15 21
VGS (Th) Het Voltage van de poortdrempel VDS =VGS, IDENTITEITSKAART =250UA 0,3 0,5 1 V
gfs Voorwaartse Transconductance VDS =5V, IDENTITEITSKAART =10A - 34 - S
IDSS Afvoerkanaal-bronlekkagestroom VDS =16V, VGS =0V - - 10 RE
IGSS Poort-bronlekkage VGS =+8V, VDS =0V - - +100 Na
Qg Totale Poortlast

Identiteitskaart =10A

VDS =10V VGS =4.5V

- 22 35.2 nC
Qgs Poort-bronlast - 2.5 - nC
Qgd Poort-afvoerkanaal („Molenaar“) Last - 7 - nC
td () De Tijd van de inschakelenvertraging VDS =10V - 9 - NS
RT Stijgingstijd Identiteitskaart =1A - 13 - NS
td (weg) De Tijd van de productvertraging RG =3.3Ω - 40 - NS
tf Dalingstijd VGS =5V - 10 - NS
 
Ciss Inputcapacitieve weerstand

VGS =0V

VDS =10V f=1.0MHz

- 1500 2400 pF
Coss Outputcapacitieve weerstand - 170 - pF
Crss Omgekeerde Overdrachtcapacitieve weerstand - 155 - pF
Rg Poortweerstand f=1.0MHz - 2 4 Ω
 


Bron-afvoerkanaal Diode
 

Symbool Parameter Beproevingsomstandigheden Min. Type. Max. Eenheden
VSD Door:sturen op Voltage2 IS =2A, VGS =0V - - 1.2 V
trr Omgekeerde Terugwinningstijd

IS =10A, VGS =0V,

dI/dt=100A/µs

- 11 - NS
Qrr Omgekeerde Terugwinningslast - 5 - nC

 

Nota's:

1. Impulsbreedte door Max. verbindingstemperatuur die wordt beperkt.
2.Pulse test
3.Surface zette op 1 in2 2oz-koperstootkussen op van FR4-raad, t<> 10s; 165oC/W wanneer opgezet op min. koperstootkussen.

Dit product is gevoelig voor elektrostatische lossing, gelieve te behandelen zorvuldig.

Dit product is niet gemachtigd om als kritieke component van een het levenssteunregeling of andere gelijkaardige systemen worden gebruikt.

APEC zal niet aansprakelijk voor om het even welke aansprakelijkheid zijn die van de toepassing of het gebruik van om het even welke die product of kring het gevolg zijn in deze overeenkomst wordt beschreven, noch het om het even welke vergunning onder zijn octrooirechten zal toewijzen of de rechten van anderen zal toewijzen.

APEC be*houdt zich het recht voor veranderingen in om het even welk product in deze Overeenkomst zonder voorafgaande kennisgeving aan te brengen om betrouwbaarheid, functie of ontwerp te verbeteren.

 

Contactgegevens
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Contactpersoon: David

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)

Laat een bericht achter

We bellen je snel terug!