Vraag een offerte aan |
Thuis ProductenDe Transistor van de siliciummacht

BAV19W~BAV21W gebiedseffect Transistor, Hoge Frequentietransistor

Alle producten

mosfet machtstransistor

(118)

De Transistors van de uiteindemacht

(30)

De Transistor van de siliciummacht

(19)

Dubbele Omschakelingsdiode

(15)

Mos Gebiedseffect Transistor

(29)

Dubbel - kanaalmosfet

(10)

de snelle diode van de terugwinningsgelijkrichter

(6)

machts zener diode

(6)

schottky bruggelijkrichter

(10)

de diode van de hoogspanningsgelijkrichter

(15)

Halfgeleidertriode

(9)

Voltagestabilisator IC

(14)
Certificaat
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaten
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaten
Klantenoverzichten
wij samenwerking met Hua Xuan Yang zijn grotendeels toe te schrijven aan hun professionalisme, hun scherpe reactie op de aanpassing van de producten die wij, de regeling van al onze behoeften en, vooral, zij voorziening van de kwaliteitsdiensten hebben gewenst.

—— — — Jason van Canada

In het kader van de aanbeveling van mijn vriend, zijn wij van Hua Xuan Yang, een hogere deskundige in de halfgeleider en de elektronische componentenindustrie op de hoogte, die ons heeft toegelaten om onze kostbare tijd te verminderen en niet poging moeten wagen andere fabrieken.

—— — — Виктор van Rusland

Ik ben online Chatten Nu

BAV19W~BAV21W gebiedseffect Transistor, Hoge Frequentietransistor

BAV19W~BAV21W gebiedseffect Transistor, Hoge Frequentietransistor
BAV19W~BAV21W gebiedseffect Transistor, Hoge Frequentietransistor

Grote Afbeelding :  BAV19W~BAV21W gebiedseffect Transistor, Hoge Frequentietransistor

Productdetails:
Plaats van herkomst: Shenzhen China
Merknaam: Hua Xuan Yang
Certificering: RoHS、SGS
Modelnummer: BAV19W~BAV21W
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: 1000-2000 PCs
Prijs: Negotiated
Verpakking Details: In dozen gedaan
Levertijd: 1 - 2 weken
Betalingscondities: L/C T/T Western Union
Levering vermogen: 18,000,000PCS/per Dag
Contact

BAV19W~BAV21W gebiedseffect Transistor, Hoge Frequentietransistor

beschrijving
Type: OMSCHAKELING DIODESOD Functie: Snelle Omschakelingssnelheid
Machtsmosfet Transistor: Zode-123 plastic-EncapsulateDiodes Opslagtemperatuur: -55~+150℃
Productidentiteitskaart: BAV19W~BAV21W Piekimpulsstroom: 2A
Hoog licht:

de transistor van de machtsschakelaar

,

machtsmosfet transistors

BAV19W~BAV21W switchingdiodesod-123 zode-123Plastic-EncapsulateDiodes


 

EIGENSCHAP
 
Lage Omgekeerde Stroom
De oppervlakte zet Pakket ideaal gezien Geschikt voor Automatische Toevoeging op
Snelle Omschakelingssnelheid 
Voor de Toepassingen van de Algemeen Doelomschakeling

Het merken 

 

Het merken barindi cates de kathode 

Het vaste lichaam dot=Green vormend samenstellingsapparaat,

ifnone, thenormal apparaat.

BAV19W~BAV21W gebiedseffect Transistor, Hoge Frequentietransistor 0

 

 

 

MAXIMUMclassificaties (Ta=25℃ tenzij anders vermeld)
 

 BAV19W~BAV21W gebiedseffect Transistor, Hoge Frequentietransistor 1
 
ELEKTROkenmerken (Ta=25℃ tenzij anders gespecificeerd)
 

 
BAV19W~BAV21W gebiedseffect Transistor, Hoge Frequentietransistor 2


 
 
 
Typische Characterisitics  
 BAV19W~BAV21W gebiedseffect Transistor, Hoge Frequentietransistor 3BAV19W~BAV21W gebiedseffect Transistor, Hoge Frequentietransistor 4
 




 
 
 
 
 
 
 De Dimensies van het pakketoverzicht
 

Symbool Afmetingen in Millimeter Afmetingen in Duim
  Min Maximum Min Maximum
A 0,900 1,150 0,035 0,045
A1 0,000 0,100 0,000 0,004
A2 0,900 1,050 0,035 0,041
B 0,300 0,500 0,012 0,020
c 0,080 0,150 0,003 0,006
D 2,800 3,000 0,110 0,118
E 1,200 1,400 0,047 0,055
E1 2,250 2,550 0,089 0,100
e TYPE 0,950 TYPE 0,037
e1 1,800 2,000 0,071 0,079
L 0,550 ref 0,022 ref
L1 0,300 0,500 0,012 0,020
θ 0° 8° 0° 8°

 
 



 
 
 
 

label:

machtsmosfet transistors,

de transistor van de machtsschakelaar,

hoge frequentietransistor

Contactgegevens
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Contactpersoon: David

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)

Over

mosfet machtstransistor

HXY4616 de Transistor van het logicaniveau, Bijkomende MOSFET van de Hoogspanningstransistor 30V

HXY4616 Mosfet de Hoogspanning VDS 40V VGS ±20v van de Machtstransistor ±20v VGS

Mosfet van 20G04S 40V van de het Kanaalverhoging van de Machtstransistor N+P de Wijzemosfet

LAAT BERICHT ACHTER

Privacybeleid | China Goed Kwaliteit mosfet machtstransistor Leverancier. © 2019 - 2022 mosfet-powertransistor.com. All Rights Reserved.

Laat een bericht achter

We bellen je snel terug!