Thuis Producten De Transistor van de siliciummacht

BAW56/BAV70/BAV9 de Transistor van de siliciummacht voor Algemeen Doelomschakeling

Name: BAW56/BAV70/BAV9 de Transistor van de siliciummacht voor Algemeen Doelomschakeling
Brand: Hua Xuan Yang
SKU: BAW56/BAV70/BAV9

Alle producten

mosfet machtstransistor
(118)

De Transistors van de uiteindemacht
(30)

De Transistor van de siliciummacht
(19)

Dubbele Omschakelingsdiode
(15)

Mos Gebiedseffect Transistor
(29)

Dubbel - kanaalmosfet
(10)

de snelle diode van de terugwinningsgelijkrichter
(6)

machts zener diode
(6)

schottky bruggelijkrichter
(10)

de diode van de hoogspanningsgelijkrichter
(15)

Halfgeleidertriode
(9)

Voltagestabilisator IC
(14)

Certificaat

China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaten

Klantenoverzichten

wij samenwerking met Hua Xuan Yang zijn grotendeels toe te schrijven aan hun professionalisme, hun scherpe reactie op de aanpassing van de producten die wij, de regeling van al onze behoeften en, vooral, zij voorziening van de kwaliteitsdiensten hebben gewenst.

—— — — Jason van Canada

In het kader van de aanbeveling van mijn vriend, zijn wij van Hua Xuan Yang, een hogere deskundige in de halfgeleider en de elektronische componentenindustrie op de hoogte, die ons heeft toegelaten om onze kostbare tijd te verminderen en niet poging moeten wagen andere fabrieken.

—— — — Виктор van Rusland

Ik ben online Chatten Nu

BAW56/BAV70/BAV9 de Transistor van de siliciummacht voor Algemeen Doelomschakeling

Grote Afbeelding : BAW56/BAV70/BAV9 de Transistor van de siliciummacht voor Algemeen Doelomschakeling

Productdetails:

Plaats van herkomst:	Shenzhen China
Merknaam:	Hua Xuan Yang
Certificering:	RoHS、SGS
Modelnummer:	BAW56/BAV70/BAV9

Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:

Min. bestelaantal:	1000-2000 PCs
Prijs:	Negotiated
Verpakking Details:	In dozen gedaan
Levertijd:	1 - 2 weken
Betalingscondities:	L/C T/T Western Union
Levering vermogen:	18,000,000PCS/per Dag

Contact

BAW56/BAV70/BAV9 de Transistor van de siliciummacht voor Algemeen Doelomschakeling

beschrijving

Type:	OMSCHAKELING DIODESOD	Toepassing:	Algemeen Doelomschakeling
Machtsmosfet Transistor:	Zode-123 plastic-EncapsulateDiodes	Opslagtemperatuur:	-55~+150℃
Productidentiteitskaart:	BAW56/BAV70/BAV9	Piekimpulsstroom:	2A
Hoog licht:	de transistor van de machtsschakelaar , machtsmosfet transistors

BAW56/BAV70/BAV9 OMSCHAKELINGSdiode zode-123 plastic-kapselt Dioden in

EIGENSCHAP

Snelle Omschakelingssnelheid

Voor de Toepassingen van de Algemeen Doelomschakeling

OMSCHAKELING DIODESOD

Het merken

BAW56/BAV70/BAV9 de Transistor van de siliciummacht voor Algemeen Doelomschakeling 0

MAXIMUMclassificaties (Ta=25℃ tenzij anders vermeld)

BAW56/BAV70/BAV9 de Transistor van de siliciummacht voor Algemeen Doelomschakeling 1

ElectricalCharacteristics@Ta =25℃

BAW56/BAV70/BAV9 de Transistor van de siliciummacht voor Algemeen Doelomschakeling 2

Typische Characterisitics

BAW56/BAV70/BAV9 de Transistor van de siliciummacht voor Algemeen Doelomschakeling 3

De Dimensies van het pakketoverzicht

Symbool	Afmetingen in Millimeter		Afmetingen in Duim
	Min	Maximum	Min	Maximum
A	0,900	1,150	0,035	0,045
A1	0,000	0,100	0,000	0,004
A2	0,900	1,050	0,035	0,041
B	0,300	0,500	0,012	0,020
c	0,080	0,150	0,003	0,006
D	2,800	3,000	0,110	0,118
E	1,200	1,400	0,047	0,055
E1	2,250	2,550	0,089	0,100
e	TYPE 0,950		TYPE 0,037
e1	1,800	2,000	0,071	0,079
L	0,550 ref		0,022 ref
L1	0,300	0,500	0,012	0,020
θ	0°	8°	0°	8°

label:

Contactpersoon: David

Andere Producten

MMBD4148A/SE/CC/CA Transistor van de siliciummacht dronkaard-23 Plastiek kapselt Dioden in

Type: OMSCHAKELING DIODESOD
VRM: 100V
Machtsmosfet Transistor: Dronkaard-23 plastic-kapsel Dioden in
IFM: 300mA

MMBD1501A hoge Huidige Transistor, de Transistor Lage Lekkage van de Machtsschakelaar

Type: OMSCHAKELING DIODESOD
Functie: Lage Lekkage
Machtsmosfet Transistor: Dronkaard-23 plastic-kapsel Dioden in
Gelijkstroom-het Blokkeren Voltage: 200V

BAV19W~BAV21W gebiedseffect Transistor, Hoge Frequentietransistor

Type: OMSCHAKELING DIODESOD
Functie: Snelle Omschakelingssnelheid
Machtsmosfet Transistor: Zode-123 plastic-EncapsulateDiodes
Opslagtemperatuur: -55~+150℃

1SS184 van het de Transistorsilicium van de siliciummacht de Materiële Mobiele Voeding

Verbindingstemperatuur: 150 ℃
Machtsmosfet Transistor: Dronkaard-23 plastic-kapsel in
Toepassing: de mobiele geleide bestuurder van de machtslevering/motorcontrole
Materiaal: silicium

FMMT491 de Transistor Laag Equivalent van de hoogspanningsnpn Macht bij de Weerstand

Type: De Transistor van de siliciummacht
Functie: Lage gelijkwaardige op-weerstand
Collector-zender Voltage: 60V
Opslagtemperatuur: -55~+150℃

BAW56/BAV70/BAV9 de Transistor van de siliciummacht voor Algemeen Doelomschakeling

mosfet machtstransistor

De Transistors van de uiteindemacht

De Transistor van de siliciummacht

Dubbele Omschakelingsdiode

Mos Gebiedseffect Transistor

Dubbel - kanaalmosfet

de snelle diode van de terugwinningsgelijkrichter

machts zener diode

schottky bruggelijkrichter

de diode van de hoogspanningsgelijkrichter

Halfgeleidertriode

Voltagestabilisator IC

BAW56/BAV70/BAV9 de Transistor van de siliciummacht voor Algemeen Doelomschakeling

BAW56/BAV70/BAV9 de Transistor van de siliciummacht voor Algemeen Doelomschakeling

de transistor van de machtsschakelaar

machtsmosfet transistors

Het merken

machtsmosfet transistors,

de transistor van de machtsschakelaar,

hoge frequentietransistor

MMBD4148A/SE/CC/CA Transistor van de siliciummacht dronkaard-23 Plastiek kapselt Dioden in

MMBD1501A hoge Huidige Transistor, de Transistor Lage Lekkage van de Machtsschakelaar

BAV19W~BAV21W gebiedseffect Transistor, Hoge Frequentietransistor

1SS184 van het de Transistorsilicium van de siliciummacht de Materiële Mobiele Voeding

FMMT491 de Transistor Laag Equivalent van de hoogspanningsnpn Macht bij de Weerstand

mosfet machtstransistor

HXY4616 de Transistor van het logicaniveau, Bijkomende MOSFET van de Hoogspanningstransistor 30V

HXY4616 Mosfet de Hoogspanning VDS 40V VGS ±20v van de Machtstransistor ±20v VGS

Mosfet van 20G04S 40V van de het Kanaalverhoging van de Machtstransistor N+P de Wijzemosfet