Thuis Producten De Transistors van de uiteindemacht

3DD13003B van de de Transistorszender van de uiteindemacht de Basisvoltage 9v Lage Rdson

Name: 3DD13003B van de de Transistorszender van de uiteindemacht de Basisvoltage 9v Lage Rdson
Brand: Hua Xuan Yang
SKU: 3DD13003B

Alle producten

mosfet machtstransistor
(118)

De Transistors van de uiteindemacht
(30)

De Transistor van de siliciummacht
(19)

Dubbele Omschakelingsdiode
(15)

Mos Gebiedseffect Transistor
(29)

Dubbel - kanaalmosfet
(10)

de snelle diode van de terugwinningsgelijkrichter
(6)

machts zener diode
(6)

schottky bruggelijkrichter
(10)

de diode van de hoogspanningsgelijkrichter
(15)

Halfgeleidertriode
(9)

Voltagestabilisator IC
(14)

Certificaat

China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaten

Klantenoverzichten

wij samenwerking met Hua Xuan Yang zijn grotendeels toe te schrijven aan hun professionalisme, hun scherpe reactie op de aanpassing van de producten die wij, de regeling van al onze behoeften en, vooral, zij voorziening van de kwaliteitsdiensten hebben gewenst.

—— — — Jason van Canada

In het kader van de aanbeveling van mijn vriend, zijn wij van Hua Xuan Yang, een hogere deskundige in de halfgeleider en de elektronische componentenindustrie op de hoogte, die ons heeft toegelaten om onze kostbare tijd te verminderen en niet poging moeten wagen andere fabrieken.

—— — — Виктор van Rusland

Ik ben online Chatten Nu

3DD13003B van de de Transistorszender van de uiteindemacht de Basisvoltage 9v Lage Rdson

Grote Afbeelding : 3DD13003B van de de Transistorszender van de uiteindemacht de Basisvoltage 9v Lage Rdson

Productdetails:

Plaats van herkomst:	Shenzhen China
Merknaam:	Hua Xuan Yang
Certificering:	RoHS、SGS
Modelnummer:	3DD13003B

Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:

Min. bestelaantal:	1000-2000 PCs
Prijs:	Negotiated
Verpakking Details:	In dozen gedaan
Levertijd:	1 - 2 weken
Betalingscondities:	L/C T/T Western Union
Levering vermogen:	18,000,000PCS/per Dag

Contact

3DD13003B van de de Transistorszender van de uiteindemacht de Basisvoltage 9v Lage Rdson

beschrijving

Collector-Base Voltage:	700V	Collector-zender Voltage:	400V
Emitter-base voltage:	9V	Naam van het product:	het type van halfgeleidertriode
TJ:	150℃	Type:	Triodetransistor
Hoog licht:	de transistors van de uiteindereeks , hoge machts pnp transistor

Aan-92 plastic-kapsel Transistors3dd13001b TRANSISTOR (NPN) in

EIGENSCHAP

Ÿ de toepassingen van de machtsomschakeling

Het MERKEN

13003B=Device code

Het vaste lichaam dot=Green vormend samenstellingsapparaat, als niets, het normale apparaat

XXX=Code

3DD13003B van de de Transistorszender van de uiteindemacht de Basisvoltage 9v Lage Rdson 0

HET OPDRACHT GEVEN VAN TOT INFORMATIE

Artikelnummer	Pakket	Verpakkingsmethode	Pakhoeveelheid
3DD13003B	Aan-92	Massa	1000pcs/Bag
3dd13003b-Ta	Aan-92	Band	2000pcs/Box

MAXIMUMclassificaties (T_een =25 Š tenzij anders vermeld)

Symbool	Parameter	Waarde	Eenheid
V CBO	Collector-Base Voltage	700	V
V CEO	Collector-zender Voltage	400	V
V EBO	Emitter-Base Voltage	9	V
I_C	Ononderbroken collectorstroom -	1.5	A
P_C	De Dissipatie van de collectormacht	0,9	W
T_J	Verbindingstemperatuur	150	℃
Tstg	Opslagtemperatuur	-55 ~150	℃

ELEKTROkenmerken

Ta =25 Š tenzij anders gespecificeerd

Parameter	Symbool	Beproevingsomstandigheden	Min	Type	Maximum	Eenheid
Collector-base analysevoltage	V (BR) CBO	I_C= 1MA, D.W.Z. =0	700			V
Collector-zender analysevoltage	V (BR) CEO	I_C= 10MA, I_B=0	400			V
Emitter-base analysevoltage	V (BR) EBO	D.W.Z. = 1MA, I_C=0	9			V
De collector sneed stroom af	ICBO	V_CB= 700V, D.W.Z. =0			100	µA
De collector sneed stroom af	ICEO	V_CE= 400V, I_B=0			50	µA
De zender sneed stroom af	IEBO	V_EB= 7V, I_C=0			10	µA
De huidige aanwinst van gelijkstroom	hFE	V_CE= 10V, I_C= 0,4 A	20		40
Collector-zender verzadigingsvoltage	(Gezeten) VCE 1	I_C=1.5A, I_B= 0.5A			3	V
	(Gezeten) VCE 2	I_C=0.5A, I_B= 0.1A			0,8	V
Base-emitter verzadigingsvoltage	(Gezeten) VBE	I_C=0.5A, I_B=0.1A			1	V
Overgangsfrequentie	F_T	V_CE=10V, I_C=100mA, F =1MHz	4			Mhz
Dalingstijd	t_F	I_C=1A			0,7	µs
Opslagtijd	t_s	I_B1=-IB2=0.2A			4	µs

_FE CLASSIFICATIE VAN H₍₂₎

Rang
Waaier	20-25	25-30	30-35	35-40

Typische Kenmerken

Aan-92 de Dimensies van het pakketoverzicht

Symbool	Afmetingen in Millimeter		Afmetingen in Duim
	Min	Maximum	Min	Maximum
A	3,300	3,700	0,130	0,146
A1	1,100	1,400	0,043	0,055
B	0,380	0,550	0,015	0,022
c	0,360	0,510	0,014	0,020
D	4,300	4,700	0,169	0,185
D1	3,430		0,135
E	4,300	4,700	0,169	0,185
e	1.270 TYPE		TYPE 0,050
e1	2,440	2,640	0,096	0,104
L	14,100	14,500	0,555	0,571
Φ		1,600		0,063
h	0,000	0,380	0,000	0,015

label:

Contactpersoon: David

Andere Producten

PNP-de Transistors aan-251-3L Plastiek Ingekapselde B772 Omschakeling Met lage snelheid van de Uiteindemacht

Collector-Base voltageCollector-Basis Voltage: 40V
Collector-zender Voltage: 30V
Emitter-base voltage: -6V
Naam van het product: het type van halfgeleidertriode

B772 de Schakelaar van de Hoge Machtspnp Transistor, de Kring van de Uiteindepnp Transistor

De dissipatie van de collectormacht: 1.25W
VCEO: -30V
VEBO: -6V
Naam van het product: het type van halfgeleidertriode

MJE13003 van het de Transistorsnpn Silicium van de uiteindemacht Type van de Triodetransistor het Materiële

Type: Triodetransistor
Materiaal: silicium
Machtsmosfet Transistor: Aan-126 plastic-kapsel in
Naam van het product: het type van halfgeleidertriode

De Kring van de D882npn Transistor, NPN-van de de Collectorzender van de Machtstransistor het Voltage 30v

Collector-Base voltageCollector-Basis Voltage: 40V
Collector-zender Voltage: 30V
Emitter-base voltage: 6v
Machtsmosfet Transistor: Aan-126 plastic-kapsel in

De Machtstransistors aan-92 van het A733pnp Uiteinde Plastiek - kapsel Transistors in

VCBO: -60V
VCEO: -50V
VEBO: -5V
Naam van het product: triodetype van de siliciumhalfgeleider

3DD13003B van de de Transistorszender van de uiteindemacht de Basisvoltage 9v Lage Rdson

mosfet machtstransistor

De Transistors van de uiteindemacht

De Transistor van de siliciummacht

Dubbele Omschakelingsdiode

Mos Gebiedseffect Transistor

Dubbel - kanaalmosfet

de snelle diode van de terugwinningsgelijkrichter

machts zener diode

schottky bruggelijkrichter

de diode van de hoogspanningsgelijkrichter

Halfgeleidertriode

Voltagestabilisator IC

3DD13003B van de de Transistorszender van de uiteindemacht de Basisvoltage 9v Lage Rdson

3DD13003B van de de Transistorszender van de uiteindemacht de Basisvoltage 9v Lage Rdson

de transistors van de uiteindereeks

hoge machts pnp transistor

_FE CLASSIFICATIE VAN H₍₂₎

hoge machts pnp transistor,

de transistors van de uiteindereeks,

uiteinde pnp transistor

PNP-de Transistors aan-251-3L Plastiek Ingekapselde B772 Omschakeling Met lage snelheid van de Uiteindemacht

B772 de Schakelaar van de Hoge Machtspnp Transistor, de Kring van de Uiteindepnp Transistor

MJE13003 van het de Transistorsnpn Silicium van de uiteindemacht Type van de Triodetransistor het Materiële

De Kring van de D882npn Transistor, NPN-van de de Collectorzender van de Machtstransistor het Voltage 30v

De Machtstransistors aan-92 van het A733pnp Uiteinde Plastiek - kapsel Transistors in

mosfet machtstransistor

HXY4616 de Transistor van het logicaniveau, Bijkomende MOSFET van de Hoogspanningstransistor 30V

HXY4616 Mosfet de Hoogspanning VDS 40V VGS ±20v van de Machtstransistor ±20v VGS

Mosfet van 20G04S 40V van de het Kanaalverhoging van de Machtstransistor N+P de Wijzemosfet

3DD13003B van de de Transistorszender van de uiteindemacht de Basisvoltage 9v Lage Rdson

3DD13003B van de de Transistorszender van de uiteindemacht de Basisvoltage 9v Lage Rdson

3DD13003B van de de Transistorszender van de uiteindemacht de Basisvoltage 9v Lage Rdson

de transistors van de uiteindereeks

hoge machts pnp transistor

FE CLASSIFICATIE VAN H(2)

hoge machts pnp transistor,

de transistors van de uiteindereeks,

_FE CLASSIFICATIE VAN H₍₂₎