Dutch

English

French

German

Italian

Russian

Spanish

Portuguese

Dutch

Greek

Japanese

Korean

Arabic

Hindi

Turkish

Indonesian

Vietnamese

Thai

Bengali

Persian

Polish

Vraag een offerte aan |

Thuis Producten De Transistors van de uiteindemacht

PNP-de Transistors aan-251-3L Plastiek Ingekapselde B772 Omschakeling Met lage snelheid van de Uiteindemacht

Alle producten

mosfet machtstransistor
(118)

De Transistors van de uiteindemacht
(30)

De Transistor van de siliciummacht
(19)

Dubbele Omschakelingsdiode
(15)

Mos Gebiedseffect Transistor
(29)

Dubbel - kanaalmosfet
(10)

de snelle diode van de terugwinningsgelijkrichter
(6)

machts zener diode
(6)

schottky bruggelijkrichter
(10)

de diode van de hoogspanningsgelijkrichter
(15)

Halfgeleidertriode
(9)

Voltagestabilisator IC
(14)

Certificaat

China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaten

China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaten

Klantenoverzichten

wij samenwerking met Hua Xuan Yang zijn grotendeels toe te schrijven aan hun professionalisme, hun scherpe reactie op de aanpassing van de producten die wij, de regeling van al onze behoeften en, vooral, zij voorziening van de kwaliteitsdiensten hebben gewenst.

—— — — Jason van Canada

In het kader van de aanbeveling van mijn vriend, zijn wij van Hua Xuan Yang, een hogere deskundige in de halfgeleider en de elektronische componentenindustrie op de hoogte, die ons heeft toegelaten om onze kostbare tijd te verminderen en niet poging moeten wagen andere fabrieken.

—— — — Виктор van Rusland

Ik ben online Chatten Nu

PNP-de Transistors aan-251-3L Plastiek Ingekapselde B772 Omschakeling Met lage snelheid van de Uiteindemacht

PNP-de Transistors aan-251-3L Plastiek Ingekapselde B772 Omschakeling Met lage snelheid van de Uiteindemacht

Grote Afbeelding : PNP-de Transistors aan-251-3L Plastiek Ingekapselde B772 Omschakeling Met lage snelheid van de Uiteindemacht

Productdetails:

Plaats van herkomst:	Shenzhen China
Merknaam:	Hua Xuan Yang
Certificering:	RoHS、SGS
Modelnummer:	B772

Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:

Min. bestelaantal:	1000-2000 PCs
Prijs:	Negotiated
Verpakking Details:	In dozen gedaan
Levertijd:	1 - 2 weken
Betalingscondities:	L/C T/T Western Union
Levering vermogen:	18,000,000PCS/per Dag

Contact

PNP-de Transistors aan-251-3L Plastiek Ingekapselde B772 Omschakeling Met lage snelheid van de Uiteindemacht

beschrijving

Collector-Base voltageCollector-Basis Voltage:	40V	Collector-zender Voltage:	30V
Emitter-base voltage:	-6V	Naam van het product:	het type van halfgeleidertriode
TJ:	150℃	Type:	Triodetransistor
Hoog licht:	uiteinde pnp transistor , de transistors van de uiteindereeks

Aan-126 plastic-Ingekapselde Transistorsb772 TRANSISTOR (PNP)

EIGENSCHAP

Omschakeling met lage snelheid

MAXIMUMclassificaties (T_een =25 Š tenzij anders vermeld)

Symbool	Parameter	Waarde	Eenheid
VCBO	Collector-Base Voltage	-40	V
VCEO	Collector-zender Voltage	-30	V
VEBO	Emitter-Base Voltage	-6	V
I_C	Ononderbroken collectorstroom -	-3	A
P_C	De Dissipatie van de collectormacht	1.25	W
RӨJA	Thermische Weerstand, verbinding tegen Omringend	100	℃/W
T_j	Verbindingstemperatuur	150	℃
Tstg	Opslagtemperatuur	-55-150	℃

ELEKTROkenmerken

Ta =25 Š tenzij anders gespecificeerd

Parameter	Symbool	Beproevingsomstandigheden	Min	Type	Maximum	Eenheid
Collector-base analysevoltage	V (BR) CBO	I_C=-100μA, D.W.Z. =0	-40			V
Collector-zender analysevoltage	V (BR) CEO	I_C= -10MA, I_B=0	-30			V
Emitter-base analysevoltage	V (BR) EBO	D.W.Z. = -100ΜA, I_C=0	-6			V
De collector sneed stroom af	ICBO	V_CB= -40V, D.W.Z. =0			-1	μA
De collector sneed stroom af	ICEO	V_CE=-30V, I_B=0			-10	μA
De zender sneed stroom af	IEBO	V_EB=-6V, I_C=0			-1	μA
De huidige aanwinst van gelijkstroom	hFE	V_CE= -2V, I_C= -1A	60		400
Collector-zender verzadigingsvoltage	(Gezeten) VCE	I_C=-2A, I_B= -0.2A			-0.5	V
Base-emitter verzadigingsvoltage	(Gezeten) VBE	I_C=-2A, I_B= -0.2A			-1.5	V
Overgangsfrequentie	voet	V_CE= -5V, I_C=-0.1A F =10MHz	50	80		Mhz

_FE CLASSIFICATIE VAN H₍₂₎

Rang	R	O	Y	Gr.
Waaier	60-120	100-200	160-320	200-400

De Dimensies van het pakketoverzicht

Symbool	Afmetingen in Millimeter		Afmetingen in Duim
	Min	Maximum	Min	Maximum
A	3,300	3,700	0,130	0,146
A1	1,100	1,400	0,043	0,055
B	0,380	0,550	0,015	0,022
c	0,360	0,510	0,014	0,020
D	4,300	4,700	0,169	0,185
D1	3,430		0,135
E	4,300	4,700	0,169	0,185
e	1.270 TYPE		TYPE 0,050
e1	2,440	2,640	0,096	0,104
L	14,100	14,500	0,555	0,571
0		1,600		0,063
h	0,000	0,380	0,000	0,015

PNP-de Transistors aan-251-3L Plastiek Ingekapselde B772 Omschakeling Met lage snelheid van de Uiteindemacht 0

label:

hoge machts pnp transistor,

de transistors van de uiteindereeks,

uiteinde pnp transistor

Contactgegevens

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Contactpersoon: David

Andere Producten

B772 de Schakelaar van de Hoge Machtspnp Transistor, de Kring van de Uiteindepnp Transistor

De dissipatie van de collectormacht: 1.25W
VCEO: -30V
VEBO: -6V
Naam van het product: het type van halfgeleidertriode

MJE13003 van het de Transistorsnpn Silicium van de uiteindemacht Type van de Triodetransistor het Materiële

Type: Triodetransistor
Materiaal: silicium
Machtsmosfet Transistor: Aan-126 plastic-kapsel in
Naam van het product: het type van halfgeleidertriode

De Kring van de D882npn Transistor, NPN-van de de Collectorzender van de Machtstransistor het Voltage 30v

Collector-Base voltageCollector-Basis Voltage: 40V
Collector-zender Voltage: 30V
Emitter-base voltage: 6v
Machtsmosfet Transistor: Aan-126 plastic-kapsel in

De Machtstransistors aan-92 van het A733pnp Uiteinde Plastiek - kapsel Transistors in

VCBO: -60V
VCEO: -50V
VEBO: -5V
Naam van het product: triodetype van de siliciumhalfgeleider

Van de de Transistorschakelaar van 3DD13005 Npn van de de Zenderbasis het Voltage9v Hoog rendement

Collector-Base Voltage: 700V
Verbindingstemperatuur: 150 ℃
Emitter-base voltage: 9V
Naam van het product: het type van halfgeleidertriode

Over

mosfet machtstransistor: HXY4616 de Transistor van het logicaniveau, Bijkomende MOSFET van de Hoogspanningstransistor 30V; HXY4616 Mosfet de Hoogspanning VDS 40V VGS ±20v van de Machtstransistor ±20v VGS; Mosfet van 20G04S 40V van de het Kanaalverhoging van de Machtstransistor N+P de Wijzemosfet

LAAT BERICHT ACHTER

Privacybeleid | China Goed Kwaliteit mosfet machtstransistor Leverancier. © 2019 - 2022 mosfet-powertransistor.com. All Rights Reserved.

Laat een bericht achter

We bellen je snel terug!