Thuis Productenmosfet machtstransistor

4N60 - R 4A, 600V-N-CHANNEL MACHTSmosfet

Certificaat
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaten
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaten
Klantenoverzichten
wij samenwerking met Hua Xuan Yang zijn grotendeels toe te schrijven aan hun professionalisme, hun scherpe reactie op de aanpassing van de producten die wij, de regeling van al onze behoeften en, vooral, zij voorziening van de kwaliteitsdiensten hebben gewenst.

—— — — Jason van Canada

In het kader van de aanbeveling van mijn vriend, zijn wij van Hua Xuan Yang, een hogere deskundige in de halfgeleider en de elektronische componentenindustrie op de hoogte, die ons heeft toegelaten om onze kostbare tijd te verminderen en niet poging moeten wagen andere fabrieken.

—— — — Виктор van Rusland

Ik ben online Chatten Nu

4N60 - R 4A, 600V-N-CHANNEL MACHTSmosfet

4N60 - R 4A, 600V-N-CHANNEL MACHTSmosfet
4N60 - R 4A, 600V-N-CHANNEL MACHTSmosfet 4N60 - R 4A, 600V-N-CHANNEL MACHTSmosfet

Grote Afbeelding :  4N60 - R 4A, 600V-N-CHANNEL MACHTSmosfet

Productdetails:
Plaats van herkomst: Shenzhen China
Merknaam: Hua Xuan Yang
Certificering: RoHS、SGS
Modelnummer: 4N60
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: 1000-2000 PCs
Prijs: Negotiated
Verpakking Details: In dozen gedaan
Levertijd: 1 - 2 weken
Betalingscondities: L/C T/T Western Union
Levering vermogen: 18,000,000PCS/per Dag

4N60 - R 4A, 600V-N-CHANNEL MACHTSmosfet

beschrijving
Naam van het product: mosfet machtstransistor Toepassing: Machtsbeheer
Functie: Uitstekende RDS () Machtsmosfet Transistor: De Machtsmosfet van de verhogingswijze
Modelnummer: 4N60
Hoog licht:

n kanaalmosfet transistor

,

hoogspanningstransistor

2N60-TC3 machtsmosfet

2A, 600V-N-CHANNEL MACHTSmosfet

 

BESCHRIJVING

UTC 4n60-r is MOSFET van de hoogspanningsmacht en ontworpen om betere kenmerken, zoals snelle omschakelingstijd, lage poortlast, de lage weerstand van de op-staat te hebben en een hoge ruwe lawinekenmerken te hebben. Dit machtsmosfet wordt gewoonlijk gebruikt bij de toepassingen van de hoge snelheidsomschakeling in voedingen, PWM-motorcontroles, hoge efficiënte gelijkstroom aan gelijkstroom convertors en brugkringen.

 

4N60 - R 4A, 600V-N-CHANNEL MACHTSmosfet 0

 

EIGENSCHAPPEN

* RDS()< 2=""> GS = 10 V

* Snel Omschakelingsvermogen

* Gespecificeerde lawineenergie

* Beter dv/dt-Vermogen, hoge Ruwheid

 

4N60 - R 4A, 600V-N-CHANNEL MACHTSmosfet 1

HET OPDRACHT GEVEN VAN TOT INFORMATIE

Het opdracht geven van tot Aantal Pakket Speldtaak Verpakking
Loodvrij Vrij halogeen 1 2 3
4n60l-tf1-t 4n60g-tf1-t Aan-220F1 G D S Buis

Nota: Speldtaak: G: Poort D: Afvoerkanaal S: Bron

 

4N60 - R 4A, 600V-N-CHANNEL MACHTSmosfet 2

4N60 - R 4A, 600V-N-CHANNEL MACHTSmosfet 3

n ABSOLUTE MAXIMUMclassificaties (TC = 25°С, tenzij anders gespecificeerd)

 

PARAMETER SYMBOOL CLASSIFICATIES EENHEID
Afvoerkanaal-bronvoltage VDSS 600 V
Poort-bronvoltage VGSS ±30 V
Lawinestroom (Nota 2) IAR 4 A
Afvoerkanaalstroom Ononderbroken ID 4.0 A
  Gepulseerd (Nota 2) IDM 16 A
Lawineenergie Gepulseerd enig (Nota 3) EAS 160 mJ
Piekdiodeterugwinning dv/dt (Nota 4) dv/dt 4.5 V/ns
Machtsdissipatie PD 36 W
Verbindingstemperatuur TJ +150 °С
Werkende Temperatuur TOPR -55 ~ +150 °С
Opslagtemperatuur TSTG -55 ~ +150 °С

Nota's: 1. De absolute maximumclassificaties zijn die waarden waarvoorbij het apparaat permanent zou kunnen worden beschadigd.

De absolute maximumclassificaties zijn slechts spanningsclassificaties en de functionele apparatenverrichting is niet impliciet.

4. Herhaalde Classificatie: Impulsbreedte door maximumverbindingstemperatuur die wordt beperkt.

5. L = 84mH, IALS =1.4A, VDD = 50V, RG = 25 Ω die T beginnenJ = 25°C

6. IBR ≤ 2.0A, di/dt ≤200A/μs, VDD ≤BVDSS, Beginnend TJ = 25°C

THERMISCHE GEGEVENS

PARAMETER SYMBOOL CLASSIFICATIES EENHEID
Verbinding aan Omringend θJA 62.5 °С/W
Verbinding aan Geval θJc 3.47 °С/W

 

ELEKTROkenmerken (TJ = 25°С, tenzij anders gespecificeerd)

 

PARAMETER SYMBOOL BEPROEVINGSOMSTANDIGHEDEN Min TYPE MAXIMUM EENHEID
VAN KENMERKEN
Afvoerkanaal-bronanalysevoltage BVDSS VGS=0V, ID=250μA 600     V
Afvoerkanaal-bronlekkagestroom IDSS VDS=600V, VGS=0V     10 μA
    VDS=480V, TC=125°С     100 µA
Poort-bronlekkagestroom Door:sturen IGSS VGS=30V, VDS=0V     100 Na
  Omgekeerde   VGS=-30V, VDS=0V     -100 Na
De Temperatuurcoëfficiënt van het analysevoltage △BVDSS/△TJ I dieD=250μA, aan 25°C van verwijzingen wordt voorzien   0,6   V/°С
OP KENMERKEN
Het Voltage van de poortdrempel VGS (TH) VDS=VGS, ID=250μA 3.0   5.0 V
De statische Weerstand afvoerkanaal-Bron van de op-Staat RDS () VGS=10 V, ID=2.2A   2.3 2.5
DYNAMISCHE KENMERKEN
Inputcapacitieve weerstand CISS

 

VDS =25V, VGS=0V, F =1MHZ

  440 670 pF
Outputcapacitieve weerstand COSS     50 100 pF
Omgekeerde Overdrachtcapacitieve weerstand CRSS     6.8 20 pF
OMSCHAKELINGSkenmerken
De Tijd van de inschakelenvertraging tD ()

 

VDD=30V, ID=0.5A, RG=25Ω

(Nota 1, 2)

  45 60 NS
De Tijd van de inschakelenstijging tR     35 55 NS
De Tijd van de productvertraging tD (WEG)     65 85 NS
De Tijd van de productdaling tF     40 60 NS
Totale Poortlast QG VDS=50V, ID=1.3A, ID=100μA VGS=10V (Nota 1, 2)   15 30 nC
Poort-bronlast QGS     5   nC
Poort-afvoerkanaal Last QGD     15   nC
DE CLASSIFICATIES EN DE KENMERKEN VAN DE BRONafvoerkanaaldiode
De afvoerkanaal-brondiode door:sturen Voltage VSD VGS=0V, IS=4.4A     1.4 V
De maximum Ononderbroken afvoerkanaal-Brondiode door:sturen Stroom IS       4.4 A

Maximum Gepulseerde afvoerkanaal-Brondiode

Voorwaartse Stroom

ISM       17.6 A
Omgekeerde Terugwinningstijd trr

VGS=0 V, IS=4.4A,

DiF/dt=100 A/μs (Nota 1)

  250   NS
Omgekeerde Terugwinningslast QRR     1.5   μC

Nota's: 1. Impulstest: Impulsbreedte ≤ 300µs, Plichtscyclus ≤ 2%.

  • Hoofdzakelijk onafhankelijke van werkende temperatuur.

4N60 - R 4A, 600V-N-CHANNEL MACHTSmosfet 4

4N60 - R 4A, 600V-N-CHANNEL MACHTSmosfet 5

 

 

Contactgegevens
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Contactpersoon: David

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)

Laat een bericht achter

We bellen je snel terug!