|
Productdetails:
|
Naam van het product: | mosfet machtstransistor | model: | AP30N10P |
---|---|---|---|
Pak: | Aan-220-3L | Het merken: | AP30P10P XXX YYYY |
VDSDrain-bronvoltage: | 100V | Rce Voltage VGSGate-Sou: | ±20V |
Hoog licht: | n kanaalmosfet transistor,hoogspanningstransistor |
AP30N10P Mosfet Machtstransistor voor Motorcontrole 30A 100V aan-220
Mosfet de Beschrijving van de Machtstransistor:
De geavanceerde de geultechnologie van AP30N10P gebruik
om uitstekende RDS (), lage poortlast te verstrekken en
verrichting met poortvoltages zo laag zoals 4.5V. Dit
het apparaat is geschikt voor gebruik als a
Batterijbescherming of in andere Omschakelingstoepassing.
Mosfet de Eigenschappen van de Machtstransistor
VDS = 100V IDENTITEITSKAART = 30 A
RDS () < 40m="">
Mosfet de Toepassing van de Machtstransistor
Batterijbescherming
Ladingsschakelaar
Noodvoeding
Pakket die en tot Informatie merken opdracht geven
Product-id | Pak | Het merken | Qty (PCs) |
AP30P10P | Aan-220-3L | AP30P10P XXX YYYY | 1000 |
Absolute Maximumclassificaties (anders genoteerde TC=25℃unless)
Symbool | Parameter | Classificatie | Eenheden |
VDS | Afvoerkanaal-bronvoltage | 100 | V |
VGS | Rce Voltage poort-Sou | ±20 | V |
ID@TC =25℃ | Ononderbroken Afvoerkanaalstroom, V GS @ 10V 1 | 30 | A |
ID@TC =100 ℃ | Ononderbroken Afvoerkanaalstroom, V GS @ 10V 1 | 26 | A |
IDM | Gepulseerd Afvoerkanaal Current2 | 72 | A |
EAS | Enige Energie 3 van de Impulslawine | 126 | mJ |
IAS | Lawinestroom | 13 | A |
PD@TC =25 ℃ | Totale Macht Dissipation4 | 125 | W |
TSTG | De Waaier van de opslagtemperatuur | -55 tot 175 | ℃ |
TJ | De werkende Waaier van de Verbindingstemperatuur | -55 tot 175 | ℃ |
RθJA | Thermische Weerstand verbinding-Omringende 1 | 62 | ℃/W |
RθJC | Thermisch Weerstands verbinding-Geval 1 | 1.2 | ℃/W |
Elektrokenmerken (TJ =25℃, tenzij anders vermeld)
Symbool | Parameter | Voorwaarden | Min. | Type. | Max. | Eenheid |
BVDSS | Afvoerkanaal-bronanalysevoltage | VGS=0V, ID=250uA | 100 | - | - | V |
△ BVDSS/△TJ | BVDSS-Temperatuurcoëfficiënt | Verwijzing naar 25℃, ID=1mA | - | 0,098 | - | V/℃ |
RDS () |
Statische afvoerkanaal-Bron op-Weerstand |
VGS=10V, I D=16A | - | 36 | 40 |
mΩ |
VGS=4.5V, I D=10A | - | - | 50 | |||
VGS (Th) | Het Voltage van de poortdrempel | 1.5 | - | 2.5 | V | |
△VGS (Th) | Van VGS (Th) de Temperatuurcoëfficiënt | - | -5.52 | - | mV/℃ | |
IDSS |
Afvoerkanaal-bronlekkagestroom |
VDS=80V, VGS=0V, TJ=25 ℃ | - | - | 10 |
RE |
VDS=80V, VGS=0V, TJ=55 ℃ | - | - | 100 | |||
IGSS | Poort-bronlekkagestroom | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | Na |
gfs | Voorwaartse Transconductance | VDS=5V, ID=16A | - | 30 | - | S |
Rg | Poortweerstand | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | - | 1.6 | - | |
Qg | Totale Poortlast (10V) | - | 45.6 | - | ||
Qgs | Poort-bronlast | - | 6.7 | - | ||
Qgd | Poort-afvoerkanaal Last | - | 11.8 | - | ||
Td () | De Tijd van de inschakelenvertraging |
VDD=50V, VGS=10V, RG=3.3 ID=10A |
- | 12 | - |
NS |
RT | ||||||
Td (weg) | De Tijd van de productvertraging | - | 42 | - | ||
Tf | Dalingstijd | - | 13.4 | - | ||
Ciss | Inputcapacitieve weerstand | - | 2270 | - | ||
Coss | Outputcapacitieve weerstand | - | 130 | - | ||
Crss | Omgekeerde Overdrachtcapacitieve weerstand | - | 90 | - | ||
IS | Ononderbroken Bronstroom 1,5 | VG=VD=0V, Krachtstroom | - | - | 36 | A |
VSD | De diode door:sturen Voltage2 | VGS=0V, IS=1A, TJ=25 ℃ | - | - | 1.2 | V |
trr | Omgekeerde Terugwinningstijd |
IF=16A, dI/dt=100A/µs, TJ=25 ℃ |
- | 33 | - | NS |
Qrr | Omgekeerde Terugwinningslast | - | 28 | - | nC |
Symbool | Parameter | Voorwaarden | Min. | Type. | Max. | Eenheid |
BVDSS | Afvoerkanaal-bronanalysevoltage | VGS=0V, ID=250uA | 100 | - | - | V |
△ BVDSS/△TJ | BVDSS-Temperatuurcoëfficiënt | Verwijzing naar 25℃, ID=1mA | - | 0,098 | - | V/℃ |
RDS () |
Statische afvoerkanaal-Bron op-Weerstand |
VGS=10V, I D=16A | - | 36 | 40 |
mΩ |
VGS=4.5V, I D=10A | - | - | 50 | |||
VGS (Th) | Het Voltage van de poortdrempel | 1.5 | - | 2.5 | V | |
△VGS (Th) | Van VGS (Th) de Temperatuurcoëfficiënt | - | -5.52 | - | mV/℃ | |
IDSS |
Afvoerkanaal-bronlekkagestroom |
VDS=80V, VGS=0V, TJ=25 ℃ | - | - | 10 |
RE |
VDS=80V, VGS=0V, TJ=55 ℃ | - | - | 100 | |||
IGSS | Poort-bronlekkagestroom | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | Na |
gfs | Voorwaartse Transconductance | VDS=5V, ID=16A | - | 30 | - | S |
Rg | Poortweerstand | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | - | 1.6 | - | |
Qg | Totale Poortlast (10V) | - | 45.6 | - | ||
Qgs | Poort-bronlast | - | 6.7 | - | ||
Qgd | Poort-afvoerkanaal Last | - | 11.8 | - | ||
Td () | De Tijd van de inschakelenvertraging |
VDD=50V, VGS=10V, RG=3.3 ID=10A |
- | 12 | - |
NS |
RT | ||||||
Td (weg) | De Tijd van de productvertraging | - | 42 | - | ||
Tf | Dalingstijd | - | 13.4 | - | ||
Ciss | Inputcapacitieve weerstand | - | 2270 | - | ||
Coss | Outputcapacitieve weerstand | - | 130 | - | ||
Crss | Omgekeerde Overdrachtcapacitieve weerstand | - | 90 | - | ||
IS | Ononderbroken Bronstroom 1,5 | VG=VD=0V, Krachtstroom | - | - | 36 | A |
VSD | De diode door:sturen Voltage2 | VGS=0V, IS=1A, TJ=25 ℃ | - | - | 1.2 | V |
trr | Omgekeerde Terugwinningstijd |
IF=16A, dI/dt=100A/µs, TJ=25 ℃ |
- | 33 | - | NS |
Qrr | Omgekeerde Terugwinningslast | - | 28 | - | nC |
Aandacht
1, om het even welk en alle APM-hierin beschreven of bevatte Micro-elektronicaproducten hebben geen specificaties die toepassingen kunnen behandelen die uiterst hoge niveaus van betrouwbaarheid, zoals het levenssteunregelingen, aircraft controlesystemen, of andere toepassingen vereisen de waarvan mislukking redelijk kan worden verwacht om in ernstige fysieke en/of materiële schade te resulteren. Raadpleeg uw APM-Micro-elektronica representatieve het meest dichtbijgelegen u alvorens om het even welke APM-Micro-elektronicaproducten die of te gebruiken hierin in dergelijke toepassingen worden beschreven.
2, APM-Micro-elektronica veronderstellen geen verantwoordelijkheid voor materiaalmislukkingen dat resultaat van het gebruiken van producten bij waarden die, zelfs snel voorbijgaand, geschatte waarden (zoals maximumclassificaties, exploitatievoorwaardewaaiers, of andere parameters) die in productenspecificaties van om het even welk en alle APM-hierin beschreven worden vermeld of bevatte Micro-elektronicaproducten overschrijden.
3, de Specificaties van om het even welk en alle APM-Micro-elektronicaproducten beschreven of bevatten instipulate hier de prestaties, de kenmerken, en de functies van de beschreven producten in de onafhankelijke staat, en zijn geen waarborgen van de prestaties, de kenmerken, en de functies van de beschreven producten zoals opgezet in het de producten of materiaal van de klant. Om symptomen en staten te verifiëren die niet in een onafhankelijk apparaat kunnen worden geëvalueerd, zou de klant apparaten evalueren en altijd moeten testen opgezet in het de producten of materiaal van de klant.
4, APM-Co. van de Micro-elektronicahalfgeleider, Ltd streven ernaar om hoogte te leveren - producten van de kwaliteits de hoge betrouwbaarheid. Nochtans, ontbreken om het even welk en alle halfgeleiderproducten met wat waarschijnlijkheid. Het is mogelijk dat deze probabilistic mislukkingen tot ongevallen of gebeurtenissen konden leiden die mensenlevens konden in gevaar brengen die tot rook of brand konden leiden, of die schade aan ander bezit konden veroorzaken. Het Whendesigningsmateriaal, keurt veiligheidsmaatregelen goed zodat deze soorten ongevallen of gebeurtenissen niet kunnen voorkomen. Dergelijke maatregelen omvatten maar zijn niet beperkt tot beschermende kringen en de kringen van de foutenpreventie voor veilig ontwerp, overtollig ontwerp, en structureel ontwerp.
5, in het geval dat om het even welk of alle APM-hierin beschreven of bevatte Micro-elektronicaproducten (met inbegrip van technische gegevens, de diensten) in het kader van om het even welk van toepasselijke lokale uitvoercontrolewetten en verordeningen worden gecontroleerd, dergelijke producten moeten niet worden uitgevoerd zonder de de uitvoervergunning uit de autoriteiten te verkrijgen betrokken overeenkomstig de bovengenoemde wet.
6, Geen deel van deze publicatie kunnen in om het even welke vorm of op om het even welke manier, elektronisch of mechanisch, met inbegrip van het fotokopiëren van en het registreren, of om het even welk informatieopslag of herwinningssysteem, of anders, zonder de vroegere geschreven toestemming van APM-Co. van de Micro-elektronicahalfgeleider, Ltd worden gereproduceerd of worden overgebracht.
7, Informatie (met inbegrip van schakelschema's en kringsparameters) zijn hierin bijvoorbeeld slechts; het is niet gewaarborgd voor volumeproductie. APM-de Micro-elektronica gelooft de informatie hierin nauwkeurig en betrouwbaar is, maar geen waarborgen worden gemaakt of betreffende zijn gebruik of om het even welke overtredingen van intellectuele-eigendomsrechten of andere rechten van derde partijen gemaakt.
8, hierin beschreven of bevatte om het even welk en al informatie zijn voor wijzigingen vatbare zonder voorafgaande kennisgeving toe te schrijven aan product/de technologieverbetering, enz. Wanneer het ontwerpen van materiaal, verwijs naar de „Leveringsspecificatie“ voor het APM-Micro-elektronicaproduct dat u van plan bent te gebruiken.
Contactpersoon: David