|
Productdetails:
|
| Naam van het product: | mosfet machtstransistor | Type: | Mosfet Transistor |
|---|---|---|---|
| Productidentiteitskaart: | 20G04S | VDS: | 40V |
| Functies: | De oppervlakte zet pakket op | VGS: | ±20V |
| Hoog licht: | hoge huidige mosfet schakelaar,hoogspanningstransistor |
||
Bijkomende MOSFET van HXY4616 30V
Beschrijving
HXY4616 gebruikt geavanceerde geultechnologie aan provideexcellent RDS () en lage poortlast. Thiscomplementary N en P kanaliseert MOSFET configurationisideaal voor lage de omschakelaarstoepassingen van het Inputvoltage.
A. De waarde van RθJA gemeten=wordt= met het apparaat opgezet op 1in A =25°C. De waarde in om het even welke bepaalde toepassing hangt van de specifieke de raadsdesign.2 Fr-4 raad van de gebruiker af met 2oz. Koper, in een stil luchtmilieu met T
B. De machtsdissipatie PD is gebaseerd op TJ die(MAXIMUM) =150°C, de verbinding-aan-omringende thermische weerstand van ≤ gebruiken 10s. C. de herhaalde classificatie, impulsbreedte de Classificaties die door van de verbindingstemperatuur TJ(MAXIMUM) wordt beperkt =150°C. is gebaseerd op cycli met lage frekwentie en plichts om initialTJ=25°C. te houden.
D. RθJA is de som van de thermische impedantie van verbinding om RθJL te leiden en tot omringend te leiden.
E. De statische kenmerken in Cijfers 1 tot 6 zijn het verkregen gebruiken <300>
F. Deze krommen zijn gebaseerd op de verbinding-aan-omringende thermische impedantie die met het apparaat opgezet op de raad van 1in2 Fr-4 met 2oz wordt gemeten. Koper, die een maximumverbindingstemperatuur van TJ(MAXIMUM) veronderstellen =150°C. De SOA-kromme verstrekt één enkele impulsratin g.
Contactpersoon: David
