|
Productdetails:
|
Naam van het product: | n kanaalmos gebiedseffect transistor | Modelnummer: | G045P03LQ1C2 |
---|---|---|---|
macht: | -30V/-80A | R DS () = 3,8 mΩ (type.): | @V GS = -10V |
R DS () = 6,2 mΩ (type.): | @V GS = -4.5V | Toepassing: | Schakelen |
Hoog licht: | n kanaalmosfet transistor,hoogspanningstransistor |
N Kanaalmos Gebiedseffect Transistor, Hoge Machtstransistor -30V/-80A
N Kanaalmos Gebiedseffect Transistorbeschrijving
-30V/-80A
R DS () = 3,8 mΩ (type.) @V GS = -10V
R DS () = 6,2 mΩ (type.) @V GS = -4.5V
100% Geteste lawine
Betrouwbaar en Ruw
Beschikbare halogeen Vrije Apparaten
N Kanaalmos Gebiedseffect Transistortoepassingen
Omschakelingstoepassing
Energiebeheer voor DC/DC
Batterijbescherming
Het opdracht geven van en het Merken van tot Informatie
C2
G045P03
Pakketcode
C2: PPAK5*6-8L
Datumcode
Nota: De loodvrije producten van HUAYI bevatten vormende samenstellingen/matrijs vastmaken materialen en 100%-steenblik Termi-
De natie eindigt; welke met RoHS volledig volgzaam zijn. De loodvrije producten van HUAYI ontmoeten of overschrijden loodvrij vereisen
ments van IPC/JEDEC j-std-020 voor MSL-classificatie bij loodvrije piekterugvloeiingstemperatuur. HUAYI bepaalt
„Groen“ om loodvrij (volgzame RoHS) en vrij halogeen te betekenen (Br of Cl overschrijden in gewicht binnen geen 900ppm
het homogene materiaal en het totaal van Br en Cl overschrijden in gewicht geen 1500ppm).
HUAYI be*houdt zich het recht voor veranderingen, correcties, verhogingen, wijzigingen, en verbeteringen aan dit PR aan te brengen
oduct en/of aan dit document op elk ogenblik zonder voorafgaande kennisgeving.
Absolute Maximumclassificaties
Typische Werkende Kenmerken
Contactpersoon: David