Thuis Productenmosfet machtstransistor

N Kanaalmos Gebiedseffect Transistor, Hoge Machtstransistor -30V/-80A

Certificaat
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaten
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaten
Klantenoverzichten
wij samenwerking met Hua Xuan Yang zijn grotendeels toe te schrijven aan hun professionalisme, hun scherpe reactie op de aanpassing van de producten die wij, de regeling van al onze behoeften en, vooral, zij voorziening van de kwaliteitsdiensten hebben gewenst.

—— — — Jason van Canada

In het kader van de aanbeveling van mijn vriend, zijn wij van Hua Xuan Yang, een hogere deskundige in de halfgeleider en de elektronische componentenindustrie op de hoogte, die ons heeft toegelaten om onze kostbare tijd te verminderen en niet poging moeten wagen andere fabrieken.

—— — — Виктор van Rusland

Ik ben online Chatten Nu

N Kanaalmos Gebiedseffect Transistor, Hoge Machtstransistor -30V/-80A

N Kanaalmos Gebiedseffect Transistor, Hoge Machtstransistor -30V/-80A
N Kanaalmos Gebiedseffect Transistor, Hoge Machtstransistor -30V/-80A

Grote Afbeelding :  N Kanaalmos Gebiedseffect Transistor, Hoge Machtstransistor -30V/-80A

Productdetails:
Plaats van herkomst: Shenzhen China
Merknaam: Hua Xuan Yang
Certificering: RoHS、SGS
Modelnummer: G045P03LQ1C2
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: onderhandelingen
Prijs: Negotiated
Verpakking Details: In dozen gedaan
Levertijd: 1 - 2 weken
Betalingscondities: L/C T/T Western Union
Levering vermogen: 18,000,000PCS/per Dag

N Kanaalmos Gebiedseffect Transistor, Hoge Machtstransistor -30V/-80A

beschrijving
Naam van het product: n kanaalmos gebiedseffect transistor Modelnummer: G045P03LQ1C2
macht: -30V/-80A R DS () = 3,8 mΩ (type.): @V GS = -10V
R DS () = 6,2 mΩ (type.): @V GS = -4.5V Toepassing: Schakelen
Hoog licht:

n kanaalmosfet transistor

,

hoogspanningstransistor

N Kanaalmos Gebiedseffect Transistor, Hoge Machtstransistor -30V/-80A

 

N Kanaalmos Gebiedseffect Transistorbeschrijving

 

-30V/-80A
R DS () = 3,8 mΩ (type.) @V GS = -10V
R DS () = 6,2 mΩ (type.) @V GS = -4.5V
100% Geteste lawine
Betrouwbaar en Ruw
Beschikbare halogeen Vrije Apparaten

 

N Kanaalmos Gebiedseffect Transistortoepassingen

 

Omschakelingstoepassing
Energiebeheer voor DC/DC
Batterijbescherming

 

Het opdracht geven van en het Merken van tot Informatie

 

C2
G045P03

 

Pakketcode
C2: PPAK5*6-8L
Datumcode

 

Nota: De loodvrije producten van HUAYI bevatten vormende samenstellingen/matrijs vastmaken materialen en 100%-steenblik Termi-
De natie eindigt; welke met RoHS volledig volgzaam zijn. De loodvrije producten van HUAYI ontmoeten of overschrijden loodvrij vereisen
ments van IPC/JEDEC j-std-020 voor MSL-classificatie bij loodvrije piekterugvloeiingstemperatuur. HUAYI bepaalt
„Groen“ om loodvrij (volgzame RoHS) en vrij halogeen te betekenen (Br of Cl overschrijden in gewicht binnen geen 900ppm
het homogene materiaal en het totaal van Br en Cl overschrijden in gewicht geen 1500ppm).
HUAYI be*houdt zich het recht voor veranderingen, correcties, verhogingen, wijzigingen, en verbeteringen aan dit PR aan te brengen
oduct en/of aan dit document op elk ogenblik zonder voorafgaande kennisgeving.

 

Absolute Maximumclassificaties

N Kanaalmos Gebiedseffect Transistor, Hoge Machtstransistor -30V/-80A 0

 

Typische Werkende Kenmerken

 

 

N Kanaalmos Gebiedseffect Transistor, Hoge Machtstransistor -30V/-80A 1

 

Contactgegevens
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Contactpersoon: David

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)

Laat een bericht achter

We bellen je snel terug!