|
Productdetails:
|
| Naam van het product: | mosfet machtstransistor | VDS: | 20V |
|---|---|---|---|
| Modelnummer: | HXY9926A | Zaak: | Band/Dienblad/Spoel |
| VGS: | ±1.2V | Ononderbroken Afvoerkanaalstroom: | 6.5A |
| Hoog licht: | n kanaalmosfet transistor,hoge huidige mosfet schakelaar |
||
Dubbele N-Channel van HXY9926A 20V MOSFET
Algemene Beschrijving
HXY9926A gebruikt geavanceerde geultechnologie aan
verstrek uitstekende RDS (), lage poortlast en verrichting
met poortvoltages zo laag zoals 1.8V terwijl het behouden van een 12V
Van VGS (de MAXIMUM) classificatie. Dit apparaat is geschikt voor gebruik als eenrichtings
of tweerichtingsladingsschakelaar.
Productsamenvatting
Absolute Maximumclassificaties T =25°C tenzij anders vermeld
Elektrokenmerken (T =25°C tenzij anders vermeld)
A. De waarde van RθJA wordt gemeten met het apparaat opgezet op de raad van 1in2 Fr-4 met 2oz. Koper, in een stil luchtmilieu met TA =25°C.
de waarde in om het even welke bepaalde toepassing hangt van het specifieke de raadsontwerp van de gebruiker af.
B. De machtsdissipatie PD is gebaseerd op TJ die(MAXIMUM) =150°C, de verbinding-aan-omringende thermische weerstand van ≤ gebruiken 10s.
C. de herhaalde die classificatie, impulsbreedte de Classificaties door van de verbindingstemperatuur TJ(MAXIMUM) wordt beperkt =150°C. is gebaseerd op cycli met lage frekwentie en te houden plichts
D. RθJA is de som van de thermische impedantie van verbinding om RθJL te leiden en tot omringend te leiden.
E. De statische kenmerken in Cijfers 1 tot 6 zijn het verkregen gebruiken <300>
TYPISCHE ELEKTRO EN THERMISCHE KENMERKEN
Contactpersoon: David
