Vraag een offerte aan |
Thuis ProductenDe Transistors van de uiteindemacht

De Transistorkring van 3DD13003 NPN, NPN-van de de Collectorzender van de Machtstransistor het Voltage 400V

Alle producten

mosfet machtstransistor

(118)

De Transistors van de uiteindemacht

(30)

De Transistor van de siliciummacht

(19)

Dubbele Omschakelingsdiode

(15)

Mos Gebiedseffect Transistor

(29)

Dubbel - kanaalmosfet

(10)

de snelle diode van de terugwinningsgelijkrichter

(6)

machts zener diode

(6)

schottky bruggelijkrichter

(10)

de diode van de hoogspanningsgelijkrichter

(15)

Halfgeleidertriode

(9)

Voltagestabilisator IC

(14)
Certificaat
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaten
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaten
Klantenoverzichten
wij samenwerking met Hua Xuan Yang zijn grotendeels toe te schrijven aan hun professionalisme, hun scherpe reactie op de aanpassing van de producten die wij, de regeling van al onze behoeften en, vooral, zij voorziening van de kwaliteitsdiensten hebben gewenst.

—— — — Jason van Canada

In het kader van de aanbeveling van mijn vriend, zijn wij van Hua Xuan Yang, een hogere deskundige in de halfgeleider en de elektronische componentenindustrie op de hoogte, die ons heeft toegelaten om onze kostbare tijd te verminderen en niet poging moeten wagen andere fabrieken.

—— — — Виктор van Rusland

Ik ben online Chatten Nu

De Transistorkring van 3DD13003 NPN, NPN-van de de Collectorzender van de Machtstransistor het Voltage 400V

De Transistorkring van 3DD13003 NPN, NPN-van de de Collectorzender van de Machtstransistor het Voltage 400V
De Transistorkring van 3DD13003 NPN, NPN-van de de Collectorzender van de Machtstransistor het Voltage 400V

Grote Afbeelding :  De Transistorkring van 3DD13003 NPN, NPN-van de de Collectorzender van de Machtstransistor het Voltage 400V

Productdetails:
Plaats van herkomst: Shenzhen China
Merknaam: Hua Xuan Yang
Certificering: RoHS、SGS
Modelnummer: 3DD13003
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: 1000-2000 PCs
Prijs: Negotiated
Verpakking Details: In dozen gedaan
Levertijd: 1 - 2 weken
Betalingscondities: L/C T/T Western Union
Levering vermogen: 18,000,000PCS/per Dag
Contact

De Transistorkring van 3DD13003 NPN, NPN-van de de Collectorzender van de Machtstransistor het Voltage 400V

beschrijving
Collector-Base Voltage: 700V Collector-zender Voltage: 400V
Ononderbroken collectorstroom -: 1.5A Naam van het product: het type van halfgeleidertriode
De dissipatie van de collectormacht: 2w Type: Triodetransistor
Hoog licht:

uiteinde pnp transistor

,

hoge machts pnp transistor

Aan-220-3L plastic-kapselen Transistors3dd13003 TRANSISTOR (NPN) in

 

EIGENSCHAP
 

· de toepassingen van de machtsomschakeling

 

 

MAXIMUMclassificaties (Teen =25 Š tenzij anders vermeld)

 

Symbool Parameter Waarde Eenheid
VCBO Collector-Base Voltage 700 V
VCEO Collector-zender Voltage 400 V
VEBO Emitter-Base Voltage 9 V
IC Ononderbroken collectorstroom - 1.5 A
PC De Dissipatie van de collectormacht 2 W
TJ Verbindingstemperatuur 150 ℃
Tstg Opslagtemperatuur -55~150 ℃

 

 

 

 


ELEKTROkenmerken

 

 

Ta =25 Š tenzij anders gespecificeerd


 

Ta =25 Š tenzij anders gespecificeerd

Parameter

Symbool

S ymbol

 Beproevingsomstandigheden Min Type Maximum Eenheid
Collector-base analysevoltage V (BR) CBO IC =5MA, D.W.Z. =0 700     V
Collector-zender analysevoltage V (BR) CEO IC=10mA, IB=0 400     V
Emitter-base analysevoltage V (BR) EBO D.W.Z. =2MA, IC=0 9     V
De collector sneed stroom af ICBO VCB=700V, D.W.Z. =0     1 mA
De collector sneed stroom af ICEO VCE=400V, IB=0     0,5 mA
De zender sneed stroom af IEBO VEB=9V, IC=0     1 mA

 

De huidige aanwinst van gelijkstroom

 hFE1 VCE=5V, IC= 0,5 A 8   40  
  hFE2 VCE=5V, IC= 1.5A 5      
Collector-zender verzadigingsvoltage (Gezeten) VCE IC=1A, IB=0.25A     0,6 V
Base-emitter verzadigingsvoltage (Gezeten) VBE IC=1A, IB=0.25A     1.2 V
Overgangsfrequentie FT VCE=10V, Ic=100mA, F =1MHz 5     Mhz
Dalingstijd tF IC=1A, IB1=-IB2=0.2A, VCC=100V     0,5 µs
Opslagtijd tS IC=250mA (UI9600) 2   4 μs

 

 

CLASSIFICATIE VAN hFE1

Waaier 8-10 10-15 15-20 20-25 25-30 30-35 35-40

 

CLASSIFICATIE VAN tS

 

Rang A1 A2 B1 B2
Waaier 2-2.5 (μs) 2.5-3 (μs) 3-3.5 (μs) 3.5-4 (μs 

 
 

 

Aan-92 de Dimensies van het pakketoverzicht

 

Symbool Afmetingen in Millimeter Afmetingen in Duim
  Min Maximum Min Maximum
A 4,470 4,670 0,176 0,184
A1 2,520 2,820 0,099 0,111
B 0,710 0,910 0,028 0,036
b1 1,170 1,370 0,046 0,054
c 0,310 0,530 0,012 0,021
c1 1,170 1,370 0,046 0,054
D 10,010 10,310 0,394 0,406
E 8,500 8,900 0,335 0,350
E1 12,060 12,460 0,475 0,491
e 2.540 TYPE TYPE 0,100
e1 4,980 5,180 0,196 0,204
F 2,590 2,890 0,102 0,114
h 0,000 0,300 0,000 0,012
L 13,400 13,800 0,528 0,543
L1 3,560 3,960 0,140 0,156
Φ 3,735 3,935 0,147 0,155

 

 

De Transistorkring van 3DD13003 NPN, NPN-van de de Collectorzender van de Machtstransistor het Voltage 400V 0

 

 

label:

hoge machts pnp transistor,

de transistors van de uiteindereeks,

uiteinde pnp transistor

Contactgegevens
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Contactpersoon: David

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)

Over

mosfet machtstransistor

HXY4616 de Transistor van het logicaniveau, Bijkomende MOSFET van de Hoogspanningstransistor 30V

HXY4616 Mosfet de Hoogspanning VDS 40V VGS ±20v van de Machtstransistor ±20v VGS

Mosfet van 20G04S 40V van de het Kanaalverhoging van de Machtstransistor N+P de Wijzemosfet

LAAT BERICHT ACHTER

Privacybeleid | China Goed Kwaliteit mosfet machtstransistor Leverancier. © 2019 - 2022 mosfet-powertransistor.com. All Rights Reserved.

Laat een bericht achter

We bellen je snel terug!