Thuis Productenmosfet machtstransistor

Mosfet van 10A 100V Machtstransistor AP10N10DY voor Omschakelingsvoedingen

Certificaat
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaten
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaten
Klantenoverzichten
wij samenwerking met Hua Xuan Yang zijn grotendeels toe te schrijven aan hun professionalisme, hun scherpe reactie op de aanpassing van de producten die wij, de regeling van al onze behoeften en, vooral, zij voorziening van de kwaliteitsdiensten hebben gewenst.

—— — — Jason van Canada

In het kader van de aanbeveling van mijn vriend, zijn wij van Hua Xuan Yang, een hogere deskundige in de halfgeleider en de elektronische componentenindustrie op de hoogte, die ons heeft toegelaten om onze kostbare tijd te verminderen en niet poging moeten wagen andere fabrieken.

—— — — Виктор van Rusland

Ik ben online Chatten Nu

Mosfet van 10A 100V Machtstransistor AP10N10DY voor Omschakelingsvoedingen

Mosfet van 10A 100V Machtstransistor AP10N10DY voor Omschakelingsvoedingen
Mosfet van 10A 100V Machtstransistor AP10N10DY voor Omschakelingsvoedingen Mosfet van 10A 100V Machtstransistor AP10N10DY voor Omschakelingsvoedingen Mosfet van 10A 100V Machtstransistor AP10N10DY voor Omschakelingsvoedingen

Grote Afbeelding :  Mosfet van 10A 100V Machtstransistor AP10N10DY voor Omschakelingsvoedingen

Productdetails:
Plaats van herkomst: Shenzhen China
Merknaam: Hua Xuan Yang
Certificering: RoHS、SGS
Modelnummer: AP10N10DY
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: onderhandelingen
Prijs: Negotiated
Verpakking Details: In dozen gedaan
Levertijd: 1 - 2 weken
Betalingscondities: L/C T/T Western Union
Levering vermogen: 18,000,000PCS/per Dag

Mosfet van 10A 100V Machtstransistor AP10N10DY voor Omschakelingsvoedingen

beschrijving
Naam van het product: mosfet machtstransistor model: AP10N10DY
Pak: Aan-252-3 Het merken: AP10N10D XXX YYYY
VDSDrain-bronvoltage: 100V Rce Voltage VGSGate-Sou: ±20A
Hoog licht:

n kanaalmosfet transistor

,

hoogspanningstransistor

Mosfet van 10A 100V Machtstransistor AP10N10DY voor Omschakelingsvoedingen

 

Mosfet de Beschrijving van de Machtstransistor:

 

AP10N10D/Y gebruikt geavanceerde geultechnologie en
ontwerp om uitstekende RDS () van lage poortlast te voorzien.
Het kan in een grote verscheidenheid van toepassingen worden gebruikt.

 

Mosfet de Eigenschappen van de Machtstransistor

 

VDS = 100V, identiteitskaart = 10A
Hoog RDS ( <160m> ) RDS ( <170m> ) - het ontwerp van de dichtheidscel voor ultra lage Rdson
Volledig gekenmerkte lawinevoltage en stroom
Uitstekend pakket voor goede hittedissipatie

 

Mosfet de Toepassing van de Machtstransistor

 

De toepassing van de machtsomschakeling
Hard geschakelde en hoge frequentiekringen
Noodvoeding

 

Pakket die en tot Informatie merken opdracht geven

 

 

Product-id Pak Het merken Qty (PCs)
AP10N10D Aan-252-3 AP10N10D XXX YYYY 2500
AP10N10Y Aan-251-3 AP10N10Y XXX YYYY 4000

 

Absolute Maximumclassificaties (anders genoteerd T A =25℃unless)

 

Parameter Symbool Grens Eenheid
Afvoerkanaal-bronvoltage VDS 100 V
Poort-bronvoltage VGS ±20 V
Huidig-Ononderbroken afvoerkanaal Identiteitskaart 10 A
Huidig-Gepulseerd afvoerkanaal (Nota 1) IDM 20 A
Maximummachtsdissipatie PD 40 W
Werkende Verbinding en Opslagtemperatuurwaaier TJ, TSTG -55 tot 175
Thermische Weerstand, verbinding-aan-Geval (Nota 2) RθJC 3.75 ℃/W

Elektrokenmerken (anders genoteerd Ta =25℃unless)

 

Parameter Symbool Voorwaarde Min Type Maximum Eenheid
Afvoerkanaal-bronanalysevoltage BVDSS VGS=0V ID=250μA 100 - - V
Nul het Afvoerkanaalstroom van het Poortvoltage IDSS VDS=100V, VGS=0V - - 1 μA
Poort-lichaam Lekkagestroom IGSS VGS=±12V, VDS=0V - - ±100 Na
Het Voltage van de poortdrempel VGS (Th) VDS=VGS, ID=250 μA 1.0   2.5 V

 

Weerstand de afvoerkanaal-bron van de op-Staat

 

RDS ()

VGS=10V, ID=3A - 140 160

 

mΩ

VGS=4.5V, ID=3A - 160 170
Voorwaartse Transconductance gFS VDS=5V, ID=3A - 5 - S
Inputcapacitieve weerstand Clss

 

VDS=50V, VGS=0V, F=1.0MHz

- 650 - PF
Outputcapacitieve weerstand Coss - 25 - PF
Omgekeerde Overdrachtcapacitieve weerstand Crss - 20 - PF
De Tijd van de inschakelenvertraging td ()   - 6 - NS
De Tijd van de inschakelenstijging

r

t

- 4 - NS
De Tijd van de productvertraging td (weg) - 20 - NS
De Tijd van de productdaling

F

t

- 4 - NS
Totale Poortlast Qg

 

VDS=50V, ID=3A,

- 20.6   nC
Poort-bronlast Qgs - 2.1 - nC
Poort-afvoerkanaal Last Qgd - 3.3 - nC
Diode Voorwaarts Voltage (Nota 3) VSD VGS=0V, IS=3A - - 1.2 V
Diode Voorwaartse Stroom (Nota 2)

S

I

  - - 7 A
Parameter Symbool Voorwaarde Min Type Maximum Eenheid
Afvoerkanaal-bronanalysevoltage BVDSS VGS=0V ID=250μA 100 - - V
Nul het Afvoerkanaalstroom van het Poortvoltage IDSS VDS=100V, VGS=0V - - 1 μA
Poort-lichaam Lekkagestroom IGSS VGS=±12V, VDS=0V - - ±100 Na
Het Voltage van de poortdrempel VGS (Th) VDS=VGS, ID=250 μA 1.0   2.5 V

 

Weerstand de afvoerkanaal-bron van de op-Staat

 

RDS ()

VGS=10V, ID=3A - 140 160

 

mΩ

VGS=4.5V, ID=3A - 160 170
Voorwaartse Transconductance gFS VDS=5V, ID=3A - 5 - S
Inputcapacitieve weerstand Clss

 

VDS=50V, VGS=0V, F=1.0MHz

- 650 - PF
Outputcapacitieve weerstand Coss - 25 - PF
Omgekeerde Overdrachtcapacitieve weerstand Crss - 20 - PF
De Tijd van de inschakelenvertraging td () VDD=50V, RL=19Ω
VGS=10V, RG=3Ω
- 6 - NS
De Tijd van de inschakelenstijging

r

t

- 4 - NS
De Tijd van de productvertraging td (weg) - 20 - NS
De Tijd van de productdaling

F

t

- 4 - NS
Totale Poortlast Qg

 

VDS=50V, ID=3A,

- 20.6   nC
Poort-bronlast Qgs - 2.1 - nC
Poort-afvoerkanaal Last Qgd - 3.3 - nC
Diode Voorwaarts Voltage (Nota 3) VSD VGS=0V, IS=3A VGS=10V - - 1.2 V
Diode Voorwaartse Stroom (Nota 2)

S

I

  - - 7 A

 

Nota's:

 

1. Herhaalde Classificatie: Impulsbreedte door maximumverbindingstemperatuur die wordt beperkt.

2. Oppervlakte Opgezet op FR4-Raad, t ≤ 10 seconden.

3. Impulstest: Impulsbreedte ≤ 300μs, Plichtscyclus ≤ 2%.

4. Met opzet gewaarborgd, niet onderworpen aan productie

 

Aandacht

 

1, om het even welk en alle APM-hierin beschreven of bevatte Micro-elektronicaproducten hebben geen specificaties die toepassingen kunnen behandelen die uiterst hoge niveaus van betrouwbaarheid, zoals het levenssteunregelingen, aircraft controlesystemen, of andere toepassingen vereisen de waarvan mislukking redelijk kan worden verwacht om in ernstige fysieke en/of materiële schade te resulteren. Raadpleeg uw APM-Micro-elektronica representatieve het meest dichtbijgelegen u alvorens om het even welke die APM-Micro-elektronicaproducten of te gebruiken hierin in dergelijke toepassingen worden beschreven.

2, APM-Micro-elektronica veronderstellen geen verantwoordelijkheid voor materiaalmislukkingen dat resultaat van het gebruiken van producten bij waarden die, zelfs snel voorbijgaand, geschatte waarden (zoals maximumclassificaties, exploitatievoorwaardewaaiers, of andere die parameters) in productenspecificaties van om het even welk en alle APM-hierin beschreven worden vermeld of bevatte Micro-elektronicaproducten overschrijden.

3, de Specificaties van om het even welk en alle APM-Micro-elektronicaproducten beschreven of bevatten instipulate hier de prestaties, de kenmerken, en de functies van de beschreven producten in de onafhankelijke staat, en zijn geen waarborgen van de prestaties, de kenmerken, en de functies van de beschreven producten zoals opgezet in het de producten of materiaal van de klant. Om symptomen en staten te verifiëren die niet in een onafhankelijk apparaat kunnen worden geëvalueerd, zou de klant apparaten evalueren en altijd moeten testen opgezet in het de producten of materiaal van de klant.

4, APM-Co. van de Micro-elektronicahalfgeleider, Ltd streven ernaar om hoogte te leveren - producten van de kwaliteits de hoge betrouwbaarheid. Nochtans, ontbreken om het even welk en alle halfgeleiderproducten met wat waarschijnlijkheid. Het is mogelijk dat deze probabilistic mislukkingen tot ongevallen of gebeurtenissen konden leiden die mensenlevens konden in gevaar brengen die tot rook of brand konden leiden, of die schade aan ander bezit konden veroorzaken. Het Whendesigningsmateriaal, keurt veiligheidsmaatregelen goed zodat deze soorten ongevallen of gebeurtenissen niet kunnen voorkomen. Dergelijke maatregelen omvatten maar zijn niet beperkt tot beschermende kringen en de kringen van de foutenpreventie voor veilig ontwerp, overtollig ontwerp, en structureel ontwerp.

5, in het geval dat om het even welk of alle APM-hierin beschreven of bevatte Micro-elektronicaproducten (met inbegrip van technische gegevens, de diensten) in het kader van om het even welk van toepasselijke lokale uitvoercontrolewetten en verordeningen worden gecontroleerd, dergelijke producten moeten niet worden uitgevoerd zonder de de uitvoervergunning uit de autoriteiten te verkrijgen betrokken overeenkomstig de bovengenoemde wet.

6, Geen deel van deze publicatie kunnen in om het even welke vorm of op om het even welke manier, elektronisch of mechanisch, met inbegrip van het fotokopiëren van en het registreren, of om het even welk informatieopslag of herwinningssysteem, of anders, zonder de vroegere geschreven toestemming van APM-Co. van de Micro-elektronicahalfgeleider, Ltd worden gereproduceerd of worden overgebracht.

7, Informatie (met inbegrip van schakelschema's en kringsparameters) zijn hierin bijvoorbeeld slechts; het is niet gewaarborgd voor volumeproductie. APM-de Micro-elektronica gelooft de informatie hierin nauwkeurig en betrouwbaar is, maar geen waarborgen worden gemaakt of betreffende zijn gebruik of om het even welke overtredingen van intellectuele-eigendomsrechten of andere rechten van derde partijen gemaakt.

8, hierin beschreven of bevatte om het even welk en al informatie zijn voor wijzigingen vatbare zonder voorafgaande kennisgeving toe te schrijven aan product/de technologieverbetering, enz. Wanneer het ontwerpen van materiaal, verwijs naar de „Leveringsspecificatie“ voor het APM-Micro-elektronicaproduct dat u van plan bent te gebruiken.

 

Contactgegevens
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Contactpersoon: David

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)

Laat een bericht achter

We bellen je snel terug!