Thuis Productenmosfet machtstransistor

Originele Bijkomende Machtstransistors/Gebiedseffect Transistor AP5N10LI

Certificaat
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaten
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaten
Klantenoverzichten
wij samenwerking met Hua Xuan Yang zijn grotendeels toe te schrijven aan hun professionalisme, hun scherpe reactie op de aanpassing van de producten die wij, de regeling van al onze behoeften en, vooral, zij voorziening van de kwaliteitsdiensten hebben gewenst.

—— — — Jason van Canada

In het kader van de aanbeveling van mijn vriend, zijn wij van Hua Xuan Yang, een hogere deskundige in de halfgeleider en de elektronische componentenindustrie op de hoogte, die ons heeft toegelaten om onze kostbare tijd te verminderen en niet poging moeten wagen andere fabrieken.

—— — — Виктор van Rusland

Ik ben online Chatten Nu

Originele Bijkomende Machtstransistors/Gebiedseffect Transistor AP5N10LI

Originele Bijkomende Machtstransistors/Gebiedseffect Transistor AP5N10LI
Originele Bijkomende Machtstransistors/Gebiedseffect Transistor AP5N10LI Originele Bijkomende Machtstransistors/Gebiedseffect Transistor AP5N10LI Originele Bijkomende Machtstransistors/Gebiedseffect Transistor AP5N10LI

Grote Afbeelding :  Originele Bijkomende Machtstransistors/Gebiedseffect Transistor AP5N10LI

Productdetails:
Plaats van herkomst: Shenzhen China
Merknaam: Hua Xuan Yang
Certificering: RoHS、SGS
Modelnummer: AP5N10LI
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: onderhandelingen
Prijs: Negotiated
Verpakking Details: In dozen gedaan
Levertijd: 1 - 2 weken
Betalingscondities: L/C T/T Western Union
Levering vermogen: 18,000,000PCS/per Dag

Originele Bijkomende Machtstransistors/Gebiedseffect Transistor AP5N10LI

beschrijving
Naam van het product: Bijkomende Machtstransistors model: AP5N10LI
Het merken: MA6S Pak: SOT23
VDSDrain-bronvoltage: 100V Rce Voltage VGSGate-Sou: ±20A
Hoog licht:

n kanaalmosfet transistor

,

hoogspanningstransistor

Originele Bijkomende Machtstransistors/Gebiedseffect Transistor AP5N10LI

 

De bijkomende Beschrijving van Machtstransistors

 

AP5N10LI gebruikt geavanceerde geultechnologie om uitstekend R DS (), lage poortlast en verrichting met poortvoltages zo te verstrekken laag zoals 4.5V. Dit apparaat is geschikt voor gebruik als Batterijbescherming of in andere Omschakelingstoepassing.

 

De bijkomende Eigenschappen van Machtstransistors

 

VDS= 100V I D = 5A

 

RDS () < 140m="">

Batterijbescherming

 

Ladingsschakelaar

Noodvoeding

 

Pakket die en tot Informatie merken opdracht geven

 

Product-id Pak Het merken Qty (PCs)
AP5N10LI Sot23-6 MA6S 3000

 

Absolute Maximumclassificaties bij Tj=25℃ tenzij anders vermeld

 

Parameter Symbool Waarde Eenheid
Afvoerkanaal bronvoltage VDS 100 V
Poort bronvoltage VGS ±20 V
Ononderbroken afvoerkanaalstroom, TC=25 ℃ Identiteitskaart 5 A
Gepulseerde afvoerkanaalstroom, TC =25 ℃ Identiteitskaart, impuls 15 A
Machtsdissipatie, T C=25 ℃

P

D

17 W
Kies gepulseerde lawineenergie uit 5) EAS 1.2 mJ
Verrichting en opslagtemperatuur Tstg, Tj -55 tot 150
Thermische weerstand, verbinding-geval RθJC 7.4 ℃/W
Thermische weerstand, verbinding-ambient4) RθJA 62 ℃/W

 

Elektrokenmerken bij N-Channel van T AP5N10LI 100V MOSFET j=25 ℃ van de Verhogingswijze tenzij anders gespecificeerd

 

Symbool Parameter Beproevingsomstandigheid Min. Type. Max. Eenheid
BVDSS Afvoerkanaal-bronanalysevoltage V =0 V, ID=250 ΜA 100     V
VGS (Th) Het voltage van de poortdrempel V =V, ID=250 μA 1.2 1.5 2.5 V
RDS () Weerstand de afvoerkanaal-bron van de op-staat VGS=10 V, ID=5 A   110 140
RDS () Weerstand de afvoerkanaal-bron van de op-staat V =4.5 V, ID=3 A   160 180

 

IGSS

 

Poort-bronlekkagestroom

V =20 V     100

 

Na

V =-20 V     -100
IDSS Afvoerkanaal-bronlekkagestroom VDS=100 V, VGS=0 V     1 RE
Ciss Inputcapacitieve weerstand V =0 V,   206.1   pF
Coss Outputcapacitieve weerstand   28.9   pF
Crss Omgekeerde overdrachtcapacitieve weerstand   1.4   pF
td () De tijd van de inschakelenvertraging

VGS=10 V,

VDS=50 V,

  14.7   NS
RT Stijgingstijd   3.5   NS
td (weg) De tijd van de productvertraging   20.9   NS

t

F

Dalingstijd   2.7   NS
Qg Totale poortlast     4.3   nC
Qgs Poort-bronlast   1.5   nC
Qgd Poort-afvoerkanaal last   1.1   nC
Vplateau Het voltage van het poortplateau   5.0   V
IS De diode door:sturen stroom

 

VGS

    7

 

A

ISP Gepulseerde bronstroom     21
VSD De diode door:sturen voltage IS=7 A, VGS=0 V     1.0 V

t

rr

Omgekeerde terugwinningstijd     32.1   NS
Qrr Omgekeerde terugwinningslast   39.4   nC
Irrm Piek omgekeerde terugwinningsstroom   2.1   A
Symbool Parameter Beproevingsomstandigheid Min. Type. Max. Eenheid
BVDSS Afvoerkanaal-bronanalysevoltage V =0 V, ID=250 ΜA 100     V
VGS (Th) Het voltage van de poortdrempel V =V, ID=250 μA 1.2 1.5 2.5 V
RDS () Weerstand de afvoerkanaal-bron van de op-staat VGS=10 V, ID=5 A   110 140
RDS () Weerstand de afvoerkanaal-bron van de op-staat V =4.5 V, ID=3 A   160 180

 

IGSS

 

Poort-bronlekkagestroom

V =20 V     100

 

Na

V =-20 V     -100
IDSS Afvoerkanaal-bronlekkagestroom VDS=100 V, VGS=0 V     1 RE
Ciss Inputcapacitieve weerstand V =0 V,   206.1   pF
Coss Outputcapacitieve weerstand   28.9   pF
Crss Omgekeerde overdrachtcapacitieve weerstand   1.4   pF
td () De tijd van de inschakelenvertraging

VGS=10 V,

VDS=50 V,

  14.7   NS
RT Stijgingstijd   3.5   NS
td (weg) De tijd van de productvertraging   20.9   NS

t

F

Dalingstijd   2.7   NS
Qg Totale poortlast     4.3   nC
Qgs Poort-bronlast   1.5   nC
Qgd Poort-afvoerkanaal last   1.1   nC
Vplateau Het voltage van het poortplateau   5.0   V
IS De diode door:sturen stroom

 

VGS

    7

 

A

ISP Gepulseerde bronstroom     21
VSD De diode door:sturen voltage IS=7 A, VGS=0 V     1.0 V

t

rr

Omgekeerde terugwinningstijd     32.1   NS
Qrr Omgekeerde terugwinningslast   39.4   nC
Irrm Piek omgekeerde terugwinningsstroom   2.1   A

 

Nota

 

1) Berekende ononderbroken stroom die op maximum wordt gebaseerd - toelaatbare verbindingstemperatuur.

2) Herhaalde classificatie; impulsbreedte die door max. verbindingstemperatuur wordt beperkt.

3) Pd is gebaseerd op max. verbindingstemperatuur, die verbinding-geval thermische weerstand gebruiken.

4) De waarde van RθJA wordt gemeten met het apparaat opgezet op 1 in raad 2 Fr-4 met 2oz. Koper, in een stil luchtmilieu met T een =25 °C. 5) VDD=50 V, RG=50 Ω, L=0.3 MH, aanvang Tj=25 °C.

 

Originele Bijkomende Machtstransistors/Gebiedseffect Transistor AP5N10LI 0

Aandacht

 

1, om het even welk en alle APM-hierin beschreven of bevatte Micro-elektronicaproducten hebben geen specificaties die toepassingen kunnen behandelen die uiterst hoge niveaus van betrouwbaarheid, zoals het levenssteunregelingen, aircraft controlesystemen, of andere toepassingen vereisen de waarvan mislukking redelijk kan worden verwacht om in ernstige fysieke en/of materiële schade te resulteren. Raadpleeg uw APM-Micro-elektronica representatieve het meest dichtbijgelegen u alvorens om het even welke APM-Micro-elektronicaproducten die of te gebruiken hierin in dergelijke toepassingen worden beschreven.

2, APM-Micro-elektronica veronderstellen geen verantwoordelijkheid voor materiaalmislukkingen dat resultaat van het gebruiken van producten bij waarden die, zelfs snel voorbijgaand, geschatte waarden (zoals maximumclassificaties, exploitatievoorwaardewaaiers, of andere parameters) die in productenspecificaties van om het even welk en alle APM-hierin beschreven worden vermeld of bevatte Micro-elektronicaproducten overschrijden.

3, de Specificaties van om het even welk en alle APM-Micro-elektronicaproducten beschreven of bevatten instipulate hier de prestaties, de kenmerken, en de functies van de beschreven producten in de onafhankelijke staat, en zijn geen waarborgen van de prestaties, de kenmerken, en de functies van de beschreven producten zoals opgezet in het de producten of materiaal van de klant. Om symptomen en staten te verifiëren die niet in een onafhankelijk apparaat kunnen worden geëvalueerd, zou de klant apparaten evalueren en altijd moeten testen opgezet in het de producten of materiaal van de klant.

4, APM-Co. van de Micro-elektronicahalfgeleider, Ltd streven ernaar om hoogte te leveren - producten van de kwaliteits de hoge betrouwbaarheid. Nochtans, ontbreken om het even welk en alle halfgeleiderproducten met wat waarschijnlijkheid. Het is mogelijk dat deze probabilistic mislukkingen tot ongevallen of gebeurtenissen konden leiden die mensenlevens konden in gevaar brengen die tot rook of brand konden leiden, of die schade aan ander bezit konden veroorzaken. Het Whendesigningsmateriaal, keurt veiligheidsmaatregelen goed zodat deze soorten ongevallen of gebeurtenissen niet kunnen voorkomen. Dergelijke maatregelen omvatten maar zijn niet beperkt tot beschermende kringen en de kringen van de foutenpreventie voor veilig ontwerp, overtollig ontwerp, en structureel ontwerp.

5, in het geval dat om het even welk of alle APM-hierin beschreven of bevatte Micro-elektronicaproducten (met inbegrip van technische gegevens, de diensten) in het kader van om het even welk van toepasselijke lokale uitvoercontrolewetten en verordeningen worden gecontroleerd, dergelijke producten moeten niet worden uitgevoerd zonder de de uitvoervergunning uit de autoriteiten te verkrijgen betrokken overeenkomstig de bovengenoemde wet.

6, Geen deel van deze publicatie kunnen in om het even welke vorm of op om het even welke manier, elektronisch of mechanisch, met inbegrip van het fotokopiëren van en het registreren, of om het even welk informatieopslag of herwinningssysteem, of anders, zonder de vroegere geschreven toestemming van APM-Co. van de Micro-elektronicahalfgeleider, Ltd worden gereproduceerd of worden overgebracht.

7, Informatie (met inbegrip van schakelschema's en kringsparameters) zijn hierin bijvoorbeeld slechts; het is niet gewaarborgd voor volumeproductie. APM-de Micro-elektronica gelooft de informatie hierin nauwkeurig en betrouwbaar is, maar geen waarborgen worden gemaakt of betreffende zijn gebruik of om het even welke overtredingen van intellectuele-eigendomsrechten of andere rechten van derde partijen gemaakt.

, Hierin beschreven of bevatte zijn om het even welk en al informatie voor wijzigingen vatbare zonder voorafgaande kennisgeving toe te schrijven aan product/de technologieverbetering, enz. Wanneer het ontwerpen van materiaal, verwijs naar de „Leveringsspecificatie“ voor het APM-Micro-elektronicaproduct dat u van plan bent te gebruiken.

 

Contactgegevens
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Contactpersoon: David

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)

Laat een bericht achter

We bellen je snel terug!