|
Productdetails:
|
Naam van het product: | Bijkomende Machtstransistors | model: | AP5N10LI |
---|---|---|---|
Het merken: | MA6S | Pak: | SOT23 |
VDSDrain-bronvoltage: | 100V | Rce Voltage VGSGate-Sou: | ±20A |
Hoog licht: | n kanaalmosfet transistor,hoogspanningstransistor |
Originele Bijkomende Machtstransistors/Gebiedseffect Transistor AP5N10LI
De bijkomende Beschrijving van Machtstransistors
AP5N10LI gebruikt geavanceerde geultechnologie om uitstekend R DS (), lage poortlast en verrichting met poortvoltages zo te verstrekken laag zoals 4.5V. Dit apparaat is geschikt voor gebruik als Batterijbescherming of in andere Omschakelingstoepassing.
De bijkomende Eigenschappen van Machtstransistors
VDS= 100V I D = 5A
RDS () < 140m="">
Batterijbescherming
Ladingsschakelaar
Noodvoeding
Pakket die en tot Informatie merken opdracht geven
Product-id | Pak | Het merken | Qty (PCs) |
AP5N10LI | Sot23-6 | MA6S | 3000 |
Absolute Maximumclassificaties bij Tj=25℃ tenzij anders vermeld
Parameter | Symbool | Waarde | Eenheid |
Afvoerkanaal bronvoltage | VDS | 100 | V |
Poort bronvoltage | VGS | ±20 | V |
Ononderbroken afvoerkanaalstroom, TC=25 ℃ | Identiteitskaart | 5 | A |
Gepulseerde afvoerkanaalstroom, TC =25 ℃ | Identiteitskaart, impuls | 15 | A |
Machtsdissipatie, T C=25 ℃ |
P D |
17 | W |
Kies gepulseerde lawineenergie uit 5) | EAS | 1.2 | mJ |
Verrichting en opslagtemperatuur | Tstg, Tj | -55 tot 150 | ℃ |
Thermische weerstand, verbinding-geval | RθJC | 7.4 | ℃/W |
Thermische weerstand, verbinding-ambient4) | RθJA | 62 | ℃/W |
Elektrokenmerken bij N-Channel van T AP5N10LI 100V MOSFET j=25 ℃ van de Verhogingswijze tenzij anders gespecificeerd
Symbool | Parameter | Beproevingsomstandigheid | Min. | Type. | Max. | Eenheid |
BVDSS | Afvoerkanaal-bronanalysevoltage | V =0 V, ID=250 ΜA | 100 | V | ||
VGS (Th) | Het voltage van de poortdrempel | V =V, ID=250 μA | 1.2 | 1.5 | 2.5 | V |
RDS () | Weerstand de afvoerkanaal-bron van de op-staat | VGS=10 V, ID=5 A | 110 | 140 | mΩ | |
RDS () | Weerstand de afvoerkanaal-bron van de op-staat | V =4.5 V, ID=3 A | 160 | 180 | mΩ | |
IGSS |
Poort-bronlekkagestroom |
V =20 V | 100 |
Na |
||
V =-20 V | -100 | |||||
IDSS | Afvoerkanaal-bronlekkagestroom | VDS=100 V, VGS=0 V | 1 | RE | ||
Ciss | Inputcapacitieve weerstand | V =0 V, | 206.1 | pF | ||
Coss | Outputcapacitieve weerstand | 28.9 | pF | |||
Crss | Omgekeerde overdrachtcapacitieve weerstand | 1.4 | pF | |||
td () | De tijd van de inschakelenvertraging |
VGS=10 V, VDS=50 V, |
14.7 | NS | ||
RT | Stijgingstijd | 3.5 | NS | |||
td (weg) | De tijd van de productvertraging | 20.9 | NS | |||
t F |
Dalingstijd | 2.7 | NS | |||
Qg | Totale poortlast | 4.3 | nC | |||
Qgs | Poort-bronlast | 1.5 | nC | |||
Qgd | Poort-afvoerkanaal last | 1.1 | nC | |||
Vplateau | Het voltage van het poortplateau | 5.0 | V | |||
IS | De diode door:sturen stroom |
VGS |
7 |
A |
||
ISP | Gepulseerde bronstroom | 21 | ||||
VSD | De diode door:sturen voltage | IS=7 A, VGS=0 V | 1.0 | V | ||
t rr |
Omgekeerde terugwinningstijd | 32.1 | NS | |||
Qrr | Omgekeerde terugwinningslast | 39.4 | nC | |||
Irrm | Piek omgekeerde terugwinningsstroom | 2.1 | A |
Symbool | Parameter | Beproevingsomstandigheid | Min. | Type. | Max. | Eenheid |
BVDSS | Afvoerkanaal-bronanalysevoltage | V =0 V, ID=250 ΜA | 100 | V | ||
VGS (Th) | Het voltage van de poortdrempel | V =V, ID=250 μA | 1.2 | 1.5 | 2.5 | V |
RDS () | Weerstand de afvoerkanaal-bron van de op-staat | VGS=10 V, ID=5 A | 110 | 140 | mΩ | |
RDS () | Weerstand de afvoerkanaal-bron van de op-staat | V =4.5 V, ID=3 A | 160 | 180 | mΩ | |
IGSS |
Poort-bronlekkagestroom |
V =20 V | 100 |
Na |
||
V =-20 V | -100 | |||||
IDSS | Afvoerkanaal-bronlekkagestroom | VDS=100 V, VGS=0 V | 1 | RE | ||
Ciss | Inputcapacitieve weerstand | V =0 V, | 206.1 | pF | ||
Coss | Outputcapacitieve weerstand | 28.9 | pF | |||
Crss | Omgekeerde overdrachtcapacitieve weerstand | 1.4 | pF | |||
td () | De tijd van de inschakelenvertraging |
VGS=10 V, VDS=50 V, |
14.7 | NS | ||
RT | Stijgingstijd | 3.5 | NS | |||
td (weg) | De tijd van de productvertraging | 20.9 | NS | |||
t F |
Dalingstijd | 2.7 | NS | |||
Qg | Totale poortlast | 4.3 | nC | |||
Qgs | Poort-bronlast | 1.5 | nC | |||
Qgd | Poort-afvoerkanaal last | 1.1 | nC | |||
Vplateau | Het voltage van het poortplateau | 5.0 | V | |||
IS | De diode door:sturen stroom |
VGS |
7 |
A |
||
ISP | Gepulseerde bronstroom | 21 | ||||
VSD | De diode door:sturen voltage | IS=7 A, VGS=0 V | 1.0 | V | ||
t rr |
Omgekeerde terugwinningstijd | 32.1 | NS | |||
Qrr | Omgekeerde terugwinningslast | 39.4 | nC | |||
Irrm | Piek omgekeerde terugwinningsstroom | 2.1 | A |
Nota
1) Berekende ononderbroken stroom die op maximum wordt gebaseerd - toelaatbare verbindingstemperatuur.
2) Herhaalde classificatie; impulsbreedte die door max. verbindingstemperatuur wordt beperkt.
3) Pd is gebaseerd op max. verbindingstemperatuur, die verbinding-geval thermische weerstand gebruiken.
4) De waarde van RθJA wordt gemeten met het apparaat opgezet op 1 in raad 2 Fr-4 met 2oz. Koper, in een stil luchtmilieu met T een =25 °C. 5) VDD=50 V, RG=50 Ω, L=0.3 MH, aanvang Tj=25 °C.
Aandacht
1, om het even welk en alle APM-hierin beschreven of bevatte Micro-elektronicaproducten hebben geen specificaties die toepassingen kunnen behandelen die uiterst hoge niveaus van betrouwbaarheid, zoals het levenssteunregelingen, aircraft controlesystemen, of andere toepassingen vereisen de waarvan mislukking redelijk kan worden verwacht om in ernstige fysieke en/of materiële schade te resulteren. Raadpleeg uw APM-Micro-elektronica representatieve het meest dichtbijgelegen u alvorens om het even welke APM-Micro-elektronicaproducten die of te gebruiken hierin in dergelijke toepassingen worden beschreven.
2, APM-Micro-elektronica veronderstellen geen verantwoordelijkheid voor materiaalmislukkingen dat resultaat van het gebruiken van producten bij waarden die, zelfs snel voorbijgaand, geschatte waarden (zoals maximumclassificaties, exploitatievoorwaardewaaiers, of andere parameters) die in productenspecificaties van om het even welk en alle APM-hierin beschreven worden vermeld of bevatte Micro-elektronicaproducten overschrijden.
3, de Specificaties van om het even welk en alle APM-Micro-elektronicaproducten beschreven of bevatten instipulate hier de prestaties, de kenmerken, en de functies van de beschreven producten in de onafhankelijke staat, en zijn geen waarborgen van de prestaties, de kenmerken, en de functies van de beschreven producten zoals opgezet in het de producten of materiaal van de klant. Om symptomen en staten te verifiëren die niet in een onafhankelijk apparaat kunnen worden geëvalueerd, zou de klant apparaten evalueren en altijd moeten testen opgezet in het de producten of materiaal van de klant.
4, APM-Co. van de Micro-elektronicahalfgeleider, Ltd streven ernaar om hoogte te leveren - producten van de kwaliteits de hoge betrouwbaarheid. Nochtans, ontbreken om het even welk en alle halfgeleiderproducten met wat waarschijnlijkheid. Het is mogelijk dat deze probabilistic mislukkingen tot ongevallen of gebeurtenissen konden leiden die mensenlevens konden in gevaar brengen die tot rook of brand konden leiden, of die schade aan ander bezit konden veroorzaken. Het Whendesigningsmateriaal, keurt veiligheidsmaatregelen goed zodat deze soorten ongevallen of gebeurtenissen niet kunnen voorkomen. Dergelijke maatregelen omvatten maar zijn niet beperkt tot beschermende kringen en de kringen van de foutenpreventie voor veilig ontwerp, overtollig ontwerp, en structureel ontwerp.
5, in het geval dat om het even welk of alle APM-hierin beschreven of bevatte Micro-elektronicaproducten (met inbegrip van technische gegevens, de diensten) in het kader van om het even welk van toepasselijke lokale uitvoercontrolewetten en verordeningen worden gecontroleerd, dergelijke producten moeten niet worden uitgevoerd zonder de de uitvoervergunning uit de autoriteiten te verkrijgen betrokken overeenkomstig de bovengenoemde wet.
6, Geen deel van deze publicatie kunnen in om het even welke vorm of op om het even welke manier, elektronisch of mechanisch, met inbegrip van het fotokopiëren van en het registreren, of om het even welk informatieopslag of herwinningssysteem, of anders, zonder de vroegere geschreven toestemming van APM-Co. van de Micro-elektronicahalfgeleider, Ltd worden gereproduceerd of worden overgebracht.
7, Informatie (met inbegrip van schakelschema's en kringsparameters) zijn hierin bijvoorbeeld slechts; het is niet gewaarborgd voor volumeproductie. APM-de Micro-elektronica gelooft de informatie hierin nauwkeurig en betrouwbaar is, maar geen waarborgen worden gemaakt of betreffende zijn gebruik of om het even welke overtredingen van intellectuele-eigendomsrechten of andere rechten van derde partijen gemaakt.
, Hierin beschreven of bevatte zijn om het even welk en al informatie voor wijzigingen vatbare zonder voorafgaande kennisgeving toe te schrijven aan product/de technologieverbetering, enz. Wanneer het ontwerpen van materiaal, verwijs naar de „Leveringsspecificatie“ voor het APM-Micro-elektronicaproduct dat u van plan bent te gebruiken.
Contactpersoon: David