Thuis Producten De Transistor van de siliciummacht

2N5401 hoge Machtspnp Transistor VCBO -160V voor Elektronische Componenten

Name: 2N5401 hoge Machtspnp Transistor VCBO -160V voor Elektronische Componenten
Brand: Hua Xuan Yang
SKU: 2N5401

Alle producten

mosfet machtstransistor
(118)

De Transistors van de uiteindemacht
(30)

De Transistor van de siliciummacht
(19)

Dubbele Omschakelingsdiode
(15)

Mos Gebiedseffect Transistor
(29)

Dubbel - kanaalmosfet
(10)

de snelle diode van de terugwinningsgelijkrichter
(6)

machts zener diode
(6)

schottky bruggelijkrichter
(10)

de diode van de hoogspanningsgelijkrichter
(15)

Halfgeleidertriode
(9)

Voltagestabilisator IC
(14)

Certificaat

China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaten

Klantenoverzichten

wij samenwerking met Hua Xuan Yang zijn grotendeels toe te schrijven aan hun professionalisme, hun scherpe reactie op de aanpassing van de producten die wij, de regeling van al onze behoeften en, vooral, zij voorziening van de kwaliteitsdiensten hebben gewenst.

—— — — Jason van Canada

In het kader van de aanbeveling van mijn vriend, zijn wij van Hua Xuan Yang, een hogere deskundige in de halfgeleider en de elektronische componentenindustrie op de hoogte, die ons heeft toegelaten om onze kostbare tijd te verminderen en niet poging moeten wagen andere fabrieken.

—— — — Виктор van Rusland

Ik ben online Chatten Nu

2N5401 hoge Machtspnp Transistor VCBO -160V voor Elektronische Componenten

Grote Afbeelding : 2N5401 hoge Machtspnp Transistor VCBO -160V voor Elektronische Componenten

Productdetails:

Plaats van herkomst:	Shenzhen China
Merknaam:	Hua Xuan Yang
Certificering:	RoHS、SGS
Modelnummer:	2N5401

Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:

Min. bestelaantal:	1000-2000 PCs
Prijs:	Negotiated
Verpakking Details:	In dozen gedaan
Levertijd:	1 - 2 weken
Betalingscondities:	L/C T/T Western Union
Levering vermogen:	18,000,000PCS/per Dag

Contact

2N5401 hoge Machtspnp Transistor VCBO -160V voor Elektronische Componenten

beschrijving

VCBO:	-160V	VCEO:	-150V
VEBO:	-5V	Gebruik:	Elektronische Componenten
TJ:	150Š	Zaak:	Band/Dienblad/Spoel
Hoog licht:	hoge frequentietransistor , de transistor van de machtsschakelaar

Aan-92 plastic-kapsel Transistors2n5401 TRANSISTOR (PNP) in

EIGENSCHAP

Ÿ omschakeling en Versterking in Hoogspanning

Ÿ toepassingen zoals Telefonie

Ÿ lage Stroom

Ÿ hoogspanning

2N5401 hoge Machtspnp Transistor VCBO -160V voor Elektronische Componenten 0

HET OPDRACHT GEVEN VAN TOT INFORMATIE

Artikelnummer	Pakket	Verpakkingsmethode	Pakhoeveelheid
2N5401	Aan-92	Massa	1000pcs/Bag
2n5401-Ta	Aan-92	Band	2000pcs/Box

MAXIMUMclassificaties (T_een =25 Š tenzij anders vermeld)

Symbool	Parameter	Waarde	Eenheid
VCBO	Collector-Base Voltage	-160	V
VCEO	Collector-zender Voltage	-150	V
VEBO	Emitter-Base Voltage	-5	V
I_C	Collectorstroom	-0.6	A
P_C	De Dissipatie van de collectormacht	625	mw
R0 JA	Thermische Weerstand van Verbinding tegen Omringend	200	Š/W
T_j	Verbindingstemperatuur	150	Š
Tstg	Opslagtemperatuur	-55~+150	Š

ELEKTROkenmerken

Ta =25 Š tenzij anders gespecificeerd

Parameter	Symbool	Beproevingsomstandigheden	Min	Type	Maximum	Eenheid
Collector-base analysevoltage	V (BR) CBO	I_C= -0.1MA, D.W.Z. =0	-160			V
Collector-zender analysevoltage	V (BR) CEO	I_C=-1mA, I_B=0	-150			V
Emitter-base analysevoltage	V (BR) EBO	D.W.Z. =-0.01MA, I_C=0	-5			V
De collector sneed stroom af	ICBO	V_CB=-120V, D.W.Z. =0			-50	Na
De zender sneed stroom af	IEBO	V_EB=-3V, I_C=0			-50	Na
De huidige aanwinst van gelijkstroom	hFE (1)	V_CE=-5V, I_C=-1mA	80
	hFE (2)	V_CE=-5V, I_C=-10mA	100		300
	hFE (3)	V_CE=-5V, I_C=-50mA	50
Collector-zender verzadigingsvoltage	(Gezeten) VCE	I_C=-50mA, I_B=-5mA			-0.5	V
Base-emitter verzadigingsvoltage	(Gezeten) VBE	I_C=-50mA, I_B=-5mA			-1	V
Overgangsfrequentie	F_T	V_CE=-5V, I_C=-10mA, F =30MHz	100		300	Mhz

_FE CLASSIFICATIE VAN H₍₂₎

RANG	A	B	C
WAAIER	100-150	150-200	200-300

Typische Kenmerken

2N5401 hoge Machtspnp Transistor VCBO -160V voor Elektronische Componenten 1

2N5401 hoge Machtspnp Transistor VCBO -160V voor Elektronische Componenten 2

2N5401 hoge Machtspnp Transistor VCBO -160V voor Elektronische Componenten 3

2N5401 hoge Machtspnp Transistor VCBO -160V voor Elektronische Componenten 4

De Dimensies van het pakketoverzicht

Symbool	Afmetingen in Millimeter		Afmetingen in Duim
	Min	Maximum	Min	Maximum
A	3,300	3,700	0,130	0,146
A1	1,100	1,400	0,043	0,055
B	0,380	0,550	0,015	0,022
c	0,360	0,510	0,014	0,020
D	4,300	4,700	0,169	0,185
D1	3,430		0,135
E	4,300	4,700	0,169	0,185
e	1.270 TYPE		TYPE 0,050
e1	2,440	2,640	0,096	0,104
L	14,100	14,500	0,555	0,571
0		1,600		0,063
h	0,000	0,380	0,000	0,015

AAN-92 7DSH DQG 5HHO

2N5401 hoge Machtspnp Transistor VCBO -160V voor Elektronische Componenten 5

2N5401 hoge Machtspnp Transistor VCBO -160V voor Elektronische Componenten 6

label:

Contactpersoon: David

Andere Producten

MMBD4148A/SE/CC/CA Transistor van de siliciummacht dronkaard-23 Plastiek kapselt Dioden in

Type: OMSCHAKELING DIODESOD
VRM: 100V
Machtsmosfet Transistor: Dronkaard-23 plastic-kapsel Dioden in
IFM: 300mA

MMBD1501A hoge Huidige Transistor, de Transistor Lage Lekkage van de Machtsschakelaar

Type: OMSCHAKELING DIODESOD
Functie: Lage Lekkage
Machtsmosfet Transistor: Dronkaard-23 plastic-kapsel Dioden in
Gelijkstroom-het Blokkeren Voltage: 200V

BAW56/BAV70/BAV9 de Transistor van de siliciummacht voor Algemeen Doelomschakeling

Type: OMSCHAKELING DIODESOD
Toepassing: Algemeen Doelomschakeling
Machtsmosfet Transistor: Zode-123 plastic-EncapsulateDiodes
Opslagtemperatuur: -55~+150℃

BAV19W~BAV21W gebiedseffect Transistor, Hoge Frequentietransistor

Type: OMSCHAKELING DIODESOD
Functie: Snelle Omschakelingssnelheid
Machtsmosfet Transistor: Zode-123 plastic-EncapsulateDiodes
Opslagtemperatuur: -55~+150℃

1SS184 van het de Transistorsilicium van de siliciummacht de Materiële Mobiele Voeding

Verbindingstemperatuur: 150 ℃
Machtsmosfet Transistor: Dronkaard-23 plastic-kapsel in
Toepassing: de mobiele geleide bestuurder van de machtslevering/motorcontrole
Materiaal: silicium

2N5401 hoge Machtspnp Transistor VCBO -160V voor Elektronische Componenten

mosfet machtstransistor

De Transistors van de uiteindemacht

De Transistor van de siliciummacht

Dubbele Omschakelingsdiode

Mos Gebiedseffect Transistor

Dubbel - kanaalmosfet

de snelle diode van de terugwinningsgelijkrichter

machts zener diode

schottky bruggelijkrichter

de diode van de hoogspanningsgelijkrichter

Halfgeleidertriode

Voltagestabilisator IC

2N5401 hoge Machtspnp Transistor VCBO -160V voor Elektronische Componenten

2N5401 hoge Machtspnp Transistor VCBO -160V voor Elektronische Componenten

hoge frequentietransistor

de transistor van de machtsschakelaar

_FE CLASSIFICATIE VAN H₍₂₎

machtsmosfet transistors,

de transistor van de machtsschakelaar,

hoge frequentietransistor

MMBD4148A/SE/CC/CA Transistor van de siliciummacht dronkaard-23 Plastiek kapselt Dioden in

MMBD1501A hoge Huidige Transistor, de Transistor Lage Lekkage van de Machtsschakelaar

BAW56/BAV70/BAV9 de Transistor van de siliciummacht voor Algemeen Doelomschakeling

BAV19W~BAV21W gebiedseffect Transistor, Hoge Frequentietransistor

1SS184 van het de Transistorsilicium van de siliciummacht de Materiële Mobiele Voeding

mosfet machtstransistor

HXY4616 de Transistor van het logicaniveau, Bijkomende MOSFET van de Hoogspanningstransistor 30V

HXY4616 Mosfet de Hoogspanning VDS 40V VGS ±20v van de Machtstransistor ±20v VGS

Mosfet van 20G04S 40V van de het Kanaalverhoging van de Machtstransistor N+P de Wijzemosfet

2N5401 hoge Machtspnp Transistor VCBO -160V voor Elektronische Componenten

2N5401 hoge Machtspnp Transistor VCBO -160V voor Elektronische Componenten

2N5401 hoge Machtspnp Transistor VCBO -160V voor Elektronische Componenten

hoge frequentietransistor

de transistor van de machtsschakelaar

FE CLASSIFICATIE VAN H(2)

machtsmosfet transistors,

de transistor van de machtsschakelaar,

_FE CLASSIFICATIE VAN H₍₂₎