Thuis Productenmosfet machtstransistor

LEIDENE Inductor0.35w 2.5A Mosfet Machtstransistor ap1332geu-HF

Certificaat
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaten
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaten
Klantenoverzichten
wij samenwerking met Hua Xuan Yang zijn grotendeels toe te schrijven aan hun professionalisme, hun scherpe reactie op de aanpassing van de producten die wij, de regeling van al onze behoeften en, vooral, zij voorziening van de kwaliteitsdiensten hebben gewenst.

—— — — Jason van Canada

In het kader van de aanbeveling van mijn vriend, zijn wij van Hua Xuan Yang, een hogere deskundige in de halfgeleider en de elektronische componentenindustrie op de hoogte, die ons heeft toegelaten om onze kostbare tijd te verminderen en niet poging moeten wagen andere fabrieken.

—— — — Виктор van Rusland

Ik ben online Chatten Nu

LEIDENE Inductor0.35w 2.5A Mosfet Machtstransistor ap1332geu-HF

LEIDENE Inductor0.35w 2.5A Mosfet Machtstransistor ap1332geu-HF
LEIDENE Inductor0.35w 2.5A Mosfet Machtstransistor ap1332geu-HF

Grote Afbeelding :  LEIDENE Inductor0.35w 2.5A Mosfet Machtstransistor ap1332geu-HF

Productdetails:
Plaats van herkomst: China
Merknaam: Hua Xuan Yang
Certificering: RoHS、SGS
Modelnummer: Ap1332geu-HF
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiated
Verpakking Details: In dozen gedaan
Levertijd: 1 - 2 weken
Betalingscondities: T/T, Western Union
Levering vermogen: 30000pcs/week

LEIDENE Inductor0.35w 2.5A Mosfet Machtstransistor ap1332geu-HF

beschrijving
ModelNumber:: Ap1332geu-HF Type:: Elektronische Componenten
Diode:: Transistor IGBT-module:: Buis met hoge frekwentie
Inductor:: Leiden D/C:: Het nieuwst
Hoog licht:

2.5A Mosfet Machtstransistor

,

0.35W Mosfet Machtstransistor

,

Ap1332geu-HF Diodemosfet Transistor

De goedkope Fabrieksprijs ap1332geu-HF tevreden om de Zaken te contacteren, is op Van dezelfde dag zal heersen

 

Beschrijving

 

AP1332 de reeksen zijn van Geavanceerde Macht vernieuwden ontwerp en de technologie van het siliciumproces om laagste mogelijk op weerstand en snelle omschakelingsprestaties te bereiken. Het voorziet de ontwerper van een extreem efficiënt apparaat voor gebruik in een brede waaier van machtstoepassingen.

 

Nota's:

 

1.Pulse breedte door Max. verbindingstemperatuur die wordt beperkt.

2.Pulse test.

3.Surface opgezet op FR4-raad, t ≦ 10 seconden.

 

Absoluut MaximumRatings@Tj =25.oC (tenzij anders gespecificeerd)

 

Symbool Parameter Classificatie Eenheid
VDS Afvoerkanaal-bronvoltage 20 V
VGS Poort-bronvoltage +8 V
ID@TA =25℃ Afvoerkanaalstroom3, VGS @ 4.5V 600 mA
ID@TA =70℃ Afvoerkanaalstroom3, VGS @ 4.5V 470 mA
IDM Gepulseerde Afvoerkanaalstroom1 2.5 A
PD@TA =25℃ Totale Machtsdissipatie 0,35 W
TSTG De Waaier van de opslagtemperatuur -55 tot 150
TJ De werkende Waaier van de Verbindingstemperatuur -55 tot 150

 

Thermische Gegevens

 

Symbool Parameter Waarde Eenheid
Rthj-a Maximum Thermische Weerstand, verbinding-Omringende3 360 ℃/W

 

Ap1332geu-h

ElektroCharacteristics@Tj =25oC (tenzij anders gespecificeerd)

 

Symbool Parameter Beproevingsomstandigheden Min. Type. Max. Eenheid
BVDSS Afvoerkanaal-bronanalysevoltage VGS =0V, IDENTITEITSKAART =250UA 20 - - V
RDS () Statische afvoerkanaal-Bron op-Weerstand2 VGS =4.5V, IDENTITEITSKAART =600MA - - 0,6 Ω
VGS =2.5V, IDENTITEITSKAART =300MA - - 2 Ω
VGS (Th) Het Voltage van de poortdrempel VDS =VGS, IDENTITEITSKAART =250UA 0,5 - 1.25 V
gfs Voorwaartse Transconductance VDS =5V, IDENTITEITSKAART =600MA - 1 - S
IDSS Afvoerkanaal-bronlekkagestroom VDS =16V, VGS =0V - - 10 RE
IGSS Poort-bronlekkage VGS =+8V, VDS =0V - - +30 RE
Qg Totale Poortlast

IDENTITEITSKAART =600MA VDS =16V

VGS =4.5V

- 1.3 2 nC
Qgs Poort-bronlast - 0,3 - nC
Qgd Poort-afvoerkanaal („Molenaar“) Last - 0,5 - nC
td () De Tijd van de inschakelenvertraging

IDENTITEITSKAART =600MA RG =3.3Ω VAN VDS =10V

VGS =5V

- 21 - NS
RT Stijgingstijd - 53 - NS
td (weg) De Tijd van de productvertraging - 100 - NS
tf Dalingstijd - 125 - NS
Ciss Inputcapacitieve weerstand

VGS =0V

V.DS=10V f=1.0MHz

- 38 60 pF
Coss Outputcapacitieve weerstand - 17 - pF
Crss Omgekeerde Overdrachtcapacitieve weerstand - 12 - pF

 

Bron-afvoerkanaal Diode

 

Symbool Parameter Beproevingsomstandigheden Min. Type. Max. Eenheid
VSD Door:sturen op Voltage2 IS =300MA, VGS =0V - - 1.2 V

 

[Het Verschepen]


1. Wij zullen de punten binnen 2 werkdagen na de bevestigde betaling verschepen.
2. Wij kunnen aan u door UPS/DHL/TNT/EMS/FedEx verschepen. Tevreden om ons direct te contacteren en wij zullen uw aangewezen manieren gebruiken. Voor de Landen & de Gebieden waar EMS niet kan leveren, te kiezen gelieve andere verschepende manieren.
3. Wij zijn niet verantwoordelijk voor om het even welke ongevallen, vertragingen of andere die kwesties door forwarder worden veroorzaakt.
4. Om het even welke de invoerprijzen of lasten zijn voor de rekening van de koper

Contactgegevens
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Contactpersoon: David

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)

Laat een bericht achter

We bellen je snel terug!