Thuis Productenmosfet machtstransistor

AP2N1K2EN1 IC-Spaanders dronkaard-723 MOSFET van 0.15W 800mA Transistor

Certificaat
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaten
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaten
Klantenoverzichten
wij samenwerking met Hua Xuan Yang zijn grotendeels toe te schrijven aan hun professionalisme, hun scherpe reactie op de aanpassing van de producten die wij, de regeling van al onze behoeften en, vooral, zij voorziening van de kwaliteitsdiensten hebben gewenst.

—— — — Jason van Canada

In het kader van de aanbeveling van mijn vriend, zijn wij van Hua Xuan Yang, een hogere deskundige in de halfgeleider en de elektronische componentenindustrie op de hoogte, die ons heeft toegelaten om onze kostbare tijd te verminderen en niet poging moeten wagen andere fabrieken.

—— — — Виктор van Rusland

Ik ben online Chatten Nu

AP2N1K2EN1 IC-Spaanders dronkaard-723 MOSFET van 0.15W 800mA Transistor

AP2N1K2EN1 IC-Spaanders dronkaard-723 MOSFET van 0.15W 800mA Transistor
AP2N1K2EN1 IC-Spaanders dronkaard-723 MOSFET van 0.15W 800mA Transistor

Grote Afbeelding :  AP2N1K2EN1 IC-Spaanders dronkaard-723 MOSFET van 0.15W 800mA Transistor

Productdetails:
Plaats van herkomst: China
Merknaam: Hua Xuan Yang
Certificering: RoHS、SGS
Modelnummer: AP2N1K2EN1
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiate
Verpakking Details: KARTONdoos
Levertijd: 4~5 week
Betalingscondities: L/C T/T WESTERN UNION
Levering vermogen: 10,000/Month

AP2N1K2EN1 IC-Spaanders dronkaard-723 MOSFET van 0.15W 800mA Transistor

beschrijving
ModelNumber:: AP2N1K2EN1 Leverancierstype: Originele fabrikant, Odm, Bureau, Detailhandelaar
Merknaam:: Origineel merk Pakkettype: DRONKAARD-723 (N1)
D/c: Het nieuwst Beschrijving:: Transistor
Hoog licht:

800mA MOSFET Transistor

,

0.15W MOSFET Transistor

,

AP2N1K2EN1 IC Chips Transistor

MOSFET Transistorap2n1k2en1 Originele Elektronische Component/IC-Spaanders

 

Beschrijving

 

AP2N1K2E de reeksen zijn van Geavanceerde Macht vernieuwden ontwerp en de technologie van het siliciumproces om de laagste mogelijke op-weerstand en de snelle omschakelingsprestaties te bereiken. Het voorziet de ontwerper van een extreem efficiënt apparaat voor gebruik in een brede waaier van machtstoepassingen.

 

Pakket dronkaard-723 met zeer kleine voetafdruk is geschikt want al commercieel-industriële oppervlakte toepassing opzet.

 

Nota's:

 

1.Pulse breedte door Max. verbindingstemperatuur die wordt beperkt.
2.Pulse test

3.Surface opgezet op min. koperstootkussen van FR4-raad

 

Dit product is gevoelig voor elektrostatische lossing, gelieve te behandelen zorvuldig.

Dit product is niet gemachtigd om als kritieke component van een het levenssteunregeling of andere gelijkaardige systemen worden gebruikt.

APEC zal niet aansprakelijk voor om het even welke aansprakelijkheid zijn die van de toepassing of het gebruik van om het even welke die product of kring het gevolg zijn in deze overeenkomst wordt beschreven, noch het om het even welke vergunning onder zijn octrooirechten zal toewijzen of de rechten van anderen zal toewijzen.

APEC be*houdt zich het recht voor veranderingen in om het even welk product in deze Overeenkomst zonder voorafgaande kennisgeving aan te brengen om betrouwbaarheid, functie of ontwerp te verbeteren.

 

Absoluut MaximumRatings@Tj =25°C (tenzij anders gespecificeerd)

 

Symbool Parameter Classificatie Eenheden
VDS Afvoerkanaal-bronvoltage 20 V
VGS Poort-bronvoltage +8 V
ID@TA =25℃ Afvoerkanaalstroom3, VGS @ 2.5V 200 mA
IDM Gepulseerde Afvoerkanaalstroom1 400 mA
IS@TA =25℃ Bronstroom (Lichaamsdiode) 125 mA
ISM Gepulseerde Bronstroom1 (Lichaamsdiode) 800 mA
PD@TA =25℃ Totale Machtsdissipatie 0,15 W
TSTG De Waaier van de opslagtemperatuur -55 tot 150
TJ De werkende Waaier van de Verbindingstemperatuur -55 tot 150

 

Thermische Gegevens

 

Symbool Parameter Waarde Eenheid
Rthj-a Maximum Thermische Weerstand, verbinding-Omringende3 833 ℃/W

 

 

 AP2N1K2EN

 

ElektroCharacteristics@Tj =25oC (tenzij anders gespecificeerd)

Symbool Parameter Beproevingsomstandigheden Min. Type. Max. Eenheden
BVDSS Afvoerkanaal-bronanalysevoltage VGS =0V, IDENTITEITSKAART =250UA 20 - - V
RDS () Statische afvoerkanaal-Bron op-Weerstand2 VGS =2.5V, IDENTITEITSKAART =200MA - - 1.2 Ω
VGS =1.8V, IDENTITEITSKAART =200MA - - 1.4 Ω
VGS =1.5V, IDENTITEITSKAART =40MA - - 2.4 Ω
VGS =1.2V, IDENTITEITSKAART =20MA - - 4.8 Ω
VGS (Th) Het Voltage van de poortdrempel VDS =VGS, IDENTITEITSKAART =1MA 0,3 - 1 V
gfs Voorwaartse Transconductance VDS =10V, IDENTITEITSKAART =200MA - 1.8 - S
IDSS Afvoerkanaal-bronlekkagestroom VDS =16V, VGS =0V - - 10 RE
IGSS Poort-bronlekkage VGS =+8V, VDS =0V - - +30 RE
Qg Totale Poortlast

IDENTITEITSKAART =200MA VDS =10V

VGS =2.5V

- 0,7 - nC
Qgs Poort-bronlast - 0,2 - nC
Qgd Poort-afvoerkanaal („Molenaar“) Last - 0,2 - nC
td () De Tijd van de inschakelenvertraging VDS =10V - 2 - NS
RT Stijgingstijd Identiteitskaart =150mA - 10 - NS
td (weg) De Tijd van de productvertraging RG =10Ω - 30 - NS
tf Dalingstijd .VGS =5V - 16 - NS
Ciss Inputcapacitieve weerstand

VGS =0V

VDS =10V f=1.0MHz

- 44 - pF
Coss Outputcapacitieve weerstand - 14 - pF
Crss Omgekeerde Overdrachtcapacitieve weerstand - 10 - pF

 

Bron-afvoerkanaal Diode

 

Symbool Parameter Beproevingsomstandigheden Min. Type. Max. Eenheden
VSD Door:sturen op Voltage2 IS =0.13A, VGS =0V - - 1.2 V

Contactgegevens
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Contactpersoon: David

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)

Laat een bericht achter

We bellen je snel terug!