Thuis Productenmosfet machtstransistor

Multi Functionele Mosfet Machtsschakelaar/Hoge Huidige Mosfet van AP8810TS Schakelaar

Certificaat
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaten
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaten
Klantenoverzichten
wij samenwerking met Hua Xuan Yang zijn grotendeels toe te schrijven aan hun professionalisme, hun scherpe reactie op de aanpassing van de producten die wij, de regeling van al onze behoeften en, vooral, zij voorziening van de kwaliteitsdiensten hebben gewenst.

—— — — Jason van Canada

In het kader van de aanbeveling van mijn vriend, zijn wij van Hua Xuan Yang, een hogere deskundige in de halfgeleider en de elektronische componentenindustrie op de hoogte, die ons heeft toegelaten om onze kostbare tijd te verminderen en niet poging moeten wagen andere fabrieken.

—— — — Виктор van Rusland

Ik ben online Chatten Nu

Multi Functionele Mosfet Machtsschakelaar/Hoge Huidige Mosfet van AP8810TS Schakelaar

Multi Functionele Mosfet Machtsschakelaar/Hoge Huidige Mosfet van AP8810TS Schakelaar
Multi Functionele Mosfet Machtsschakelaar/Hoge Huidige Mosfet van AP8810TS Schakelaar Multi Functionele Mosfet Machtsschakelaar/Hoge Huidige Mosfet van AP8810TS Schakelaar Multi Functionele Mosfet Machtsschakelaar/Hoge Huidige Mosfet van AP8810TS Schakelaar

Grote Afbeelding :  Multi Functionele Mosfet Machtsschakelaar/Hoge Huidige Mosfet van AP8810TS Schakelaar

Productdetails:
Plaats van herkomst: Shenzhen China
Merknaam: Hua Xuan Yang
Certificering: RoHS、SGS
Modelnummer: AP8810TS
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: onderhandelingen
Prijs: Negotiated
Verpakking Details: In dozen gedaan
Levertijd: 1 - 2 weken
Betalingscondities: L/C T/T Western Union
Levering vermogen: 18,000,000PCS/per Dag

Multi Functionele Mosfet Machtsschakelaar/Hoge Huidige Mosfet van AP8810TS Schakelaar

beschrijving
Productnaam: Mosfet Machtsschakelaar model: AP8810TS
Pak: Tssop-8 Het merken: AP8810E XXX YYYY
VDSDrain-bronvoltage: 20V Rce Voltage VGSGate-Sou: ±12V
Hoog licht:

n kanaalmosfet transistor

,

hoogspanningstransistor

Multi Functionele Mosfet Machtsschakelaar/Hoge Huidige Mosfet van AP8810TS Schakelaar

 

Algemene Beschrijving:

 

Mos Gebiedseffect de Transistor wordt gebruikt in vele voeding en algemene machtstoepassingen, vooral als schakelaars. Verschillend s omvat vlakmosfets, VMOS, UMOS TrenchMOS, HEXFETs en andere verschillende merknamen.

 

Algemene Eigenschappen

 

VDS = 20V, identiteitskaart = 7A
RDS () < 28m=""> RDS () < 26m=""> RDS () < 22m=""> RDS () < 20m=""> ESD Classificatie: 2000V HBM

 

Toepassing

 

Batterijbescherming
Het Energiebeheer van de ladingsschakelaar

 

Pakket die en tot Informatie merken opdracht geven

 

Product-id Pak Het merken Qty (PCs)
AP8810TS Tssop-8 AP8810E XXX YYYY 5000

 

ABSOLUTE MAXIMUMclassificaties (TA=25-anders genoteerd ℃unless)

 

 

Parameter Symbool Grens Eenheid
Afvoerkanaal-bronvoltage VDS 20 V
Poort-bronvoltage VGS ±12 V

 

Afvoerkanaal huidig-Gepulseerde Current-Continuous@ (Nota 1)

Identiteitskaart 7 A
IDM 25 A
Maximummachtsdissipatie PD 1.5 W
Werkende Verbinding en Opslagtemperatuurwaaier T J, T STG -55 tot 150
Thermische verbinding-aan-Omringende Weerstand, (Nota 2) RθJA 83 ℃/W
Parameter Symbool Grens Eenheid
Afvoerkanaal-bronvoltage VDS 20 V
Poort-bronvoltage VGS ±12 V

 

Afvoerkanaal huidig-Gepulseerde Current-Continuous@ (Nota 1)

Identiteitskaart 7 A
IDM 25 A
Maximummachtsdissipatie PD 1.5 W
Werkende Verbinding en Opslagtemperatuurwaaier T J, T STG -55 tot 150
Thermische verbinding-aan-Omringende Weerstand, (Nota 2) RθJA 83 ℃/W

 

ELEKTROkenmerken (TA=25-anders genoteerd ℃unless)

 

Parameter Symbool Voorwaarde Min Type Maximum Eenheid
Afvoerkanaal-bronanalysevoltage BV DSS V GS=0V ID=250 ΜA 20     V
Nul het Afvoerkanaalstroom van het Poortvoltage IDSS V DS=20V, V GS=0V     1 μA

 

Poort-lichaam Lekkagestroom

 

IGSS

V GS=±4.5V, V DS=0V     ±200 Na
V GS=±10V, VDS=0V     ±10 RE
Het Voltage van de poortdrempel V GS (Th) V DS=V GS, ID=250 ΜA 0,6 0,75 1.2 V

 

Weerstand de afvoerkanaal-bron van de op-Staat

 

RDS ()

V GS=4.5V, ID=6.5A   14 20 m Ω
V GS=4V, ID=6A   16 22 m Ω
V GS=3.1V, ID=5.5A   19 26 m Ω
V GS=2.5V, ID=5.5A   24 28 m Ω
Voorwaartse Transconductance gFS V DS=10V, I D=6.5A   6.6   S
Inputcapacitieve weerstand Clss     650   PF
Outputcapacitieve weerstand Coss   360   PF
Omgekeerde Overdrachtcapacitieve weerstand Crss   154   PF
De Tijd van de inschakelenvertraging td ()     11 22 NS
De Tijd van de inschakelenstijging

r

t

  12 28 NS
De Tijd van de productvertraging td (weg)   35 73 NS
De Tijd van de productdaling

F

t

  33 65 NS
Totale Poortlast Qg

 

V DS=10V, I D=7A, V GS=4.5V

  11 16 nC
Poort-bronlast Qgs   2.5   nC
Poort-afvoerkanaal Last Qgd   3.2   nC
Diode Voorwaarts Voltage (Nota 3) V BR V GS=0V, IS=1.5A   0,84 1.2 V
Parameter Symbool Voorwaarde Min Type Maximum Eenheid
Afvoerkanaal-bronanalysevoltage BV DSS V GS=0V ID=250 ΜA 20     V
Nul het Afvoerkanaalstroom van het Poortvoltage IDSS V DS=20V, V GS=0V     1 μA

 

Poort-lichaam Lekkagestroom

 

IGSS

V GS=±4.5V, V DS=0V     ±200 Na
V GS=±10V, VDS=0V     ±10 RE
Het Voltage van de poortdrempel V GS (Th) V DS=V GS, ID=250 ΜA 0,6 0,75 1.2 V

 

Weerstand de afvoerkanaal-bron van de op-Staat

 

RDS ()

V GS=4.5V, ID=6.5A   14 20 m Ω
V GS=4V, ID=6A   16 22 m Ω
V GS=3.1V, ID=5.5A   19 26 m Ω
V GS=2.5V, ID=5.5A   24 28 m Ω
Voorwaartse Transconductance gFS V DS=10V, I D=6.5A   6.6   S
Inputcapacitieve weerstand Clss     650   PF
Outputcapacitieve weerstand Coss   360   PF
Omgekeerde Overdrachtcapacitieve weerstand Crss   154   PF
De Tijd van de inschakelenvertraging td ()     11 22 NS
De Tijd van de inschakelenstijging

r

t

  12 28 NS
De Tijd van de productvertraging td (weg)   35 73 NS
De Tijd van de productdaling

F

t

  33 65 NS
Totale Poortlast Qg

 

V DS=10V, I D=7A, V GS=4.5V

  11 16 nC
Poort-bronlast Qgs   2.5   nC
Poort-afvoerkanaal Last Qgd   3.2   nC
Diode Voorwaarts Voltage (Nota 3) V BR V GS=0V, IS=1.5A   0,84 1.2 V

 

NOTA'S:

1. Herhaalde Classificatie: Impulsbreedte door maximumverbindingstemperatuur die wordt beperkt.

2. Oppervlakte Opgezet op FR4-Raad, t ≤ 10 seconden.

3. Impulstest: Impulsbreedte ≤ 300 μs, Plichtscyclus ≤ 2%.

4. Met opzet gewaarborgd, niet onderworpen aan productie het testen.

 

Aandacht

 

1, om het even welk en alle APM-hierin beschreven of bevatte Micro-elektronicaproducten hebben geen specificaties die toepassingen kunnen behandelen die uiterst hoge niveaus van betrouwbaarheid, zoals het levenssteunregelingen, aircraft controlesystemen, of andere toepassingen vereisen de waarvan mislukking redelijk kan worden verwacht om in ernstige fysieke en/of materiële schade te resulteren. Raadpleeg uw APM-Micro-elektronica representatieve het meest dichtbijgelegen u alvorens om het even welke die APM-Micro-elektronicaproducten of te gebruiken hierin in dergelijke toepassingen worden beschreven.

2, APM-Micro-elektronica veronderstellen geen verantwoordelijkheid voor materiaalmislukkingen dat resultaat van het gebruiken van producten bij waarden die, zelfs snel voorbijgaand, geschatte waarden (zoals maximumclassificaties, exploitatievoorwaardewaaiers, of andere die parameters) in productenspecificaties van om het even welk en alle APM-hierin beschreven worden vermeld of bevatte Micro-elektronicaproducten overschrijden.

3, de Specificaties van om het even welk en alle APM-Micro-elektronicaproducten beschreven of bevatten instipulate hier de prestaties, de kenmerken, en de functies van de beschreven producten in de onafhankelijke staat, en zijn geen waarborgen van de prestaties, de kenmerken, en de functies van de beschreven producten zoals opgezet in het de producten of materiaal van de klant. Om symptomen en staten te verifiëren die niet in een onafhankelijk apparaat kunnen worden geëvalueerd, zou de klant apparaten evalueren en altijd moeten testen opgezet in het de producten of materiaal van de klant.

4, APM-Co. van de Micro-elektronicahalfgeleider, Ltd streven ernaar om hoogte te leveren - producten van de kwaliteits de hoge betrouwbaarheid. Nochtans, ontbreken om het even welk en alle halfgeleiderproducten met wat waarschijnlijkheid. Het is mogelijk dat deze probabilistic mislukkingen tot ongevallen of gebeurtenissen konden leiden die mensenlevens konden in gevaar brengen die tot rook of brand konden leiden, of die schade aan ander bezit konden veroorzaken. Het Whendesigningsmateriaal, keurt veiligheidsmaatregelen goed zodat deze soorten ongevallen of gebeurtenissen niet kunnen voorkomen. Dergelijke maatregelen omvatten maar zijn niet beperkt tot beschermende kringen en de kringen van de foutenpreventie voor veilig ontwerp, overtollig ontwerp, en structureel ontwerp.

5, in het geval dat om het even welk of alle APM-hierin beschreven of bevatte Micro-elektronicaproducten (met inbegrip van technische gegevens, de diensten) in het kader van om het even welk van toepasselijke lokale uitvoercontrolewetten en verordeningen worden gecontroleerd, dergelijke producten moeten niet worden uitgevoerd zonder de de uitvoervergunning uit de autoriteiten te verkrijgen betrokken overeenkomstig de bovengenoemde wet.

6, Geen deel van deze publicatie kunnen in om het even welke vorm of op om het even welke manier, elektronisch of mechanisch, met inbegrip van het fotokopiëren van en het registreren, of om het even welk informatieopslag of herwinningssysteem, of anders, zonder de vroegere geschreven toestemming van APM-Co. van de Micro-elektronicahalfgeleider, Ltd worden gereproduceerd of worden overgebracht.

7, Informatie (met inbegrip van schakelschema's en kringsparameters) zijn hierin bijvoorbeeld slechts; het is niet gewaarborgd voor volumeproductie. APM-de Micro-elektronica gelooft de informatie hierin nauwkeurig en betrouwbaar is, maar geen waarborgen worden gemaakt of betreffende zijn gebruik of om het even welke overtredingen van intellectuele-eigendomsrechten of andere rechten van derde partijen gemaakt.

8, hierin beschreven of bevatte om het even welk en al informatie zijn voor wijzigingen vatbare zonder voorafgaande kennisgeving toe te schrijven aan product/de technologieverbetering, enz. Wanneer het ontwerpen van materiaal, verwijs naar de „Leveringsspecificatie“ voor het APM-Micro-elektronicaproduct dat u van plan bent te gebruiken.

Contactgegevens
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Contactpersoon: David

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)

Laat een bericht achter

We bellen je snel terug!