Thuis Productenmosfet machtstransistor

AP30N10D hoge Huidige Transistor, het Gebiedseffect van 30A 100V aan-252 Transistor

Certificaat
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaten
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaten
Klantenoverzichten
wij samenwerking met Hua Xuan Yang zijn grotendeels toe te schrijven aan hun professionalisme, hun scherpe reactie op de aanpassing van de producten die wij, de regeling van al onze behoeften en, vooral, zij voorziening van de kwaliteitsdiensten hebben gewenst.

—— — — Jason van Canada

In het kader van de aanbeveling van mijn vriend, zijn wij van Hua Xuan Yang, een hogere deskundige in de halfgeleider en de elektronische componentenindustrie op de hoogte, die ons heeft toegelaten om onze kostbare tijd te verminderen en niet poging moeten wagen andere fabrieken.

—— — — Виктор van Rusland

Ik ben online Chatten Nu

AP30N10D hoge Huidige Transistor, het Gebiedseffect van 30A 100V aan-252 Transistor

AP30N10D hoge Huidige Transistor, het Gebiedseffect van 30A 100V aan-252 Transistor
AP30N10D hoge Huidige Transistor, het Gebiedseffect van 30A 100V aan-252 Transistor AP30N10D hoge Huidige Transistor, het Gebiedseffect van 30A 100V aan-252 Transistor AP30N10D hoge Huidige Transistor, het Gebiedseffect van 30A 100V aan-252 Transistor

Grote Afbeelding :  AP30N10D hoge Huidige Transistor, het Gebiedseffect van 30A 100V aan-252 Transistor

Productdetails:
Plaats van herkomst: Shenzhen China
Merknaam: Hua Xuan Yang
Certificering: RoHS、SGS
Modelnummer: AP30N10D
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: onderhandelingen
Prijs: Negotiated
Verpakking Details: In dozen gedaan
Levertijd: 1 - 2 weken
Betalingscondities: L/C T/T Western Union
Levering vermogen: 18,000,000PCS/per Dag

AP30N10D hoge Huidige Transistor, het Gebiedseffect van 30A 100V aan-252 Transistor

beschrijving
Productnaam: Hoge Huidige Transistor model: AP30N10D
Pak: Aan-252-3L Het merken: AP30N10D XXX YYYY
VDSDrain-bronvoltage: 100V Rce Voltage VGSGate-Sou: ±20V
Hoog licht:

n kanaalmosfet transistor

,

hoogspanningstransistor

AP30N10D hoge Huidige Transistor, het Gebiedseffect van 30A 100V aan-252 Transistor

 

Hoge Huidige Transistortypes

 

MOSFETs kunnen van verschillende types zijn, die omvatten:

 

Uitputtingswijze: Normaal OP. Het toepassen van VGS zou het uitzetten.

Verhogingswijze: Normaal VAN. Het toepassen van VGS zou het aanzetten.

N-channel MOSFETs: positieve voltages en stromen.

P-channel MOSFETs: negatieve voltages en stromen.

Laag voltagemosfets: BVDSS van 0 V aan 200 V.

Hoogspanningsmosfets: BVDSS greather dan 200 V.

 

Hoge Huidige Transistoreigenschappen

 

VDS = 100V identiteitskaart = 30A
RDS () < 47m="">

 

Hoog Huidig Transistorgebruik

 

Batterijbescherming
Ladingsschakelaar
Noodvoeding

 

Pakket die en tot Informatie merken opdracht geven

 

Product-id Pak Het merken Qty (PCs)
AP30N10D Aan-252-3L AP30N10D XXX YYYY 2500

 

Absolute Maximumclassificaties Tc=25℃ tenzij anders vermeld

 

Symbool Parameter Classificatie Eenheden
VDS Afvoerkanaal-bronvoltage 100 V
VGS Poort-bronvoltage ±20 V
ID@TC =25℃ Ononderbroken Afvoerkanaalstroom, V GS @ 10V 1 30 A
ID@TC =100 ℃ Ononderbroken Afvoerkanaalstroom, V GS @ 10V 1 13.5 A
ID@TA =25℃ Ononderbroken Afvoerkanaalstroom, V GS @ 10V 1 4.2 A
ID@TA =70℃ Ononderbroken Afvoerkanaalstroom, V GS @ 10V 1 3.4 A
IDM Gepulseerd Afvoerkanaal Current2 45 A
EAS Enige Energie 3 van de Impulslawine 36.5 mJ
IAS Lawinestroom 27 A
PD@TC =25 ℃ Totale Macht Dissipation4 52.1 W
PD@TA =25 ℃ Totale Macht Dissipation4 2 W
TSTG De Waaier van de opslagtemperatuur -55 tot 150
TJ De werkende Waaier van de Verbindingstemperatuur -55 tot 150
RθJA Thermische Weerstand verbinding-Omringende 1 62 ℃/W
RθJC Thermisch Weerstands verbinding-Geval 1 2.4 ℃/W
Symbool Parameter Voorwaarden Min. Type. Max. Eenheid
BVDSS Afvoerkanaal-bronanalysevoltage VGS=0V, ID=250uA 100 - - V
△BVDSS/T J BVDSS-Temperatuurcoëfficiënt Verwijzing naar 25℃, ID=1mA - 0,098 - V/℃

 

RDS ()

 

Statische afvoerkanaal-Bron op-Weerstand

VGS=10V, I D=20A - 38 47

 

VGS=4.5V, I D=15A - 40 50
VGS (Th) Het Voltage van de poortdrempel   1.3 - 2.5 V
△VGS (Th) Van VGS (Th) de Temperatuurcoëfficiënt - -5.52 - mV/℃
IDSS Afvoerkanaal-bronlekkagestroom VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ - - 10 RE
VDS=80V, VGS=0V, TJ=55℃ - - 100
IGSS Poort-bronlekkagestroom VGS=±20V, V DS=0V - - ±100 Na
gfs Voorwaartse Transconductance VDS=5V, ID=20A - 28.7 - S
Rg Poortweerstand VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz - 1.6 3.2 Ω
Qg Totale Poortlast (10V)   - 60 84  
Qgs Poort-bronlast - 9.7 14
Qgd Poort-afvoerkanaal Last - 11.8 16.5
Td () De Tijd van de inschakelenvertraging   - 10.4 21  
RT Stijgingstijd - 46 83
Td (weg) De Tijd van de productvertraging - 54 108
Tf Dalingstijd - 10 20
Ciss Inputcapacitieve weerstand   - 3848 5387  
Coss Outputcapacitieve weerstand - 137 192
Crss Omgekeerde Overdrachtcapacitieve weerstand - 82 115
IS Ononderbroken Bronstroom 1,5 VG=VD=0V, Krachtstroom - - 22 A
ISM Gepulseerde Bronstroom 2,5 - - 45 A
VSD De diode door:sturen Voltage2 VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ - - 1.2 V
trr Omgekeerde Terugwinningstijd IF=20A, dI/dt=100A/µs, - 30 - NS
Qrr Omgekeerde Terugwinningslast - 37 - nC
Symbool Parameter Voorwaarden Min. Type. Max. Eenheid
BVDSS Afvoerkanaal-bronanalysevoltage VGS=0V, ID=250uA 100 - - V
△BVDSS/T J BVDSS-Temperatuurcoëfficiënt Verwijzing naar 25℃, ID=1mA - 0,098 - V/℃

 

RDS ()

 

Statische afvoerkanaal-Bron op-Weerstand

VGS=10V, I D=20A - 38 47

 

VGS=4.5V, I D=15A - 40 50
VGS (Th) Het Voltage van de poortdrempel   1.3 - 2.5 V
△VGS (Th) Van VGS (Th) de Temperatuurcoëfficiënt - -5.52 - mV/℃
IDSS Afvoerkanaal-bronlekkagestroom VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ - - 10 RE
VDS=80V, VGS=0V, TJ=55℃ - - 100
IGSS Poort-bronlekkagestroom VGS=±20V, V DS=0V - - ±100 Na
gfs Voorwaartse Transconductance VDS=5V, ID=20A - 28.7 - S
Rg Poortweerstand VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz - 1.6 3.2 Ω
Qg Totale Poortlast (10V)   - 60 84  
Qgs Poort-bronlast - 9.7 14
Qgd Poort-afvoerkanaal Last - 11.8 16.5
Td () De Tijd van de inschakelenvertraging   - 10.4 21  
RT Stijgingstijd - 46 83
Td (weg) De Tijd van de productvertraging - 54 108
Tf Dalingstijd - 10 20
Ciss Inputcapacitieve weerstand   - 3848 5387  
Coss Outputcapacitieve weerstand - 137 192
Crss Omgekeerde Overdrachtcapacitieve weerstand - 82 115
IS Ononderbroken Bronstroom 1,5 VG=VD=0V, Krachtstroom - - 22 A
ISM Gepulseerde Bronstroom 2,5 - - 45 A
VSD De diode door:sturen Voltage2 VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ - - 1.2 V
trr Omgekeerde Terugwinningstijd IF=20A, dI/dt=100A/µs, - 30 - NS
Qrr Omgekeerde Terugwinningslast - 37 - nC

 

Nota:

1.The gegevens door oppervlakte opgezet over a1-duim Fr-4 raad met 2OZ-koper worden getest dat.

2.The gegevens door gepulseerd worden getest, impulsbreedte ≦ 300us, plichtscyclus ≦ 2% die

de gegevens van 3.The EAS tonen Max. classificatie. De beproevingsomstandigheid is VDD=25V, VGS=10V, L=0.1mH, IAS =27A

4.The de machtsdissipatie wordt beperkt door 150℃ verbindingstemperatuur

5.The de gegevens zijn theoretisch hetzelfde als IDand IDM, in echte toepassingen, door totale machtsdissipatie zou moeten worden beperkt.

 

Aandacht

 

1, om het even welk en alle APM-hierin beschreven of bevatte Micro-elektronicaproducten hebben geen specificaties die toepassingen kunnen behandelen die uiterst hoge niveaus van betrouwbaarheid, zoals het levenssteunregelingen, aircraft controlesystemen, of andere toepassingen vereisen de waarvan mislukking redelijk kan worden verwacht om in ernstige fysieke en/of materiële schade te resulteren. Raadpleeg uw APM-Micro-elektronica representatieve het meest dichtbijgelegen u alvorens om het even welke die APM-Micro-elektronicaproducten of te gebruiken hierin in dergelijke toepassingen worden beschreven.

2, APM-Micro-elektronica veronderstellen geen verantwoordelijkheid voor materiaalmislukkingen dat resultaat van het gebruiken van producten bij waarden die, zelfs snel voorbijgaand, geschatte waarden (zoals maximumclassificaties, exploitatievoorwaardewaaiers, of andere die parameters) in productenspecificaties van om het even welk en alle APM-hierin beschreven worden vermeld of bevatte Micro-elektronicaproducten overschrijden.

3, de Specificaties van om het even welk en alle APM-Micro-elektronicaproducten beschreven of bevatten instipulate hier de prestaties, de kenmerken, en de functies van de beschreven producten in de onafhankelijke staat, en zijn geen waarborgen van de prestaties, de kenmerken, en de functies van de beschreven producten zoals opgezet in het de producten of materiaal van de klant. Om symptomen en staten te verifiëren die niet in een onafhankelijk apparaat kunnen worden geëvalueerd, zou de klant apparaten evalueren en altijd moeten testen opgezet in het de producten of materiaal van de klant.

4, APM-Co. van de Micro-elektronicahalfgeleider, Ltd streven ernaar om hoogte te leveren - producten van de kwaliteits de hoge betrouwbaarheid. Nochtans, ontbreken om het even welk en alle halfgeleiderproducten met wat waarschijnlijkheid. Het is mogelijk dat deze probabilistic mislukkingen tot ongevallen of gebeurtenissen konden leiden die mensenlevens konden in gevaar brengen die tot rook of brand konden leiden, of die schade aan ander bezit konden veroorzaken. Het Whendesigningsmateriaal, keurt veiligheidsmaatregelen goed zodat deze soorten ongevallen of gebeurtenissen niet kunnen voorkomen. Dergelijke maatregelen omvatten maar zijn niet beperkt tot beschermende kringen en de kringen van de foutenpreventie voor veilig ontwerp, overtollig ontwerp, en structureel ontwerp.

5, in het geval dat om het even welk of alle APM-hierin beschreven of bevatte Micro-elektronicaproducten (met inbegrip van technische gegevens, de diensten) in het kader van om het even welk van toepasselijke lokale uitvoercontrolewetten en verordeningen worden gecontroleerd, dergelijke producten moeten niet worden uitgevoerd zonder de de uitvoervergunning uit de autoriteiten te verkrijgen betrokken overeenkomstig de bovengenoemde wet.

6, Geen deel van deze publicatie kunnen in om het even welke vorm of op om het even welke manier, elektronisch of mechanisch, met inbegrip van het fotokopiëren van en het registreren, of om het even welk informatieopslag of herwinningssysteem, of anders, zonder de vroegere geschreven toestemming van APM-Co. van de Micro-elektronicahalfgeleider, Ltd worden gereproduceerd of worden overgebracht.

7, Informatie (met inbegrip van schakelschema's en kringsparameters) zijn hierin bijvoorbeeld slechts; het is niet gewaarborgd voor volumeproductie. APM-de Micro-elektronica gelooft de informatie hierin nauwkeurig en betrouwbaar is, maar geen waarborgen worden gemaakt of betreffende zijn gebruik of om het even welke overtredingen van intellectuele-eigendomsrechten of andere rechten van derde partijen gemaakt.

8, hierin beschreven of bevatte om het even welk en al informatie zijn voor wijzigingen vatbare zonder voorafgaande kennisgeving toe te schrijven aan product/de technologieverbetering, enz. Wanneer het ontwerpen van materiaal, verwijs naar de „Leveringsspecificatie“ voor het APM-Micro-elektronicaproduct dat u van plan bent te gebruiken.

 

Contactgegevens
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Contactpersoon: David

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)

Laat een bericht achter

We bellen je snel terug!