Thuis Productenmosfet machtstransistor

Naar maat gemaakte Mosfet Machtstransistor Laag BIJ de Weerstand AP15N10D

Certificaat
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaten
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaten
Klantenoverzichten
wij samenwerking met Hua Xuan Yang zijn grotendeels toe te schrijven aan hun professionalisme, hun scherpe reactie op de aanpassing van de producten die wij, de regeling van al onze behoeften en, vooral, zij voorziening van de kwaliteitsdiensten hebben gewenst.

—— — — Jason van Canada

In het kader van de aanbeveling van mijn vriend, zijn wij van Hua Xuan Yang, een hogere deskundige in de halfgeleider en de elektronische componentenindustrie op de hoogte, die ons heeft toegelaten om onze kostbare tijd te verminderen en niet poging moeten wagen andere fabrieken.

—— — — Виктор van Rusland

Ik ben online Chatten Nu

Naar maat gemaakte Mosfet Machtstransistor Laag BIJ de Weerstand AP15N10D

Naar maat gemaakte Mosfet Machtstransistor Laag BIJ de Weerstand AP15N10D
Naar maat gemaakte Mosfet Machtstransistor Laag BIJ de Weerstand AP15N10D Naar maat gemaakte Mosfet Machtstransistor Laag BIJ de Weerstand AP15N10D Naar maat gemaakte Mosfet Machtstransistor Laag BIJ de Weerstand AP15N10D

Grote Afbeelding :  Naar maat gemaakte Mosfet Machtstransistor Laag BIJ de Weerstand AP15N10D

Productdetails:
Plaats van herkomst: Shenzhen China
Merknaam: Hua Xuan Yang
Certificering: RoHS、SGS
Modelnummer: AP15N10D
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: onderhandelingen
Prijs: Negotiated
Verpakking Details: In dozen gedaan
Levertijd: 1 - 2 weken
Betalingscondities: L/C T/T Western Union
Levering vermogen: 18,000,000PCS/per Dag

Naar maat gemaakte Mosfet Machtstransistor Laag BIJ de Weerstand AP15N10D

beschrijving
Productnaam: Mosfet Machtstransistor model: AP15N10D
Pak: Aan-252 Het merken: AP15N10D XXX YYYY
VDSDrain-bronvoltage: 100V Rce Voltage VGSGate-Sou: ±20V
Hoog licht:

n kanaalmosfet transistor

,

hoogspanningstransistor

Naar maat gemaakte Mosfet Machtstransistor Laag BIJ de Weerstand AP15N10D

 

Mosfet de Toepassingen van de Machtstransistor

 

De machtsmosefet technologie is van toepassing op vele types van kring. De toepassingen omvatten:

  • Lineaire voedingen
  • Omschakelingsvoedingen
  • Gelijkstroom-gelijkstroom convertors
  • De controle van de laag voltagemotor

Mosfet de Beschrijving van de Machtstransistor:

 

De geavanceerde de geultechnologie van AP15N10D gebruik
en ontwerp om uitstekende RDS () van lage gat te voorzien
e last. Het kan in een grote verscheidenheid van toepassingen worden gebruikt.
Het is geprotesteerd ESD.

 

Mosfet de Eigenschappen van de Machtstransistor

 

VDS =100V, IDENTITEITSKAART =15A
RDS () <112m>

 

Pakket die en tot Informatie merken opdracht geven

 

Product-id Pak Het merken Qty (PCs)
AP15N10D Aan-252 AP15N10D XXX YYYY 2500

 

Absolute Maximumclassificaties (anders genoteerd ℃unless van T C =25)

 

Symbool Parameter Classificatie Eenheden
V DS Afvoerkanaal-bronvoltage 100 V
V GS Rce Voltage poort-Sou ±20 V
Identiteitskaart @TC=25 ℃ Ononderbroken Afvoerkanaalstroom, V GS @ 10V 1 15 A
Identiteitskaart @TC=100 ℃ Ononderbroken Afvoerkanaalstroom, V GS @ 10V 1 7.7 A
Identiteitskaart @TA=25 ℃ Ononderbroken Afvoerkanaalstroom, V GS @ 10V 1 3 A
Identiteitskaart @TA=70 ℃ Ononderbroken Afvoerkanaalstroom, V GS @ 10V 1 2.4 A
IDM Gepulseerde Afvoerkanaalstroom 2 24 A
EAS Enige Energie 3 van de Impulslawine 6.1 mJ
IAS Lawinestroom 11 A
P D@TC =25 ℃ Totale Machtsdissipatie 3 34.7 W
P D@TA =25 ℃ Totale Machtsdissipatie 3 2 W
TSTG De Waaier van de opslagtemperatuur -55 tot 150
TJ De werkende Waaier van de Verbindingstemperatuur -55 tot 150
RθJA Thermische Weerstand verbinding-Omringende 1 62 ℃/W
RθJC Thermisch Weerstands verbinding-Geval 1 3.6 ℃/W

 

Elektrokenmerken (TJ =25 ℃, tenzij anders vermeld)

 

Symbool Parameter Voorwaarden Min. Type. Max. Eenheid
BV DSS Afvoerkanaal-bronanalysevoltage V GS=0V, I D=250uA 100 - - V
△BV DSS/△TJ BVDSS-Temperatuurcoëfficiënt Verwijzing naar 25 ℃, ID=1mA - 0,098 - V/℃
RDS () Statische afvoerkanaal-Bron op-Weerstand 2 V GS=10V, ID=10A - 93 112
V GS=4.5V, ID=8A - 97 120
V GS (Th) Het Voltage van de poortdrempel   1.0 - 2.5 V
           
△VGS (Th) De Temperatuurcoëfficiënt V van GS (Th)   - -4.57 - mV/℃
IDSS Afvoerkanaal-bronlekkagestroom V DS=80V, V GS=0V, TJ =25 ℃ - - 1 RE
V DS=80V, V GS=0V, TJ =55 ℃ - - 5
IGSS Poort-bronlekkagestroom V GS = ±20V, V DS=0V - - ±100 Na
gfs Voorwaartse Transconductance V DS=5V, ID=10A - 13 - S
Rg Poortweerstand V DS=0V, V GS=0V, F=1MHZ - 2 - Ω
Qg Totale Poortlast (10V)   - 26.2 -  
Qgs Poort-bronlast - 4.6 -
Qgd Poort-afvoerkanaal Last - 5.1 -
Td () De Tijd van de inschakelenvertraging

 

V DD=50V, V GS=10V,

RG=3.3

ID=10A

- 4.2 -

 

NS

RT        
Td (weg) De Tijd van de productvertraging - 35.6 -
Tf Dalingstijd - 9.6 -
Ciss Inputcapacitieve weerstand   - 1535 -  
Coss Outputcapacitieve weerstand - 60 -
Crss Omgekeerde Overdrachtcapacitieve weerstand - 37 -
IS Ononderbroken Bronstroom 1,5 V G=VD=0V, dwingt Stroom - - 12 A
ISM Gepulseerde Bronstroom 2,5 - - 24 A
V BR Diode Voorwaarts Voltage 2 V GS=0V, I S=1A, TJ =25 ℃ - - 1.2 V
trr Omgekeerde Terugwinningstijd IF=10A, dI/dt=100A/µs, - 37 - NS
Qrr Omgekeerde Terugwinningslast - 27.3 - nC
Symbool Parameter Voorwaarden Min. Type. Max. Eenheid
BV DSS Afvoerkanaal-bronanalysevoltage V GS=0V, I D=250uA 100 - - V
△BV DSS/△TJ BVDSS-Temperatuurcoëfficiënt Verwijzing naar 25 ℃, ID=1mA - 0,098 - V/℃
RDS () Statische afvoerkanaal-Bron op-Weerstand 2 V GS=10V, ID=10A - 93 112
V GS=4.5V, ID=8A - 97 120
V GS (Th) Het Voltage van de poortdrempel   1.0 - 2.5 V
           
△VGS (Th) De Temperatuurcoëfficiënt V van GS (Th)   - -4.57 - mV/℃
IDSS Afvoerkanaal-bronlekkagestroom V DS=80V, V GS=0V, TJ =25 ℃ - - 1 RE
V DS=80V, V GS=0V, TJ =55 ℃ - - 5
IGSS Poort-bronlekkagestroom V GS = ±20V, V DS=0V - - ±100 Na
gfs Voorwaartse Transconductance V DS=5V, ID=10A - 13 - S
Rg Poortweerstand V DS=0V, V GS=0V, F=1MHZ - 2 - Ω
Qg Totale Poortlast (10V)   - 26.2 -  
Qgs Poort-bronlast - 4.6 -
Qgd Poort-afvoerkanaal Last - 5.1 -
Td () De Tijd van de inschakelenvertraging

 

V DD=50V, V GS=10V,

RG=3.3

ID=10A

- 4.2 -

 

NS

RT        
Td (weg) De Tijd van de productvertraging - 35.6 -
Tf Dalingstijd - 9.6 -
Ciss Inputcapacitieve weerstand   - 1535 -  
Coss Outputcapacitieve weerstand - 60 -
Crss Omgekeerde Overdrachtcapacitieve weerstand - 37 -
IS Ononderbroken Bronstroom 1,5 V G=VD=0V, dwingt Stroom - - 12 A
ISM Gepulseerde Bronstroom 2,5 - - 24 A
V BR Diode Voorwaarts Voltage 2 V GS=0V, I S=1A, TJ =25 ℃ - - 1.2 V
trr Omgekeerde Terugwinningstijd IF=10A, dI/dt=100A/µs, - 37 - NS
Qrr Omgekeerde Terugwinningslast - 27.3 - nC

 

Nota:

1.The gegevens die door oppervlakte opgezet over a1-duim Fr-4 raad met 2OZ-koper worden getest. 2.The gegevens die door gepulseerd worden getest, impulsbreedte ≦ 300us, plichtscyclus ≦2%

de gegevens van 3.The EAS tonen Max. classificatie. De beproevingsomstandigheid is VDD=25V, VGS=10V, L=0.1mH, IAS=11A

4.The de machtsdissipatie wordt beperkt door 150 ℃ verbindingstemperatuur

5. De gegevens zijn theoretisch hetzelfde als IDand IDM, in echte toepassingen, door totale machtsdissipatie zou moeten worden beperkt.

 

Aandacht

 

1, om het even welk en alle APM-hierin beschreven of bevatte Micro-elektronicaproducten hebben geen specificaties die toepassingen kunnen behandelen die uiterst hoge niveaus van betrouwbaarheid, zoals het levenssteunregelingen, aircraft controlesystemen, of andere toepassingen vereisen de waarvan mislukking redelijk kan worden verwacht om in ernstige fysieke en/of materiële schade te resulteren. Raadpleeg uw APM-Micro-elektronica representatieve het meest dichtbijgelegen u alvorens om het even welke APM-Micro-elektronicaproducten die of te gebruiken hierin in dergelijke toepassingen worden beschreven.

2, APM-Micro-elektronica veronderstellen geen verantwoordelijkheid voor materiaalmislukkingen dat resultaat van het gebruiken van producten bij waarden die, zelfs snel voorbijgaand, geschatte waarden (zoals maximumclassificaties, exploitatievoorwaardewaaiers, of andere parameters) die in productenspecificaties van om het even welk en alle APM-hierin beschreven worden vermeld of bevatte Micro-elektronicaproducten overschrijden.

3, de Specificaties van om het even welk en alle APM-Micro-elektronicaproducten beschreven of bevatten instipulate hier de prestaties, de kenmerken, en de functies van de beschreven producten in de onafhankelijke staat, en zijn geen waarborgen van de prestaties, de kenmerken, en de functies van de beschreven producten zoals opgezet in het de producten of materiaal van de klant. Om symptomen en staten te verifiëren die niet in een onafhankelijk apparaat kunnen worden geëvalueerd, zou de klant apparaten evalueren en altijd moeten testen opgezet in het de producten of materiaal van de klant.

4, APM-Co. van de Micro-elektronicahalfgeleider, Ltd streven ernaar om hoogte te leveren - producten van de kwaliteits de hoge betrouwbaarheid. Nochtans, ontbreken om het even welk en alle halfgeleiderproducten met wat waarschijnlijkheid. Het is mogelijk dat deze probabilistic mislukkingen tot ongevallen of gebeurtenissen konden leiden die mensenlevens konden in gevaar brengen die tot rook of brand konden leiden, of die schade aan ander bezit konden veroorzaken. Het Whendesigningsmateriaal, keurt veiligheidsmaatregelen goed zodat deze soorten ongevallen of gebeurtenissen niet kunnen voorkomen. Dergelijke maatregelen omvatten maar zijn niet beperkt tot beschermende kringen en de kringen van de foutenpreventie voor veilig ontwerp, overtollig ontwerp, en structureel ontwerp.

5, in het geval dat om het even welk of alle APM-hierin beschreven of bevatte Micro-elektronicaproducten (met inbegrip van technische gegevens, de diensten) in het kader van om het even welk van toepasselijke lokale uitvoercontrolewetten en verordeningen worden gecontroleerd, dergelijke producten moeten niet worden uitgevoerd zonder de de uitvoervergunning uit de autoriteiten te verkrijgen betrokken overeenkomstig de bovengenoemde wet.

6, Geen deel van deze publicatie kunnen in om het even welke vorm of op om het even welke manier, elektronisch of mechanisch, met inbegrip van het fotokopiëren van en het registreren, of om het even welk informatieopslag of herwinningssysteem, of anders, zonder de vroegere geschreven toestemming van APM-Co. van de Micro-elektronicahalfgeleider, Ltd worden gereproduceerd of worden overgebracht.

7, Informatie (met inbegrip van schakelschema's en kringsparameters) zijn hierin bijvoorbeeld slechts; het is niet gewaarborgd voor volumeproductie. APM-de Micro-elektronica gelooft de informatie hierin nauwkeurig en betrouwbaar is, maar geen waarborgen worden gemaakt of betreffende zijn gebruik of om het even welke overtredingen van intellectuele-eigendomsrechten of andere rechten van derde partijen gemaakt.

8, hierin beschreven of bevatte om het even welk en al informatie zijn voor wijzigingen vatbare zonder voorafgaande kennisgeving toe te schrijven aan product/de technologieverbetering, enz. Wanneer het ontwerpen van materiaal, verwijs naar de „Leveringsspecificatie“ voor het APM-Micro-elektronicaproduct dat u van plan bent te gebruiken.

 

Contactgegevens
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Contactpersoon: David

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)

Laat een bericht achter

We bellen je snel terug!