AP10H06S n-Kanaalmos Gebiedseffect Transistor Hoge Frequentie

AP10H06S n-Kanaalmos Gebiedseffect Transistor Hoge Frequentie

N Kanaalmos Gebiedseffect Transistortypes

Binnen de algemene arena van machtsmosfets, zijn er een aantal specifieke technologieën die zijn ontwikkeld en door verschillende fabrikanten gericht. Zij gebruiken een aantal verschillende technieken die machtsmosfets toelaten om de stroom te dragen en de machtsniveaus efficiënter te behandelen. Zoals reeds vermeld nemen zij vaak een vorm van verticale structuur op

De verschillende types van machtsmosfet hebben verschillende attributen en daarom kunnen in het bijzonder voor bepaalde toepassingen worden aangepast.

• Vlakmachtsmosfet: Dit is de basisvorm van machtsmosfet. Het is goed voor hoogspanningsclassificaties omdat de weerstand door de epi-layer weerstand wordt overheerst. Deze structuur wordt over het algemeen gebruikt wanneer een hoge celdichtheid niet wordt vereist.
• VMOS: VMOS-machtsmosfets zijn beschikbaar vele jaren geweest. Het basisconcept gebruikt een V-groefstructuur om een meer verticale stroom van de stroom toe te laten, daardoor lager verstrekkend OP weerstandsniveaus en betere omschakelingskenmerken. Hoewel gebruikt voor machtsomschakeling, kunnen zij ook voor versterkers van de hoge frequentie de kleine rf macht worden gebruikt.
• UMOS: De UMOS-versie van machtsmosfet gebruikt een bosje gelijkend op dat VMOS-FET. Nochtans heeft het bosje een vlakkere bodem aan het en verstrekt sommige verschillende voordelen.
• HEXFET: Deze vorm van machtsmosfet gebruikt een hexagonale structuur om het huidige vermogen te verstrekken.
• TrenchMOS: Opnieuw TrenchMOS-machts gebruikt MOSFET een gelijkaardige basisbosje of een geul in het basissilicium om betere behandelende capaciteit en kenmerken te verstrekken. In het bijzonder, worden MOSFETs van de Geulmacht hoofdzakelijk gebruikt voor voltages boven 200 volts wegens hun kanaaldichtheid en vandaar hun lager BIJ de weerstand.

N Kanaalmos Gebiedseffect Transistoreigenschappen

VDS = 60V-identiteitskaart =10A
RDS () < 20m="">

N Kanaalmos Gebiedseffect Transistortoepassing

Batterijbescherming
Ladingsschakelaar
Noodvoeding

Pakket die en tot Informatie merken opdracht geven

Absolute Maximumclassificaties (anders genoteerde TC=25℃unless)

Elektrokenmerken (anders genoteerde TC=25℃unless)

Nota

1. Herhaalde Classificatie: Impulsbreedte door maximumverbindingstemperatuur die wordt beperkt.

2. Oppervlakte Opgezet op FR4-Raad, t ≤ 10 seconden.

3. Impulstest: Impulsbreedte ≤ 300 μs, Plichtscyclus ≤ 2%.

4. Met opzet gewaarborgd, niet onderworpen aan productie

Aandacht

1, om het even welk en alle APM-hierin beschreven of bevatte Micro-elektronicaproducten hebben geen specificaties die toepassingen kunnen behandelen die uiterst hoge niveaus van betrouwbaarheid, zoals het levenssteunregelingen, aircraft controlesystemen, of andere toepassingen vereisen de waarvan mislukking redelijk kan worden verwacht om in ernstige fysieke en/of materiële schade te resulteren. Raadpleeg uw APM-Micro-elektronica representatieve het meest dichtbijgelegen u alvorens om het even welke die APM-Micro-elektronicaproducten of te gebruiken hierin in dergelijke toepassingen worden beschreven.

2, APM-Micro-elektronica veronderstellen geen verantwoordelijkheid voor materiaalmislukkingen dat resultaat van het gebruiken van producten bij waarden die, zelfs snel voorbijgaand, geschatte waarden (zoals maximumclassificaties, exploitatievoorwaardewaaiers, of andere die parameters) in productenspecificaties van om het even welk en alle APM-hierin beschreven worden vermeld of bevatte Micro-elektronicaproducten overschrijden.

3, de Specificaties van om het even welk en alle APM-Micro-elektronicaproducten beschreven of bevatten instipulate hier de prestaties, de kenmerken, en de functies van de beschreven producten in de onafhankelijke staat, en zijn geen waarborgen van de prestaties, de kenmerken, en de functies van de beschreven producten zoals opgezet in het de producten of materiaal van de klant. Om symptomen en staten te verifiëren die niet in een onafhankelijk apparaat kunnen worden geëvalueerd, zou de klant apparaten evalueren en altijd moeten testen opgezet in het de producten of materiaal van de klant.

4, APM-Co. van de Micro-elektronicahalfgeleider, Ltd streven ernaar om hoogte te leveren - producten van de kwaliteits de hoge betrouwbaarheid. Nochtans, ontbreken om het even welk en alle halfgeleiderproducten met wat waarschijnlijkheid. Het is mogelijk dat deze probabilistic mislukkingen tot ongevallen of gebeurtenissen konden leiden die mensenlevens konden in gevaar brengen die tot rook of brand konden leiden, of die schade aan ander bezit konden veroorzaken. Het Whendesigningsmateriaal, keurt veiligheidsmaatregelen goed zodat deze soorten ongevallen of gebeurtenissen niet kunnen voorkomen. Dergelijke maatregelen omvatten maar zijn niet beperkt tot beschermende kringen en de kringen van de foutenpreventie voor veilig ontwerp, overtollig ontwerp, en structureel ontwerp.

5, in het geval dat om het even welk of alle APM-hierin beschreven of bevatte Micro-elektronicaproducten (met inbegrip van technische gegevens, de diensten) in het kader van om het even welk van toepasselijke lokale uitvoercontrolewetten en verordeningen worden gecontroleerd, dergelijke producten moeten niet worden uitgevoerd zonder de de uitvoervergunning uit de autoriteiten te verkrijgen betrokken overeenkomstig de bovengenoemde wet.

6, Geen deel van deze publicatie kunnen in om het even welke vorm of op om het even welke manier, elektronisch of mechanisch, met inbegrip van het fotokopiëren van en het registreren, of om het even welk informatieopslag of herwinningssysteem, of anders, zonder de vroegere geschreven toestemming van APM-Co. van de Micro-elektronicahalfgeleider, Ltd worden gereproduceerd of worden overgebracht.