Thuis ProductenMos Gebiedseffect Transistor

Naar maat gemaakte Mos Gebiedseffect Transistor met Laag bij de Weerstand van de Staat

Certificaat
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaten
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaten
Klantenoverzichten
wij samenwerking met Hua Xuan Yang zijn grotendeels toe te schrijven aan hun professionalisme, hun scherpe reactie op de aanpassing van de producten die wij, de regeling van al onze behoeften en, vooral, zij voorziening van de kwaliteitsdiensten hebben gewenst.

—— — — Jason van Canada

In het kader van de aanbeveling van mijn vriend, zijn wij van Hua Xuan Yang, een hogere deskundige in de halfgeleider en de elektronische componentenindustrie op de hoogte, die ons heeft toegelaten om onze kostbare tijd te verminderen en niet poging moeten wagen andere fabrieken.

—— — — Виктор van Rusland

Ik ben online Chatten Nu

Naar maat gemaakte Mos Gebiedseffect Transistor met Laag bij de Weerstand van de Staat

Naar maat gemaakte Mos Gebiedseffect Transistor met Laag bij de Weerstand van de Staat
Naar maat gemaakte Mos Gebiedseffect Transistor met Laag bij de Weerstand van de Staat

Grote Afbeelding :  Naar maat gemaakte Mos Gebiedseffect Transistor met Laag bij de Weerstand van de Staat

Productdetails:
Plaats van herkomst: Shenzhen China
Merknaam: Hua Xuan Yang
Certificering: RoHS、SGS
Modelnummer: G210P06LQ1 D-U-V
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: onderhandelingen
Prijs: Negotiated
Verpakking Details: In dozen gedaan
Levertijd: 1 - 2 weken
Betalingscondities: L/C T/T Western Union
Levering vermogen: 18,000,000PCS/per Dag

Naar maat gemaakte Mos Gebiedseffect Transistor met Laag bij de Weerstand van de Staat

beschrijving
Naam van het product: Mos Gebiedseffect Transistor V DSS afvoerkanaal-Bronvoltage: -60 V
V GSS-poort-Bronvoltage: ±20 V T J Maximumverbindingstemperatuur: 175°C
T STG de Waaier van de Opslagtemperatuur: -55 tot 175 °C I s-huidig-Ononderbroken Bron (Lichaamsdiode): -40A
Hoog licht:

logicamosfet schakelaar

,

mosfet bestuurder die transistor gebruikt

Naar maat gemaakte Mos Gebiedseffect Transistor met Laag bij de Weerstand van de Staat

 

Mos Gebiedseffect Transistoreigenschap

 

-60V/-40A
R DS () = 19mΩ (type.) @V GS = -10V
R DS () = 25mΩ (type.) @V GS = -4.5V
100% geteste lawine
Betrouwbaar en Ruw
Beschikbare halogeen Vrije en Groene Apparaten
(Volgzame RoHS)

 

Mos Gebiedseffect Transistortoepassingen

 

Energiebeheer in DC/DC-convertor.

Ladingsomschakeling.

Motorcontrole.

 

Het opdracht geven van en het Merken van tot Informatie

 

D U V

G210P06 G210P06 G210P06

 

Pakketcode

 

D: AAN-252-2L U: AAN-251-3L V: Aan-251-3S

 

Datumcode

 

Nota: De loodvrije producten van HUAYI bevatten vormende samenstellingen/matrijs vastmaken materialen en 100%-steentin plateTermi-
De natie eindigt; welke met RoHS volledig volgzaam zijn. De loodvrije producten van HUAYI ontmoeten of overschrijden loodvrij vereisen
ments van IPC/JEDEC j-std-020 voor MSL-classificatie bij loodvrije piekterugvloeiingstemperatuur. HUAYI bepaalt „Groen“
om loodvrij (volgzame RoHS) en vrij halogeen te betekenen (Br of Cl overschrijden in gewicht geen 900ppm in homogeen
materieel en totaal van Br en Cl overschrijdt in gewicht geen 1500ppm).
HUAYI be*houdt zich het recht voor veranderingen, correcties, verhogingen, wijzigingen, en verbeteringen aan dit PR aan te brengen
- oduct en/of aan dit document op elk ogenblik zonder voorafgaande kennisgeving.

 

Absolute Maximumclassificaties

 

Naar maat gemaakte Mos Gebiedseffect Transistor met Laag bij de Weerstand van de Staat 0

Naar maat gemaakte Mos Gebiedseffect Transistor met Laag bij de Weerstand van de Staat 1

 

Contactgegevens
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Contactpersoon: David

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)

Laat een bericht achter

We bellen je snel terug!