Thuis Productenmosfet machtstransistor

N Kanaalmosfet de Kringsomschakeling van de Machtstransistor 2A 600V voor LEIDENE Aandrijving

Certificaat
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaten
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaten
Klantenoverzichten
wij samenwerking met Hua Xuan Yang zijn grotendeels toe te schrijven aan hun professionalisme, hun scherpe reactie op de aanpassing van de producten die wij, de regeling van al onze behoeften en, vooral, zij voorziening van de kwaliteitsdiensten hebben gewenst.

—— — — Jason van Canada

In het kader van de aanbeveling van mijn vriend, zijn wij van Hua Xuan Yang, een hogere deskundige in de halfgeleider en de elektronische componentenindustrie op de hoogte, die ons heeft toegelaten om onze kostbare tijd te verminderen en niet poging moeten wagen andere fabrieken.

—— — — Виктор van Rusland

Ik ben online Chatten Nu

N Kanaalmosfet de Kringsomschakeling van de Machtstransistor 2A 600V voor LEIDENE Aandrijving

N Kanaalmosfet de Kringsomschakeling van de Machtstransistor 2A 600V voor LEIDENE Aandrijving
N Kanaalmosfet de Kringsomschakeling van de Machtstransistor 2A 600V voor LEIDENE Aandrijving

Grote Afbeelding :  N Kanaalmosfet de Kringsomschakeling van de Machtstransistor 2A 600V voor LEIDENE Aandrijving

Productdetails:
Plaats van herkomst: Shenzhen China
Merknaam: Hua Xuan Yang
Certificering: RoHS、SGS
Modelnummer: 5N20DY AAN-252
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: onderhandelingen
Prijs: Negotiated
Verpakking Details: In dozen gedaan
Levertijd: 1 - 2 weken
Betalingscondities: L/C T/T Western Union
Levering vermogen: 18,000,000PCS/per Dag

N Kanaalmosfet de Kringsomschakeling van de Machtstransistor 2A 600V voor LEIDENE Aandrijving

beschrijving
Naam van het product: mosfet machtstransistor Type: N Kanaal
Modelnummer: 5N20DY AAN-252 Afvoerkanaal-bronvoltage: 200 V
Poort-bronvoltage: ±20V Toepassingen: LEIDENE aandrijving
Hoog licht:

n kanaalmosfet transistor

,

hoogspanningstransistor

N Kanaalmosfet de Kringsomschakeling van de Machtstransistor 2A 600V voor LEIDENE Aandrijving

 

Mosfet de Beschrijving van de Machtstransistor

 

De geavanceerde geul van AP50N20D gebruik

technologie om uitstekende RDS () en lage poortlast te verstrekken.

Bijkomende MOSFETs kunnen worden gebruikt om een vlak verplaatste hoge zijschakelaar, en voor een gastheer van andere te vormen

 

Mosfet de Algemene Eigenschappen van de Machtstransistor


V DS =200V, I D =5A
R DS () <520m>

 

Mosfet de Toepassing van de Machtstransistor

 

Ladingsomschakeling

De Noodvoeding hard van geschakelde en hoge frequentiekringen

 

Pakket dat en tot Informatie merkt opdracht geeft

 

Product-id Pak Het merken Qty (PCs)
5N20D Aan-252 5N20D 3000
5N20Y Aan-251 5N20Y 4000

 

Absolute Maximumclassificaties (anders genoteerde TA=25℃unless)

 

Parameter Symbool Grens Eenheid
Afvoerkanaal-bronvoltage VDS 200 V
Poort-bronvoltage VGS ±20 V
Huidig-Ononderbroken afvoerkanaal Identiteitskaart 5 A
Huidig-Gepulseerd afvoerkanaal (Nota 1) IDM 20 A
Maximummachtsdissipatie PD 30 W
Werkende Verbinding en Opslagtemperatuurwaaier TJ, TSTG -55 tot 150

 

Thermisch Kenmerk

 

Thermische verbinding-aan-Omringende Weerstand, (Nota 2) RθJA 4.17 ℃/W

 

Elektrokenmerken (anders genoteerde TA=25℃unless)

 

Parameter Symbool Voorwaarde Min Type Maximum Eenheid
Van Kenmerken
Afvoerkanaal-bronanalysevoltage BVDSS VGS=0V ID=250μA 200 - - V
Nul het Afvoerkanaalstroom van het Poortvoltage IDSS VDS=200V, VGS=0V - - 1 μA
Poort-lichaam Lekkagestroom IGSS VGS=±20V, VDS=0V - - ±100 Na
Op Kenmerken (Nota 3)
Het Voltage van de poortdrempel VGS (Th) VDS=VGS, ID=250μA 1.2 1.7 2.5 V
Weerstand de afvoerkanaal-bron van de op-Staat RDS () VGS=10V, ID=2A - 520 580 mΩ
Voorwaartse Transconductance gFS VDS=15V, ID=2A - 8 - S
Dynamische Kenmerken (Note4)
Inputcapacitieve weerstand Clss

 

VDS=25V, VGS=0V, F=1.0MHz

- 580 - PF
Outputcapacitieve weerstand Coss - 90 - PF
Omgekeerde Overdrachtcapacitieve weerstand Crss - 3 - PF
Omschakelingskenmerken (Nota 4)
De Tijd van de inschakelenvertraging td ()

 

VDD=100V, RL=15Ω VGS=10V, RG=2.5Ω

- 10 - NS
De Tijd van de inschakelenstijging RT - 12 - NS
De Tijd van de productvertraging td (weg) - 15 - NS
De Tijd van de productdaling tf - 15 - NS
Totale Poortlast Qg

 

VDS=100V, ID=2A, VGS=10V

- 12   nC
Poort-bronlast Qgs - 2.5 - nC
Poort-afvoerkanaal Last Qgd - 3.8 - nC
Afvoerkanaal-brondiodekenmerken
Diode Voorwaarts Voltage (Nota 3) VSD VGS=0V, IS=2A - - 1.2 V
Diode Voorwaartse Stroom (Nota 2) IS   - - 5 A

 

Nota's:

  1. Herhaalde Classificatie: Impulsbreedte die door maximumverbindingstemperatuur wordt beperkt.
  2. Oppervlakte Opgezet op FR4-Raad, t ≤ 10 seconden.
  3. Impulstest: Impulsbreedte ≤ 300μs, Plichtscyclus ≤ 2%.
  4. Met opzet gewaarborgd, niet onderworpen aan productie

N Kanaalmosfet de Kringsomschakeling van de Machtstransistor 2A 600V voor LEIDENE Aandrijving 0

N Kanaalmosfet de Kringsomschakeling van de Machtstransistor 2A 600V voor LEIDENE Aandrijving 1

N Kanaalmosfet de Kringsomschakeling van de Machtstransistor 2A 600V voor LEIDENE Aandrijving 2

N Kanaalmosfet de Kringsomschakeling van de Machtstransistor 2A 600V voor LEIDENE Aandrijving 3

 

Symbool

Afmetingen in Millimeter Afmetingen in Duim
Min. Max. Min. Max.
A 2,200 2,400 0,087 0,094
A1 0,000 0,127 0,000 0,005
B 0,660 0,860 0,026 0,034
c 0,460 0,580 0,018 0,023
D 6,500 6,700 0,256 0,264
D1 5,100 5,460 0,201 0,215
D2 TYPE 0,483. TYPE 0,190.
E 6,000 6,200 0,236 0,244
e 2,186 2,386 0,086 0,094
L 9,800 10,400 0,386 0,409
L1 2.900 TYPE. TYPE 0,114.
L2 1,400 1,700 0,055 0,067
L3 1.600 TYPE. TYPE 0,063.
L4 0,600 1,000 0,024 0,039
Φ 1,100 1,300 0,043 0,051
θ
h 0,000 0,300 0,000 0,012
V 5.350 TYPE. TYPE 0,211.

 

N Kanaalmosfet de Kringsomschakeling van de Machtstransistor 2A 600V voor LEIDENE Aandrijving 4

Contactgegevens
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Contactpersoon: David

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)

Laat een bericht achter

We bellen je snel terug!