Thuis Productenmosfet machtstransistor

De krachtige Transistor van het Logicaniveau/n-Kanaalmosfet Schakelaar 2N60 aan-220F

Certificaat
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaten
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaten
Klantenoverzichten
wij samenwerking met Hua Xuan Yang zijn grotendeels toe te schrijven aan hun professionalisme, hun scherpe reactie op de aanpassing van de producten die wij, de regeling van al onze behoeften en, vooral, zij voorziening van de kwaliteitsdiensten hebben gewenst.

—— — — Jason van Canada

In het kader van de aanbeveling van mijn vriend, zijn wij van Hua Xuan Yang, een hogere deskundige in de halfgeleider en de elektronische componentenindustrie op de hoogte, die ons heeft toegelaten om onze kostbare tijd te verminderen en niet poging moeten wagen andere fabrieken.

—— — — Виктор van Rusland

Ik ben online Chatten Nu

De krachtige Transistor van het Logicaniveau/n-Kanaalmosfet Schakelaar 2N60 aan-220F

De krachtige Transistor van het Logicaniveau/n-Kanaalmosfet Schakelaar 2N60 aan-220F
De krachtige Transistor van het Logicaniveau/n-Kanaalmosfet Schakelaar 2N60 aan-220F De krachtige Transistor van het Logicaniveau/n-Kanaalmosfet Schakelaar 2N60 aan-220F

Grote Afbeelding :  De krachtige Transistor van het Logicaniveau/n-Kanaalmosfet Schakelaar 2N60 aan-220F

Productdetails:
Plaats van herkomst: Shenzhen China
Merknaam: Hua Xuan Yang
Certificering: RoHS、SGS
Modelnummer: 2N60- Aan-220F
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: onderhandelingen
Prijs: Negotiated
Verpakking Details: In dozen gedaan
Levertijd: 1 - 2 weken
Betalingscondities: L/C T/T Western Union
Levering vermogen: 18,000,000PCS/per Dag

De krachtige Transistor van het Logicaniveau/n-Kanaalmosfet Schakelaar 2N60 aan-220F

beschrijving
Naam van het product: De Transistor van het logicaniveau Functies: Krachtige
Modelnummer: 2N60- Aan-220F Afvoerkanaal-bronvoltage: 600v
Poort-bronvoltage: ± 30V Type: N Kanaalmosfet Schakelaar
Hoog licht:

n kanaalmosfet transistor

,

hoogspanningstransistor

De krachtige Transistor van het Logicaniveau/n-Kanaalmosfet Schakelaar 2N60 aan-220F
 
De Transistorbeschrijving van het logicaniveau
 
UTC 2N60-TC3 is MOSFET van de hoogspanningsmacht en ontworpen om betere kenmerken, zoals snelle omschakelingstijd, lage poortlast, de lage weerstand van de op-staat te hebben en een hoge ruwe lawinekenmerken te hebben. Dit machtsmosfet wordt gewoonlijk gebruikt bij de toepassingen van de hoge snelheidsomschakeling in voedingen, PWM-motorcontroles, hoge efficiënte gelijkstroom aan gelijkstroom convertors en brugkringen.
 
De Transistoreigenschappen van het logicaniveau
 
* RDS () < 7="">* Hoge Omschakelingssnelheid
 
De Transistorsymbool van het logicaniveau
De krachtige Transistor van het Logicaniveau/n-Kanaalmosfet Schakelaar 2N60 aan-220F 0
HET OPDRACHT GEVEN VAN TOT INFORMATIE

Het opdracht geven van tot Aantal

Pakket

Speldtaak

Verpakking

Loodvrij

Vrij halogeen

1

2

3

2n60l-tf1-t

2n60g-tf1-t

Aan-220F1

G

D

S

Buis

2n60l-tf3-t

2n60g-tf3-t

Aan-220F

G

D

S

Buis

2n60l-tm3-t

2n60g-tm3-t

Aan-251

G

D

S

Buis


Nota: Speldtaak: G: Poort D: Afvoerkanaal S: Bron
 
De krachtige Transistor van het Logicaniveau/n-Kanaalmosfet Schakelaar 2N60 aan-220F 1
Het MERKEN
De krachtige Transistor van het Logicaniveau/n-Kanaalmosfet Schakelaar 2N60 aan-220F 2
ABSOLUTE MAXIMUMclassificaties (TC = 25°С, tenzij anders gespecificeerd)
 

PARAMETER

SYMBOOL

CLASSIFICATIES

EENHEID

Afvoerkanaal-bronvoltage

VDSS

600

V

Poort-bronvoltage

VGSS

± 30

V

Afvoerkanaalstroom

Ononderbroken

Identiteitskaart

2

A

Gepulseerd (Nota 2)

IDM

4

A

Lawineenergie

Gepulseerd enig (Nota 3)

EAS

84

mJ

Piekdiodeterugwinning dv/dt (Nota 4)

dv/dt

4.5

V/ns

Machtsdissipatie

Aan-220f/to-220F1

PD

23

W

Aan-251

44

W

Verbindingstemperatuur

TJ

+150

°C

Opslagtemperatuur

TSTG

-55 ~ +150

°C

Nota's: 1. De absolute maximumclassificaties zijn die waarden waarvoorbij het apparaat permanent zou kunnen worden beschadigd.
De absolute maximumclassificaties zijn slechts spanningsclassificaties en de functionele apparatenverrichting is niet impliciet.

  1. Herhaalde Classificatie: Impulsbreedte door maximumverbindingstemperatuur die wordt beperkt.

  2. L = 84mH, IAS =1.4A, VDD = 50V, RG = 25 Ω die TJ = 25°C beginnen

  3. ISD ≤ die 2.0A, di/dt ≤200A/μs, VDD ≤BVDSS, TJ = 25°C beginnen

THERMISCHE GEGEVENS
 

PARAMETER

SYMBOOL

CLASSIFICATIES

EENHEID

Verbinding aan Omringend

Aan-220f/to-220F1

θJA

62.5

°C/W

Aan-251

100

°C/W

Verbinding aan Geval

Aan-220f/to-220F1

θJC

5.5

°C/W

Aan-251

2.87

°C/W

 
ELEKTROkenmerken (TJ = 25°С, tenzij anders gespecificeerd)
 

PARAMETER

SYMBOOL

BEPROEVINGSOMSTANDIGHEDEN

Min

TYPE

MAXIMUM

EENHEID

VAN KENMERKEN

Afvoerkanaal-bronanalysevoltage

BVDSS

VGS=0V, ID= 250μA

600

 

 

V

Afvoerkanaal-bronlekkagestroom

IDSS

VDS=600V, VGS=0V

 

 

1

µA

Poort-bronlekkagestroom

Door:sturen

IGSS

VGS=30V, VDS=0V

 

 

100

Na

Omgekeerde

VGS=-30V, VDS=0V

 

 

-100

Na

OP KENMERKEN

Het Voltage van de poortdrempel

VGS (TH)

VDS=VGS, ID=250μA

2.0

 

4.0

V

De statische Weerstand afvoerkanaal-Bron van de op-Staat

RDS ()

VGS=10V, ID=1.0A

 

 

7.0

DYNAMISCHE KENMERKEN

Inputcapacitieve weerstand

CISS

 
VGS=0V, VDS=25V, f=1.0 Mhz

 

190

 

pF

Outputcapacitieve weerstand

COSS

 

28

 

pF

Omgekeerde Overdrachtcapacitieve weerstand

CRSS

 

2

 

pF

OMSCHAKELINGSkenmerken

Totale Poortlast (Nota 1)

QG

VDS=200V, VGS=10V, ID=2.0A IG=1mA (Nota 1, 2)

 

7

 

nC

Gateourcelast

QGS

 

2.9

 

nC

Poort-afvoerkanaal Last

QGD

 

1.9

 

nC

De Tijd van de inschakelenvertraging (Nota 1)

tD ()

 
VDS=300V, VGS=10V, ID=2.0A, RG=25Ω (Nota 1, 2)

 

4

 

NS

Stijgingstijd

RT

 

16

 

NS

De Tijd van de productvertraging

tD (WEG)

 

16

 

NS

Daling-tijd

tF

 

19

 

NS

DE CLASSIFICATIES EN DE KENMERKEN VAN DE BRONafvoerkanaaldiode

Maximum lichaam-Diode Ononderbroken Stroom

IS

 

 

 

2

A

De maximum lichaam-Diode pulseerde Stroom

ISM

 

 

 

8

A

Afvoerkanaal-brondiode Voorwaarts Voltage (Nota 1)

VSD

VGS=0V, IS=2.0A

 

 

1.4

V

Omgekeerde Terugwinningstijd (Nota 1)

trr

VGS=0V, IS=2.0A,
dIF/dt=100A/µs (Note1)

 

232

 

NS

Omgekeerde Terugwinningslast

Qrr

 

1.1

 

µC

Nota's: 1. Impulstest: Impulsbreedte ≤ 300µs, Plichtscyclus ≤ 2%.
   Hoofdzakelijk onafhankelijke van werkende temperatuur.
 
De krachtige Transistor van het Logicaniveau/n-Kanaalmosfet Schakelaar 2N60 aan-220F 3
De krachtige Transistor van het Logicaniveau/n-Kanaalmosfet Schakelaar 2N60 aan-220F 4
De krachtige Transistor van het Logicaniveau/n-Kanaalmosfet Schakelaar 2N60 aan-220F 5
De krachtige Transistor van het Logicaniveau/n-Kanaalmosfet Schakelaar 2N60 aan-220F 6
De krachtige Transistor van het Logicaniveau/n-Kanaalmosfet Schakelaar 2N60 aan-220F 7
 

Contactgegevens
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Contactpersoon: David

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)

Laat een bericht achter

We bellen je snel terug!