Thuis Productenmosfet machtstransistor

OEM N Kanaalmosfet Transistor, Kleine Mosfet de Verhogingswijze van de Machtsschakelaar

Certificaat
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaten
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaten
Klantenoverzichten
wij samenwerking met Hua Xuan Yang zijn grotendeels toe te schrijven aan hun professionalisme, hun scherpe reactie op de aanpassing van de producten die wij, de regeling van al onze behoeften en, vooral, zij voorziening van de kwaliteitsdiensten hebben gewenst.

—— — — Jason van Canada

In het kader van de aanbeveling van mijn vriend, zijn wij van Hua Xuan Yang, een hogere deskundige in de halfgeleider en de elektronische componentenindustrie op de hoogte, die ons heeft toegelaten om onze kostbare tijd te verminderen en niet poging moeten wagen andere fabrieken.

—— — — Виктор van Rusland

Ik ben online Chatten Nu

OEM N Kanaalmosfet Transistor, Kleine Mosfet de Verhogingswijze van de Machtsschakelaar

OEM N Kanaalmosfet Transistor, Kleine Mosfet de Verhogingswijze van de Machtsschakelaar
OEM N Kanaalmosfet Transistor, Kleine Mosfet de Verhogingswijze van de Machtsschakelaar

Grote Afbeelding :  OEM N Kanaalmosfet Transistor, Kleine Mosfet de Verhogingswijze van de Machtsschakelaar

Productdetails:
Plaats van herkomst: Shenzhen China
Merknaam: Hua Xuan Yang
Certificering: RoHS、SGS
Modelnummer: 12N60
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: 1000-2000 PCs
Prijs: Negotiated
Verpakking Details: In dozen gedaan
Levertijd: 1 - 2 weken
Betalingscondities: L/C T/T Western Union
Levering vermogen: 18,000,000PCS/per Dag

OEM N Kanaalmosfet Transistor, Kleine Mosfet de Verhogingswijze van de Machtsschakelaar

beschrijving
Naam van het product: mosfet machtstransistor Toepassing: Machtsbeheer
Functie: Uitstekende RDS () Machtsmosfet Transistor: De Machtsmosfet van de verhogingswijze
Modelnummer: 12N60 Type: n kanaalmosfet transistor
Hoog licht:

n kanaalmosfet transistor

,

hoogspanningstransistor

OEM N Kanaalmosfet Transistor, Kleine Mosfet de Verhogingswijze van de Machtsschakelaar

 

N Kanaalmosfet Transistorbeschrijving

UTC 12n60-c is MOSFET van de hoogspanningsmacht wordt ontworpen om betere kenmerken, zoals snelle omschakelingstijd, lage poortlast, de lage weerstand van de op-staat en hoge ruwe lawinekenmerken te hebben dat. Dit machtsmosfet wordt gewoonlijk gebruikt in de toepassingen van de hoge snelheidsomschakeling van omschakelingsvoedingen en adapters.

OEM N Kanaalmosfet Transistor, Kleine Mosfet de Verhogingswijze van de Machtsschakelaar 0

 

N Kanaalmosfet Transistoreigenschappen

  * RDS()< 0=""> GS = 10 V, ID = 6,0 A

* Snel omschakelingsvermogen

* Geteste lawineenergie

* Beter dv/dt-vermogen, hoge ruwheid

 

OEM N Kanaalmosfet Transistor, Kleine Mosfet de Verhogingswijze van de Machtsschakelaar 1

 

HET OPDRACHT GEVEN VAN TOT INFORMATIE

Het opdracht geven van tot Aantal Pakket Speldtaak Verpakking
Loodvrij Vrij halogeen   1 2 3  
12n60l-tf1-t 12n60g-tf1-t Aan-220F1 G D S Buis
12n60l-tf3-t 12n60g-tf3-t Aan-220F G D S Buis

 

 

Nota: Speldtaak: G: Poort D: Afvoerkanaal S: Bron

 

 

OEM N Kanaalmosfet Transistor, Kleine Mosfet de Verhogingswijze van de Machtsschakelaar 2

 

ABSOLUTE MAXIMUMclassificaties (TC = 25°С, tenzij anders gespecificeerd)

 

PARAMETER SYMBOOL BEPROEVINGSOMSTANDIGHEDEN Min TYPE MAXIMUM UNI T
VAN KENMERKEN
Afvoerkanaal-bronanalysevoltage BVDSS VGS=0V, ID=250μA 600     V
Afvoerkanaal-bronlekkagestroom IDSS VDS=600V, VGS=0V     1 μA
Poort Bronlekkagestroom Door:sturen IGSS VGS=30V, VDS=0V     100 Na
Omgekeerde VGS=-30V, VDS=0V     -100 Na
OP KENMERKEN
Het Voltage van de poortdrempel VGS (TH) VDS=VGS, ID=250μA 2.0   4.0 V
De statische Weerstand afvoerkanaal-Bron van de op-Staat RDS () VGS=10V, ID=6.0A     0,7
DYNAMISCHE KENMERKEN
Inputcapacitieve weerstand CISS

 

VGS=0V, VDS=25V, F =1.0 Mhz

  1465   pF
Outputcapacitieve weerstand COSS   245   pF
Omgekeerde Overdrachtcapacitieve weerstand CRSS   57   pF
OMSCHAKELINGSkenmerken
Totale Poortlast (Nota 1) QG VDS=50V, ID=1.3A, IG=100μA VGS=10V (Nota 1,2)   144   nC
Poort-bronlast QGS   10   nC
Poort-afvoerkanaal Last QGD   27   nC
De Tijd van de inschakelenvertraging (Nota 1) tD ()

 

VDD =30V, ID =0.5A,

RG =25Ω, VGS=10V (Nota 1,2)

  81   NS
De Tijd van de inschakelenstijging tR   152   NS
De Tijd van de productvertraging tD (WEG)   430   NS
De Tijd van de productdaling tF   215   NS
AFVOERKANAAL-BRON DIODEkenmerken EN MAXIMUMclassificaties
De maximum Ononderbroken afvoerkanaal-Brondiode door:sturen Stroom IS       12 A

Maximum Gepulseerde afvoerkanaal-Brondiode

Voorwaartse Stroom

ISM       48 A
De afvoerkanaal-brondiode door:sturen Voltage VSD VGS=0 V, IS=6.0 A     1.4 V
Omgekeerde Terugwinningstijd trr

VGS=0 V, IS=6.0 A,

DiF/dt=100 A/μs (Nota 1)

  336   NS
Omgekeerde Terugwinningslast Qrr   2.21   μC

Nota's: 1. De absolute maximumclassificaties zijn die waarden waarvoorbij het apparaat permanent zou kunnen worden beschadigd.

De absolute maximumclassificaties zijn slechts spanningsclassificaties en de functionele apparatenverrichting is niet impliciet.

4. Herhaalde Classificatie: Impulsbreedte door maximumverbindingstemperatuur die wordt beperkt.

5. L = 84mH, IALS =1.4A, VDD = 50V, RG = 25 Ω die T beginnenJ = 25°C

6. IBR ≤ 2.0A, di/dt ≤200A/μs, VDD ≤BVDSS, Beginnend TJ = 25°C

 

 

ELEKTROkenmerken (TJ = 25°С, tenzij anders gespecificeerd)

 

Parameter Symbool Voorwaarde Min Type Maximum Eenheid
Van Kenmerken
Afvoerkanaal-bronanalysevoltage BVDSS VGS=0V ID=250μA 100 110 - V
Nul het Afvoerkanaalstroom van het Poortvoltage IDSS VDS=100V, VGS=0V - - 1 μA
Poort-lichaam Lekkagestroom IGSS VGS=±20V, VDS=0V - - ±100 Na
Op Kenmerken (Nota 3)
Het Voltage van de poortdrempel VGS (Th) VDS=VGS, ID=250μA 1.2 1.8 2.5 V
Weerstand de afvoerkanaal-bron van de op-Staat RDS () VGS=10V, ID =8A 98   130 m Ω
Voorwaartse Transconductance gFS VDS=25V, ID=6A 3.5 - - S
Dynamische Kenmerken (Note4)
Inputcapacitieve weerstand Clss

 

VDS=25V, VGS=0V, F=1.0MHz

- 690 - PF
Outputcapacitieve weerstand Coss   - 120 - PF
Omgekeerde Overdrachtcapacitieve weerstand Crss   - 90 - PF
Omschakelingskenmerken (Nota 4)
De Tijd van de inschakelenvertraging td ()

 

VDD=30V, ID=2A, RL=15Ω VGS=10V, RG=2.5Ω

- 11 - NS
De Tijd van de inschakelenstijging tr   - 7.4 - NS
De Tijd van de productvertraging td (weg)   - 35 - NS
De Tijd van de productdaling tF   - 9.1 - NS
Totale Poortlast Qg

 

VDS=30V, ID=3A, VGS=10V

- 15.5   nC
Poort-bronlast Qgs   - 3.2 - nC
Poort-afvoerkanaal Last Qgd   - 4.7 - nC
Afvoerkanaal-brondiodekenmerken
Diode Voorwaarts Voltage (Nota 3) VSD VGS=0V, IS=9.6A - - 1.2 V
Diode Voorwaartse Stroom (Nota 2) IS   - - 9.6 A
Omgekeerde Terugwinningstijd trr

TJ = 25°C, ALS =9.6A

di/dt = 100A/μs(Note3)

- 21   NS
Omgekeerde Terugwinningslast Qrr   - 97   nC
Door:sturen Inschakelentijd ton De intrinsieke inschakelentijd is te verwaarlozen (de inschakelen worden overheerst door LS+LD)


Hoofdzakelijk onafhankelijke van werkende temperatuur. Nota's: 1. Impulstest: Impulsbreedte ≤ 300µs, Plichtscyclus ≤ 2%.

 

OEM N Kanaalmosfet Transistor, Kleine Mosfet de Verhogingswijze van de Machtsschakelaar 3

OEM N Kanaalmosfet Transistor, Kleine Mosfet de Verhogingswijze van de Machtsschakelaar 4

 

 

Contactgegevens
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Contactpersoon: David

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)

Laat een bericht achter

We bellen je snel terug!