|
Productdetails:
|
| Naam van het product: | mosfet machtstransistor | Toepassing: | Machtsbeheer |
|---|---|---|---|
| Functie: | Uitstekende RDS () | Machtsmosfet Transistor: | De Machtsmosfet van de verhogingswijze |
| Modelnummer: | 12N10 | ||
| Hoog licht: | n kanaalmosfet transistor,hoogspanningstransistor |
||
HXY12N10 N-Channel de Machtsmosfet van de Verhogingswijze
BESCHRIJVING
HXY12N10 gebruikt geavanceerd geultechnologie en ontwerp om uitstekende RDS () van lage poortlast te voorzien. Het kan in een grote verscheidenheid van toepassingen worden gebruikt.
EIGENSCHAPPEN
● VDS =100V, ID =12A
RDS () < 130m="">
Toepassing
● De toepassing van de machtsomschakeling
● Hard geschakelde en hoge frequentiekringen
● Noodvoeding
| Parameter | Symbool | Grens | Eenheid |
| Afvoerkanaal-bronvoltage | VDS | 100 | V |
| Poort-bronvoltage | VGS | ±20 | V |
| Huidig-Ononderbroken afvoerkanaal | Identiteitskaart | 12 | A |
| Huidig-Ononderbroken afvoerkanaal (TC=100℃) | ID (100℃) | 6.5 | A |
| Gepulseerde Afvoerkanaalstroom | IDM | 38.4 | A |
| Maximummachtsdissipatie | PD | 30 | W |
| Deratingsfactor | 0,2 | W/℃ | |
| De enige energie van de impulslawine (Nota 5) | EAS | 20 | mJ |
| Werkende Verbinding en Opslagtemperatuurwaaier | TJ, TSTG | -55 tot 175 | ℃ |
Nota: Speldtaak: G: Poort D: Afvoerkanaal S: Bron
ABSOLUTE MAXIMUMclassificaties (TC = 25°С, tenzij anders gespecificeerd)
| PARAMETER | SYMBOOL | CLASSIFICATIES | EENHEID | |
| Afvoerkanaal-bronvoltage | VDSS | 600 | V | |
| Poort-bronvoltage | VGSS | ±30 | V | |
| Ononderbroken Afvoerkanaalstroom | ID | 10 | A | |
| Gepulseerde Afvoerkanaalstroom (Nota 2) | IDM | 40 | A | |
| Lawinestroom (Nota 2) | IAR | 8.0 | A | |
| Lawineenergie | Gepulseerd enig (Nota 3) | EAS | 365 | mJ |
| Piekdiodeterugwinning dv/dt (Nota 4) | dv/dt | 4.5 | NS | |
|
Machtsdissipatie |
Aan-220 |
PD |
156 | W |
| Aan-220F1 | 50 | W | ||
| Aan-220F2 | 52 | W | ||
| Verbindingstemperatuur | TJ | +150 | °C | |
| Opslagtemperatuur | TSTG | -55 ~ +150 | °C | |
Nota's: 1. De absolute maximumclassificaties zijn die waarden waarvoorbij het apparaat permanent zou kunnen worden beschadigd.
De absolute maximumclassificaties zijn slechts spanningsclassificaties en de functionele apparatenverrichting is niet impliciet.
4. Herhaalde Classificatie: Impulsbreedte door maximumverbindingstemperatuur die wordt beperkt.
5. L = 84mH, IALS =1.4A, VDD = 50V, RG = 25 Ω die T beginnenJ = 25°C
6. IBR ≤ 2.0A, di/dt ≤200A/μs, VDD ≤BVDSS, Beginnend TJ = 25°C
ELEKTROkenmerken (TJ = 25°С, tenzij anders gespecificeerd)
| Parameter | Symbool | Voorwaarde | Min | Type | Maximum | Eenheid |
| Van Kenmerken | ||||||
| Afvoerkanaal-bronanalysevoltage | BVDSS | VGS=0V ID=250μA | 100 | 110 | - | V |
| Nul het Afvoerkanaalstroom van het Poortvoltage | IDSS | VDS=100V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
| Poort-lichaam Lekkagestroom | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | Na |
| Op Kenmerken (Nota 3) | ||||||
| Het Voltage van de poortdrempel | VGS (Th) | VDS=VGS, ID=250μA | 1.2 | 1.8 | 2.5 | V |
| Weerstand de afvoerkanaal-bron van de op-Staat | RDS () | VGS=10V, ID =8A | 98 | 130 | m Ω | |
| Voorwaartse Transconductance | gFS | VDS=25V, ID=6A | 3.5 | - | - | S |
| Dynamische Kenmerken (Note4) | ||||||
| Inputcapacitieve weerstand | Clss |
VDS=25V, VGS=0V, F=1.0MHz |
- | 690 | - | PF |
| Outputcapacitieve weerstand | Coss | - | 120 | - | PF | |
| Omgekeerde Overdrachtcapacitieve weerstand | Crss | - | 90 | - | PF | |
| Omschakelingskenmerken (Nota 4) | ||||||
| De Tijd van de inschakelenvertraging | td () |
VDD=30V, ID=2A, RL=15Ω VGS=10V, RG=2.5Ω |
- | 11 | - | NS |
| De Tijd van de inschakelenstijging | tr | - | 7.4 | - | NS | |
| De Tijd van de productvertraging | td (weg) | - | 35 | - | NS | |
| De Tijd van de productdaling | tF | - | 9.1 | - | NS | |
| Totale Poortlast | Qg |
VDS=30V, ID=3A, VGS=10V |
- | 15.5 | nC | |
| Poort-bronlast | Qgs | - | 3.2 | - | nC | |
| Poort-afvoerkanaal Last | Qgd | - | 4.7 | - | nC | |
| Afvoerkanaal-brondiodekenmerken | ||||||
| Diode Voorwaarts Voltage (Nota 3) | VSD | VGS=0V, IS=9.6A | - | - | 1.2 | V |
| Diode Voorwaartse Stroom (Nota 2) | IS | - | - | 9.6 | A | |
| Omgekeerde Terugwinningstijd | trr |
TJ = 25°C, ALS =9.6A di/dt = 100A/μs(Note3) |
- | 21 | NS | |
| Omgekeerde Terugwinningslast | Qrr | - | 97 | nC | ||
| Door:sturen Inschakelentijd | ton | De intrinsieke inschakelentijd is te verwaarlozen (de inschakelen worden overheerst door LS+LD) | ||||
Hoofdzakelijk onafhankelijke van werkende temperatuur. Nota's: 1. Impulstest: Impulsbreedte ≤ 300µs, Plichtscyclus ≤ 2%.
Contactpersoon: David
