Thuis Productenmosfet machtstransistor

hoge Huidige Mosfet k-MTQ van 10N60 Schakelaar/Dubbele Mosfet van 10A 600V Schakelaar

Certificaat
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaten
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaten
Klantenoverzichten
wij samenwerking met Hua Xuan Yang zijn grotendeels toe te schrijven aan hun professionalisme, hun scherpe reactie op de aanpassing van de producten die wij, de regeling van al onze behoeften en, vooral, zij voorziening van de kwaliteitsdiensten hebben gewenst.

—— — — Jason van Canada

In het kader van de aanbeveling van mijn vriend, zijn wij van Hua Xuan Yang, een hogere deskundige in de halfgeleider en de elektronische componentenindustrie op de hoogte, die ons heeft toegelaten om onze kostbare tijd te verminderen en niet poging moeten wagen andere fabrieken.

—— — — Виктор van Rusland

Ik ben online Chatten Nu

hoge Huidige Mosfet k-MTQ van 10N60 Schakelaar/Dubbele Mosfet van 10A 600V Schakelaar

hoge Huidige Mosfet k-MTQ van 10N60 Schakelaar/Dubbele Mosfet van 10A 600V Schakelaar
hoge Huidige Mosfet k-MTQ van 10N60 Schakelaar/Dubbele Mosfet van 10A 600V Schakelaar hoge Huidige Mosfet k-MTQ van 10N60 Schakelaar/Dubbele Mosfet van 10A 600V Schakelaar

Grote Afbeelding :  hoge Huidige Mosfet k-MTQ van 10N60 Schakelaar/Dubbele Mosfet van 10A 600V Schakelaar

Productdetails:
Plaats van herkomst: Shenzhen China
Merknaam: Hua Xuan Yang
Certificering: RoHS、SGS
Modelnummer: 10N60
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: 1000-2000 PCs
Prijs: Negotiated
Verpakking Details: In dozen gedaan
Levertijd: 1 - 2 weken
Betalingscondities: L/C T/T Western Union
Levering vermogen: 18,000,000PCS/per Dag

hoge Huidige Mosfet k-MTQ van 10N60 Schakelaar/Dubbele Mosfet van 10A 600V Schakelaar

beschrijving
Naam van het product: mosfet machtstransistor Toepassing: Machtsbeheer
Functie: Uitstekende RDS () Machtsmosfet Transistor: De Machtsmosfet van de verhogingswijze
Modelnummer: 10N60
Hoog licht:

n kanaalmosfet transistor

,

hoogspanningstransistor

het 600vn-KANAAL van 10N60 k-MTQ 10A MACHTSmosfet

 

BESCHRIJVING

UTC 10n60k-MTQ is MOSFET van de hoogspanningsmacht die wordt ontworpen om betere kenmerken, zoals snelle omschakelingstijd, lage poortlast, de lage weerstand van de op-staat en hoge ruwe lawinekenmerken te hebben. Dit machtsmosfet wordt gewoonlijk gebruikt in de toepassingen van de hoge snelheidsomschakeling van omschakelingsvoedingen en adapters.

 

hoge Huidige Mosfet k-MTQ van 10N60 Schakelaar/Dubbele Mosfet van 10A 600V Schakelaar 0

 

 

EIGENSCHAPPEN

RDS()< 1=""> GS = 10 V, ID = 5,0 A

* Snel omschakelingsvermogen

* Geteste lawineenergie

* Beter dv/dt-vermogen, hoge ruwheid

 

 

 

 

hoge Huidige Mosfet k-MTQ van 10N60 Schakelaar/Dubbele Mosfet van 10A 600V Schakelaar 1

HET OPDRACHT GEVEN VAN TOT INFORMATIE

Het opdracht geven van tot Aantal Pakket Speldtaak Verpakking
Loodvrij Vrij halogeen   1 2 3  
10n60kl-tf3-t 10n60kg-tf3-t Aan-220F G D S Buis
10n60kl-tf1-t 10n60kg-tf1-t Aan-220F1 G D S Buis
10n60kl-tf2-t 10n60kg-tf2-t Aan-220F2 G D S Buis

 

 

Nota: Speldtaak: G: Poort D: Afvoerkanaal S: Bron

 

hoge Huidige Mosfet k-MTQ van 10N60 Schakelaar/Dubbele Mosfet van 10A 600V Schakelaar 2

hoge Huidige Mosfet k-MTQ van 10N60 Schakelaar/Dubbele Mosfet van 10A 600V Schakelaar 3

 

ABSOLUTE MAXIMUMclassificaties (TC = 25°С, tenzij anders gespecificeerd)

PARAMETER SYMBOOL CLASSIFICATIES EENHEID
Afvoerkanaal-bronvoltage VDSS 600 V
Poort-bronvoltage VGSS ±30 V
Ononderbroken Afvoerkanaalstroom ID 10 A
Gepulseerde Afvoerkanaalstroom (Nota 2) IDM 40 A
Lawinestroom (Nota 2) IAR 8.0 A
Lawineenergie Gepulseerd enig (Nota 3) EAS 365 mJ
Piekdiodeterugwinning dv/dt (Nota 4) dv/dt 4.5 NS

 

Machtsdissipatie

Aan-220

 

PD

156 W
  Aan-220F1   50 W
  Aan-220F2   52 W
Verbindingstemperatuur TJ +150 °C
Opslagtemperatuur TSTG -55 ~ +150 °C

Nota's: 1. De absolute maximumclassificaties zijn die waarden waarvoorbij het apparaat permanent zou kunnen worden beschadigd.

De absolute maximumclassificaties zijn slechts spanningsclassificaties en de functionele apparatenverrichting is niet impliciet.

4. Herhaalde Classificatie: Impulsbreedte die door maximumverbindingstemperatuur wordt beperkt.

5. L = 84mH, IALS =1.4A, VDD = 50V, RG = 25 Ω die T beginnenJ = 25°C

6. IBR ≤ 2.0A, di/dt ≤200A/μs, VDD ≤BVDSS, Beginnend TJ = 25°C

THERMISCHE GEGEVENS

PARAMETER SYMBOOL CLASSIFICATIE EENHEID
Verbinding aan Omringend θJA 62.5 °C/W
Verbinding aan Geval θJC 3.2 °C/W

 

 

ELEKTROkenmerken (TJ = 25°С, tenzij anders gespecificeerd)

 

 

PARAMETER SYMBOOL BEPROEVINGSOMSTANDIGHEDEN Min TYPE MAXIMUM EENHEID
VAN KENMERKEN
Afvoerkanaal-bronanalysevoltage BVDSS VGS = 0V, ID = 250μA 600     V
Afvoerkanaal-bronlekkagestroom IDSS VDS = 600V, VGS = 0V     10 μA
Poort Bronlekkagestroom Door:sturen IGSS VGS = 30V, VDS = 0V     100 Na
  Omgekeerde   VGS = -30V, VDS = 0V     -100 Na
OP KENMERKEN
Het Voltage van de poortdrempel VGS (TH) VDS = VGS, ID = 250ΜA 2.0   4.0 V
De statische Weerstand afvoerkanaal-Bron van de op-Staat RDS () VGS = 10V, ID = 5.0A     1.0
DYNAMISCHE KENMERKEN
Inputcapacitieve weerstand CISS VDS=25V, VGS=0V, f=1.0 Mhz   1120   pF
Outputcapacitieve weerstand COSS     120   pF
Omgekeerde Overdrachtcapacitieve weerstand CRSS     13   pF
OMSCHAKELINGSkenmerken
Totale Poortlast (Nota 1) QG VDS=50V, ID=1.3A, IG=100μA VGS=10V (Nota 1,2)   28   nC
Poort-bronlast QGS     8   nC
Poort-afvoerkanaal Last QGD     6   nC
De Tijd van de inschakelenvertraging (Nota 1) tD ()

 

VDD =30V, ID =0.5A,

RG =25Ω, VGS=10V (Nota 1,2)

  80   NS
De Tijd van de inschakelenstijging tR     89   NS
De Tijd van de productvertraging tD (WEG)     125   NS
De Tijd van de productdaling tF     64   NS
AFVOERKANAAL-BRON DIODEkenmerken EN MAXIMUMclassificaties
De maximum Ononderbroken afvoerkanaal-Brondiode door:sturen Stroom IS       10 A

Maximum Gepulseerde afvoerkanaal-Brondiode

Voorwaartse Stroom

ISM       40 A
Afvoerkanaal-brondiode Voorwaarts Voltage (Nota 1) VSD VGS = 0 V, IS = 10 A     1.4 V


Hoofdzakelijk onafhankelijke van werkende temperatuur. Nota's: 1. Impulstest: Impulsbreedte ≤ 300µs, Plichtscyclus ≤ 2%.

 

hoge Huidige Mosfet k-MTQ van 10N60 Schakelaar/Dubbele Mosfet van 10A 600V Schakelaar 4hoge Huidige Mosfet k-MTQ van 10N60 Schakelaar/Dubbele Mosfet van 10A 600V Schakelaar 5

 

 

Contactgegevens
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Contactpersoon: David

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)

Laat een bericht achter

We bellen je snel terug!