Diverse Mosfet het Radio de Versterker van de Machtstransistor 6N60 Z 6.2A 600V Gelijkwaardige Merken

Name: Diverse Mosfet het Radio de Versterker van de Machtstransistor 6N60 Z 6.2A 600V Gelijkwaardige Merken
Brand: Hua Xuan Yang
SKU: 6N60

Alle producten

mosfet machtstransistor
(118)

De Transistors van de uiteindemacht
(30)

De Transistor van de siliciummacht
(19)

Dubbele Omschakelingsdiode
(15)

Mos Gebiedseffect Transistor
(29)

Dubbel - kanaalmosfet
(10)

de snelle diode van de terugwinningsgelijkrichter
(6)

machts zener diode
(6)

schottky bruggelijkrichter
(10)

de diode van de hoogspanningsgelijkrichter
(15)

Halfgeleidertriode
(9)

Voltagestabilisator IC
(14)

Certificaat

China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaten

Klantenoverzichten

wij samenwerking met Hua Xuan Yang zijn grotendeels toe te schrijven aan hun professionalisme, hun scherpe reactie op de aanpassing van de producten die wij, de regeling van al onze behoeften en, vooral, zij voorziening van de kwaliteitsdiensten hebben gewenst.

—— — — Jason van Canada

In het kader van de aanbeveling van mijn vriend, zijn wij van Hua Xuan Yang, een hogere deskundige in de halfgeleider en de elektronische componentenindustrie op de hoogte, die ons heeft toegelaten om onze kostbare tijd te verminderen en niet poging moeten wagen andere fabrieken.

—— — — Виктор van Rusland

Ik ben online Chatten Nu

Diverse Mosfet het Radio de Versterker van de Machtstransistor 6N60 Z 6.2A 600V Gelijkwaardige Merken

Grote Afbeelding : Diverse Mosfet het Radio de Versterker van de Machtstransistor 6N60 Z 6.2A 600V Gelijkwaardige Merken

Productdetails:

Plaats van herkomst:	Shenzhen China
Merknaam:	Hua Xuan Yang
Certificering:	RoHS、SGS
Modelnummer:	6N60

Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:

Min. bestelaantal:	1000-2000 PCs
Prijs:	Negotiated
Verpakking Details:	In dozen gedaan
Levertijd:	1 - 2 weken
Betalingscondities:	L/C T/T Western Union
Levering vermogen:	18,000,000PCS/per Dag

Contact

Diverse Mosfet het Radio de Versterker van de Machtstransistor 6N60 Z 6.2A 600V Gelijkwaardige Merken

beschrijving

Naam van het product:	mosfet machtstransistor	Toepassing:	Machtsbeheer
Functie:	Uitstekende RDS ()	Machtsmosfet Transistor:	De Machtsmosfet van de verhogingswijze
Modelnummer:	6N60
Hoog licht:	n kanaalmosfet transistor , hoogspanningstransistor

6N60 N-CHANNEL van Z 6.2A 600V MACHTSmosfet

BESCHRIJVING

UTC 6N60Z is MOSFET van de hoogspanningsmacht en ontworpen om betere kenmerken, zoals snelle omschakelingstijd, lage poortlast, de lage weerstand van de op-staat en hoge ruwe lawinekenmerken te hebben. Dit machtsmosfet wordt gewoonlijk gebruikt bij de toepassingen van de hoge snelheidsomschakeling in omschakelingsvoedingen en adapters.

EIGENSCHAPPEN

R_DS()< 1=""> GS = 10V, I_D = 3.1A

* Snel omschakelingsvermogen

* Geteste lawineenergie

* Beter dv/dt-vermogen, hoge ruwheid

Diverse Mosfet het Radio de Versterker van de Machtstransistor 6N60 Z 6.2A 600V Gelijkwaardige Merken 0

Diverse Mosfet het Radio de Versterker van de Machtstransistor 6N60 Z 6.2A 600V Gelijkwaardige Merken 1

HET OPDRACHT GEVEN VAN TOT INFORMATIE

Het opdracht geven van tot Aantal		Pakket	Speldtaak			Verpakking
Loodvrij	Vrij halogeen		1	2	3
6n60zl-tf3-t	6n60zg-tf3-t	Aan-220F	G	D	S	Buis

Nota: Speldtaak: G: Poort D: Afvoerkanaal S: Bron

Diverse Mosfet het Radio de Versterker van de Machtstransistor 6N60 Z 6.2A 600V Gelijkwaardige Merken 2

Diverse Mosfet het Radio de Versterker van de Machtstransistor 6N60 Z 6.2A 600V Gelijkwaardige Merken 3

ABSOLUTE MAXIMUMclassificaties (T_C = 25°С, tenzij anders gespecificeerd)

PARAMETER		SYMBOOL	CLASSIFICATIES	EENHEID
Afvoerkanaal-bronvoltage		VDSS	600	V
Poort-bronvoltage		VGSS	±20	V
Lawinestroom (Nota 2)		IAR	6.2	A
Ononderbroken Afvoerkanaalstroom		I_D	6.2	A
Gepulseerde Afvoerkanaalstroom (Nota 2)		IDM	24.8	A
Lawineenergie	Gepulseerd enig (Nota 3)	EAS	252	mJ
Lawineenergie	Herhaald (Nota 2)	OOR	13	mJ
Piekdiodeterugwinning dv/dt (Nota 4)		dv/dt	4.5	NS
Machtsdissipatie		P_D	40	W
Verbindingstemperatuur		T_J	+150	°C
Werkende Temperatuur		TOPR	-55 ~ +150	°C
Opslagtemperatuur		TSTG	-55 ~ +150	°C

Nota's: 1. De absolute maximumclassificaties zijn die waarden waarvoorbij het apparaat permanent zou kunnen worden beschadigd.

De absolute maximumclassificaties zijn slechts spanningsclassificaties en de functionele apparatenverrichting is niet impliciet.

4. Herhaalde Classificatie: Impulsbreedte door maximumverbindingstemperatuur die wordt beperkt.

5. L = 84mH, I_ALS =1.4A, V_DD = 50V, R_G = 25 Ω die T beginnen_J = 25°C

6. I_BR ≤ 2.0A, di/dt ≤200A/μs, V_DD ≤BV_DSS, Beginnend T_J = 25°C

THERMISCHE GEGEVENS

PARAMETER	SYMBOOL	CLASSIFICATIE	EENHEID
Verbinding aan Omringend	θJA	62.5	°C/W
Verbinding aan Geval	θJC	3.2	°C/W

ELEKTROkenmerken (T_J = 25°С, tenzij anders gespecificeerd)

PARAMETER		SYMBOOL	BEPROEVINGSOMSTANDIGHEDEN	Min	TYPE	MAXIMUM	EENHEID
VAN KENMERKEN
Afvoerkanaal-bronanalysevoltage		BVDSS	V_GS = 0V, I_D = 250μA	600			V
Afvoerkanaal-bronlekkagestroom		IDSS	V_DS = 600V, V_GS = 0V			10	μA
Afvoerkanaal-bronlekkagestroom		IDSS	V_DS = 480V, V_GS = 0V, T_J=125°C			100	μA
Poort Bronlekkagestroom	Door:sturen	IGSS	V_GS = 20V, V_DS = 0V			10	μA
Poort Bronlekkagestroom	Omgekeerde	IGSS	V_GS = -20V, V_DS = 0V			-10	μA
De Temperatuurcoëfficiënt van het analysevoltage		△BV_DSS/△TJ	I die_D=250μA, aan 25°C van verwijzingen wordt voorzien		0,53		V/°C
OP KENMERKEN
Het Voltage van de poortdrempel		VGS (TH)	V_DS = V_GS, I_D = 250ΜA	2.0		4.0	V
De statische Weerstand afvoerkanaal-Bron van de op-Staat		RDS ()	V_GS = 10V, I_D = 3.1A		1.4	1.75	Ω
DYNAMISCHE KENMERKEN
Inputcapacitieve weerstand		CISS	V_DS=25V, V_GS=0V, f=1.0 Mhz		770	1000	pF
Outputcapacitieve weerstand		COSS			95	120	pF
Omgekeerde Overdrachtcapacitieve weerstand		CRSS			10	13	pF
OMSCHAKELINGSkenmerken
De Tijd van de inschakelenvertraging		tD ()	V_GS=0~10V, V_DD=30V, I_D =0.5A, R_G =25Ω (Nota 1, 2)		45	60	NS
De Tijd van de inschakelenstijging		t_R			95	110	NS
De Tijd van de productvertraging		tD (WEG)			185	200	NS
De Tijd van de productdaling		t_F			110	125	NS
Totale Poortlast		Q_G	V_GS=10V, V_DD=50V, I_D=1.3A I_G=100μA (Nota 1, 2)		32.8		nC
Poort-bronlast		QGS			7.0		nC
Poort-afvoerkanaal Last		QGD			9.8		nC
AFVOERKANAAL-BRON DIODEkenmerken EN MAXIMUMclassificaties
De afvoerkanaal-brondiode door:sturen Voltage		VSD	V_GS = 0 V, I_S = 6,2 A			1.4	V
De maximum Ononderbroken afvoerkanaal-Brondiode door:sturen Stroom		I_S				6.2	A
Maximum Gepulseerde afvoerkanaal-Brondiode Voorwaartse Stroom		ISM				24.8	A
Omgekeerde Terugwinningstijd		trr	V_GS = 0 V, I_S = 6,2 A, Di_F/dt = 100 A/μs (Nota 1)		290		NS
Omgekeerde Terugwinningslast		QRR	V_GS = 0 V, I_S = 6,2 A, Di_F/dt = 100 A/μs (Nota 1)		2.35		μC

Hoofdzakelijk onafhankelijke van werkende temperatuur. Nota's: 1. Impulstest: Impulsbreedte ≤ 300µs, Plichtscyclus ≤ 2%.

Diverse Mosfet het Radio de Versterker van de Machtstransistor 6N60 Z 6.2A 600V Gelijkwaardige Merken 4

label:

Contactpersoon: David

Andere Producten

Mosfet van de G201220v 12A 10mr 2.4W Transistor Module ap6982gn2-HF

Type: Field-Effect Transistor
Productnaam: Ap6982gn2-HF
Kwaliteit: origineel
Toepassing: Huistoestellen

van de de Diodeomschakeling van 3.13W 40A IGBT de Transistor ap4434agyt-HF PMPAK

ModelNumber:: Ap4434agyt-HF
Type:: LOGICA ICS
Merknaam:: Origineel merk
Pakket:: DIP/SMD

BOM-Citaat1.38w Mosfet APEC ap2344gn-h van de Machtstransistor

Toepassing:: De Kringen van de machtsschakelaar
ModelNumber:: APEC
Leverancierstype:: Originele fabrikant, Bureau, Detailhandelaar
VDS:: 30v

van de de Machtstransistor van 1.38W 20A ICs ap2302agn-HF APEC

Modelnummer: Ap2302agn-HF
RoHsstatus:: Volgzame loodvrij/RoHS
Kwaliteit:: 100% originele nieuw
D/C:: Het nieuwst

Mosfet van ap1334geu-HF 0.35W 8A de Nieuwe Voorwaarde van de Machtstransistor

artikelnummer: Ap1334geu-HF
Levertijd: Op voorraad
Rosh: Ja
Voorwaarde: Nieuw

Diverse Mosfet het Radio de Versterker van de Machtstransistor 6N60 Z 6.2A 600V Gelijkwaardige Merken

mosfet machtstransistor

De Transistors van de uiteindemacht

De Transistor van de siliciummacht

Dubbele Omschakelingsdiode

Mos Gebiedseffect Transistor

Dubbel - kanaalmosfet

de snelle diode van de terugwinningsgelijkrichter

machts zener diode

schottky bruggelijkrichter

de diode van de hoogspanningsgelijkrichter

Halfgeleidertriode

Voltagestabilisator IC

Diverse Mosfet het Radio de Versterker van de Machtstransistor 6N60 Z 6.2A 600V Gelijkwaardige Merken

Diverse Mosfet het Radio de Versterker van de Machtstransistor 6N60 Z 6.2A 600V Gelijkwaardige Merken

n kanaalmosfet transistor

hoogspanningstransistor

BESCHRIJVING

HET OPDRACHT GEVEN VAN TOT INFORMATIE

THERMISCHE GEGEVENS

hoogspanningstransistor,

n kanaalmosfet transistor,

hoge huidige mosfet schakelaar

Mosfet van de G201220v 12A 10mr 2.4W Transistor Module ap6982gn2-HF

van de de Diodeomschakeling van 3.13W 40A IGBT de Transistor ap4434agyt-HF PMPAK

BOM-Citaat1.38w Mosfet APEC ap2344gn-h van de Machtstransistor

van de de Machtstransistor van 1.38W 20A ICs ap2302agn-HF APEC

Mosfet van ap1334geu-HF 0.35W 8A de Nieuwe Voorwaarde van de Machtstransistor

mosfet machtstransistor

HXY4616 de Transistor van het logicaniveau, Bijkomende MOSFET van de Hoogspanningstransistor 30V

HXY4616 Mosfet de Hoogspanning VDS 40V VGS ±20v van de Machtstransistor ±20v VGS

Mosfet van 20G04S 40V van de het Kanaalverhoging van de Machtstransistor N+P de Wijzemosfet