Thuis ProductenMos Gebiedseffect Transistor

Het Gebiedseffect van 50N06P/T 60V Mos Materiële de Verbindingstemperatuur 150℃ van het Transistorsilicium

Certificaat
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaten
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaten
Klantenoverzichten
wij samenwerking met Hua Xuan Yang zijn grotendeels toe te schrijven aan hun professionalisme, hun scherpe reactie op de aanpassing van de producten die wij, de regeling van al onze behoeften en, vooral, zij voorziening van de kwaliteitsdiensten hebben gewenst.

—— — — Jason van Canada

In het kader van de aanbeveling van mijn vriend, zijn wij van Hua Xuan Yang, een hogere deskundige in de halfgeleider en de elektronische componentenindustrie op de hoogte, die ons heeft toegelaten om onze kostbare tijd te verminderen en niet poging moeten wagen andere fabrieken.

—— — — Виктор van Rusland

Ik ben online Chatten Nu

Het Gebiedseffect van 50N06P/T 60V Mos Materiële de Verbindingstemperatuur 150℃ van het Transistorsilicium

Het Gebiedseffect van 50N06P/T 60V Mos Materiële de Verbindingstemperatuur 150℃ van het Transistorsilicium
Het Gebiedseffect van 50N06P/T 60V Mos Materiële de Verbindingstemperatuur 150℃ van het Transistorsilicium

Grote Afbeelding :  Het Gebiedseffect van 50N06P/T 60V Mos Materiële de Verbindingstemperatuur 150℃ van het Transistorsilicium

Productdetails:
Plaats van herkomst: Shenzhen China
Merknaam: Hua Xuan Yang
Certificering: RoHS、SGS
Modelnummer: 50N06P/T
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: 1000-2000 PCs
Prijs: Negotiated
Verpakking Details: In dozen gedaan
Levertijd: 1 - 2 weken
Betalingscondities: L/C T/T Western Union
Levering vermogen: 18,000,000PCS/per Dag

Het Gebiedseffect van 50N06P/T 60V Mos Materiële de Verbindingstemperatuur 150℃ van het Transistorsilicium

beschrijving
Naam van het product: mosfet machtstransistor Verbindingstemperatuur:: 150℃
Materiaal: silicium Modelnummer: 50N06P/T
Zaak: Band/Dienblad/Spoel Type: Mosfet Transistor
Hoog licht:

logicamosfet schakelaar

,

mosfet bestuurder die transistor gebruikt

N-Channel van 50N06P/T 200V MOSFET van de Verhogingswijze

 

Productsamenvatting

 

18N20X gebruikt geavanceerde Vliegtuigtechnologie om uitstekende RDS (), lage poortlast en verrichting met poortvoltages zo te verstrekken laag zoals 2.5V. Dit apparaat is geschikt voor gebruik als Batterijbescherming of in andere Omschakelingstoepassing.
 
Het Gebiedseffect van 50N06P/T 60V Mos Materiële de Verbindingstemperatuur 150℃ van het Transistorsilicium 0Het Gebiedseffect van 50N06P/T 60V Mos Materiële de Verbindingstemperatuur 150℃ van het Transistorsilicium 1Het Gebiedseffect van 50N06P/T 60V Mos Materiële de Verbindingstemperatuur 150℃ van het Transistorsilicium 2Het Gebiedseffect van 50N06P/T 60V Mos Materiële de Verbindingstemperatuur 150℃ van het Transistorsilicium 3Het Gebiedseffect van 50N06P/T 60V Mos Materiële de Verbindingstemperatuur 150℃ van het Transistorsilicium 4

Contactgegevens
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Contactpersoon: David

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)

Laat een bericht achter

We bellen je snel terug!