Thuis Productenmosfet machtstransistor

Mosfet van HXY4606 30V Bijkomende MOSFET RDS () < 30m van de Machtstransistor

Certificaat
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaten
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaten
Klantenoverzichten
wij samenwerking met Hua Xuan Yang zijn grotendeels toe te schrijven aan hun professionalisme, hun scherpe reactie op de aanpassing van de producten die wij, de regeling van al onze behoeften en, vooral, zij voorziening van de kwaliteitsdiensten hebben gewenst.

—— — — Jason van Canada

In het kader van de aanbeveling van mijn vriend, zijn wij van Hua Xuan Yang, een hogere deskundige in de halfgeleider en de elektronische componentenindustrie op de hoogte, die ons heeft toegelaten om onze kostbare tijd te verminderen en niet poging moeten wagen andere fabrieken.

—— — — Виктор van Rusland

Ik ben online Chatten Nu

Mosfet van HXY4606 30V Bijkomende MOSFET RDS () < 30m van de Machtstransistor

Mosfet van HXY4606 30V Bijkomende MOSFET RDS () &lt; 30m van de Machtstransistor
Mosfet van HXY4606 30V Bijkomende MOSFET RDS () &lt; 30m van de Machtstransistor

Grote Afbeelding :  Mosfet van HXY4606 30V Bijkomende MOSFET RDS () < 30m van de Machtstransistor

Productdetails:
Plaats van herkomst: Shenzhen China
Merknaam: Hua Xuan Yang
Certificering: RoHS、SGS
Modelnummer: HXY4606
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: 1000-2000 PCs
Prijs: Negotiated
Verpakking Details: In dozen gedaan
Levertijd: 1 - 2 weken
Betalingscondities: L/C T/T Western Union
Levering vermogen: 18,000,000PCS/per Dag

Mosfet van HXY4606 30V Bijkomende MOSFET RDS () < 30m van de Machtstransistor

beschrijving
Naam van het product: mosfet machtstransistor VDS: 30V
RDS (): < 30m=""> Het Modelaantal van VDS: HXY4606
Functies: De oppervlakte zet pakket op Zaak: Band/Dienblad/Spoel
Hoog licht:

n kanaalmosfet transistor

,

hoge huidige mosfet schakelaar

Bijkomende MOSFET van HXY4606 30V

 

 

Beschrijving

 

HXY4606 gebruikt geavanceerde geul technologyMOSFETs om uitstekende RDS () en lage gatecharge te verstrekken. Bijkomende MOSFETs kunnen toform een vlak verplaatste hoge zijschakelaar, en voor een gastheer ofother toepassingen worden gebruikt.

 

 

Mosfet van HXY4606 30V Bijkomende MOSFET RDS () < 30m van de Machtstransistor 0

 

 

N-CH Elektrokenmerken (anders genoteerde TA=25℃unless)

 

Mosfet van HXY4606 30V Bijkomende MOSFET RDS () < 30m van de Machtstransistor 1

 

A. De waarde van RθJA wordt gemeten met het apparaat opgezet op de raad van 1in2 Fr-4 met 2oz. Koper, in een stil luchtmilieu met TA =25°C.

de waarde in om het even welke bepaalde toepassing hangt van het specifieke de raadsontwerp van de gebruiker af.

B. De machtsdissipatie PD is gebaseerd op TJ die(MAXIMUM) =150°C, de verbinding-aan-omringende thermische weerstand van ≤ gebruiken 10s. C. de herhaalde die classificatie, impulsbreedte de Classificaties door van de verbindingstemperatuur TJ(MAXIMUM) wordt beperkt =150°C. is gebaseerd op cycli met lage frekwentie en plichts om initialTJ=25°C. te houden.

D. RθJA is de som van de thermische impedantie van verbinding om RθJL te leiden en tot omringend te leiden.

E. De statische kenmerken in Cijfers 1 tot 6 zijn het verkregen gebruiken <300>

F. Deze krommen zijn gebaseerd op de verbinding-aan-omringende thermische impedantie die met het apparaat opgezet op de raad van 1in2 Fr-4 met 2oz wordt gemeten. Koper, die een maximumverbindingstemperatuur van TJ veronderstellen(MAXIMUM) =150°C. De SOA-kromme verstrekt één enkele impulsclassificatie.

 

 

N-Channel: TYPISCH ELEKTRO EN THERMISCH KENMERK
 
Mosfet van HXY4606 30V Bijkomende MOSFET RDS () < 30m van de Machtstransistor 2Mosfet van HXY4606 30V Bijkomende MOSFET RDS () < 30m van de Machtstransistor 3Mosfet van HXY4606 30V Bijkomende MOSFET RDS () < 30m van de Machtstransistor 4Mosfet van HXY4606 30V Bijkomende MOSFET RDS () < 30m van de Machtstransistor 5Mosfet van HXY4606 30V Bijkomende MOSFET RDS () < 30m van de Machtstransistor 6Mosfet van HXY4606 30V Bijkomende MOSFET RDS () < 30m van de Machtstransistor 7Mosfet van HXY4606 30V Bijkomende MOSFET RDS () < 30m van de Machtstransistor 8Mosfet van HXY4606 30V Bijkomende MOSFET RDS () < 30m van de Machtstransistor 9
 
 
P-Channel Elektrokenmerken (TJ=25°C tenzij anders vermeld)
 
Mosfet van HXY4606 30V Bijkomende MOSFET RDS () < 30m van de Machtstransistor 10
 
A. De waarde van RθJA wordt gemeten met het apparaat opgezet op de raad van 1in2 Fr-4 met 2oz. Koper, in een stil luchtmilieu met Ta =25°C.
de waarde in om het even welke bepaalde toepassing hangt van het specifieke de raadsontwerp van de gebruiker af.
B. De machtsdissipatie PD is gebaseerd op TJ (MAXIMUM) =150°C, gebruikend de verbinding-aan-omringende thermische weerstand van ≤ 10s.
C. de herhaalde die classificatie, impulsbreedte de Classificaties door van de verbindingstemperatuur TJ (MAXIMUM) wordt beperkt =150°C. is gebaseerd op cycli met lage frekwentie en te houden plichts
initialTJ=25°C.
D. RθJA is de som van de thermische impedantie van verbinding om RθJL te leiden en tot omringend te leiden.
E. De statische kenmerken in Cijfers 1 tot 6 zijn het verkregen gebruiken <300>
F. Deze krommen zijn gebaseerd op de verbinding-aan-omringende thermische impedantie die met het apparaat opgezet op de raad van 1in2 Fr-4 met wordt gemeten
2oz. Koper, die een maximumverbindingstemperatuur van TJ veronderstellen (MAXIMUM) =150°C. De SOA-kromme verstrekt één enkele impulsclassificatie.
 
 
DIT PRODUCT IS ONTWORPEN EN GEKWALIFICEERD VOOR DE MARKT VAN DE CONSUMENT. DE TOEPASSINGEN OF HET GEBRUIK ALS CRITICALCOMPONENTS IN DE APPARATEN OF DE SYSTEMEN VAN DE HET LEVENSsteun ZIJN NIET GEMACHTIGD. AOS VERONDERSTELT GEEN AANSPRAKELIJKHEID ARISINOUT VAN DERGELIJK TOEPASSINGEN OF GEBRUIK VAN ZIJN PRODUCTEN. AOS BE*HOUDT ZICH HET RECHT VOOR PRODUCTontwerp, FUNCTIES EN BETROUWBAARHEID ZONDER VOORAFGAANDE KENNISGEVING TE VERBETEREN.
 
 
P-Channel: TYPISCHE ELEKTRO EN THERMISCHE KENMERKEN
 
 
Mosfet van HXY4606 30V Bijkomende MOSFET RDS () < 30m van de Machtstransistor 11Mosfet van HXY4606 30V Bijkomende MOSFET RDS () < 30m van de Machtstransistor 12Mosfet van HXY4606 30V Bijkomende MOSFET RDS () < 30m van de Machtstransistor 13Mosfet van HXY4606 30V Bijkomende MOSFET RDS () < 30m van de Machtstransistor 14Mosfet van HXY4606 30V Bijkomende MOSFET RDS () < 30m van de Machtstransistor 15Mosfet van HXY4606 30V Bijkomende MOSFET RDS () < 30m van de Machtstransistor 16
 
 
 
 
 

Contactgegevens
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Contactpersoon: David

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)

Laat een bericht achter

We bellen je snel terug!