Vraag een offerte aan |
Thuis ProductenDe Transistors van de uiteindemacht

De Transistorschakelaar van 3DD13003 NPN, de Dissipatie van de de Transistors1.25w Collector van de Uiteindereeks

Alle producten

mosfet machtstransistor

(118)

De Transistors van de uiteindemacht

(30)

De Transistor van de siliciummacht

(19)

Dubbele Omschakelingsdiode

(15)

Mos Gebiedseffect Transistor

(29)

Dubbel - kanaalmosfet

(10)

de snelle diode van de terugwinningsgelijkrichter

(6)

machts zener diode

(6)

schottky bruggelijkrichter

(10)

de diode van de hoogspanningsgelijkrichter

(15)

Halfgeleidertriode

(9)

Voltagestabilisator IC

(14)
Certificaat
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaten
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaten
Klantenoverzichten
wij samenwerking met Hua Xuan Yang zijn grotendeels toe te schrijven aan hun professionalisme, hun scherpe reactie op de aanpassing van de producten die wij, de regeling van al onze behoeften en, vooral, zij voorziening van de kwaliteitsdiensten hebben gewenst.

—— — — Jason van Canada

In het kader van de aanbeveling van mijn vriend, zijn wij van Hua Xuan Yang, een hogere deskundige in de halfgeleider en de elektronische componentenindustrie op de hoogte, die ons heeft toegelaten om onze kostbare tijd te verminderen en niet poging moeten wagen andere fabrieken.

—— — — Виктор van Rusland

Ik ben online Chatten Nu

De Transistorschakelaar van 3DD13003 NPN, de Dissipatie van de de Transistors1.25w Collector van de Uiteindereeks

De Transistorschakelaar van 3DD13003 NPN, de Dissipatie van de de Transistors1.25w Collector van de Uiteindereeks
De Transistorschakelaar van 3DD13003 NPN, de Dissipatie van de de Transistors1.25w Collector van de Uiteindereeks

Grote Afbeelding :  De Transistorschakelaar van 3DD13003 NPN, de Dissipatie van de de Transistors1.25w Collector van de Uiteindereeks

Productdetails:
Plaats van herkomst: Shenzhen China
Merknaam: Hua Xuan Yang
Certificering: RoHS、SGS
Modelnummer: 3DD13003
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: 1000-2000 PCs
Prijs: Negotiated
Verpakking Details: In dozen gedaan
Levertijd: 1 - 2 weken
Betalingscondities: L/C T/T Western Union
Levering vermogen: 18,000,000PCS/per Dag
Contact

De Transistorschakelaar van 3DD13003 NPN, de Dissipatie van de de Transistors1.25w Collector van de Uiteindereeks

beschrijving
VCBO: 700V VCEO: 400V
Emitter-base voltage: 9V Naam van het product: het type van halfgeleidertriode
Collectordissipatie: 1.25W Type: Triodetransistor
Hoog licht:

de transistors van de uiteindereeks

,

hoge machts pnp transistor

Aan-251-3L plastic-kapselen Transistors3dd13003 TRANSISTOR (NPN) in

 

EIGENSCHAP
 

De Toepassingen van de machtsomschakeling

 

 

 

MAXIMUMclassificaties (Teen =25 Š tenzij anders vermeld)

 

Symbool Parameter Waarde Eenheid
VCBO Collector-Base Voltage 700 V
VCEO Collector-zender Voltage 400 V
VEBO Emitter-Base Voltage 9 V
IC Ononderbroken collectorstroom - 1.5 A
PC Collectordissipatie 1.25 W
TJ, Tstg Verbinding en Opslagtemperatuur -55~+150 ℃

 

 

 

 


ELEKTROkenmerken

 

 

Ta =25 Š tenzij anders gespecificeerd


 

Ta =25 Š tenzij anders gespecificeerd

Parameter Symbool Beproevingsomstandigheden Min Type Maximum Eenheid
Collector-base analysevoltage V (BR) CBO Ic= 1mA, IE=0 700     V
Collector-zender analysevoltage V (BR) CEO Ic= 10 mA, IB=0 400     V
Emitter-base analysevoltage V (BR) EBO D.W.Z. = 1MA, IC=0 9     V
De collector sneed stroom af ICBO VCB= 700V, D.W.Z. =0     1 mA
De collector sneed stroom af ICEO VCE= 400V, IB=0     0,5 mA
De zender sneed stroom af IEBO VEB= 9 V, IC=0     1 mA

 

De huidige aanwinst van gelijkstroom

 hFE (1) VCE= 5 V, IC= 0,5 A 8   40  
  hFE (2) VCE= 5 V, IC= 1.5A 5      
Collector-zender verzadigingsvoltage (Gezeten) VCE IC=1A, IB= 250 mA     0,6 V
Base-emitter verzadigingsvoltage (Gezeten) VBE IC=1A, IB= 250mA     1.2 V
Base-emitter voltage VBE IE= 2A     3 V

 

Overgangsfrequentie

 

voet

VCE=10V, Ic=100mA

F =1MHz

 

5

    

 

Mhz
Dalingstijd tf IC=1A, IB1=-IB2=0.2A VCC=100V     0,5 µs
Opslagtijd ts IC=250mA 2   4 µs

 

 

CLASSIFICATIE VAN hFE1

Rang              
Waaier 8-10 10-15 15-20 20-25 25-30 30-35 35-40

 

 

CLASSIFICATIE VAN tS

 

Rang A1 A2 B1 B2
Waaier 2-2.5 (μs) 2.5-3 (μs) 3-3.5 (μs) 3.5-4 (μs)
         

 


Typische Kenmerken

 

 De Transistorschakelaar van 3DD13003 NPN, de Dissipatie van de de Transistors1.25w Collector van de Uiteindereeks 0De Transistorschakelaar van 3DD13003 NPN, de Dissipatie van de de Transistors1.25w Collector van de Uiteindereeks 1De Transistorschakelaar van 3DD13003 NPN, de Dissipatie van de de Transistors1.25w Collector van de Uiteindereeks 2
 

 

Aan-92 de Dimensies van het pakketoverzicht

 

Symbool Afmetingen in Millimeter Afmetingen in Duim
  Min. Max. Min. Max.
A 2,200 2,400 0,087 0,094
A1 1,050 1,350 0,042 0,054
B 1,350 1,650 0,053 0,065
B 0,500 0,700 0,020 0,028
b1 0,700 0,900 0,028 0,035
c 0,430 0,580 0,017 0,023
c1 0,430 0,580 0,017 0,023
D 6,350 6,650 0,250 0,262
D1 5,200 5,400 0,205 0,213
E 5,400 5,700 0,213 0,224
e 2.300 TYPE. TYPE 0,091.
e1 4,500 4,700 0,177 0,185
L 7,500 7,900 0,295 0,311

 

 

 

 

 

label:

hoge machts pnp transistor,

de transistors van de uiteindereeks,

uiteinde pnp transistor

Contactgegevens
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Contactpersoon: David

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)

Over

mosfet machtstransistor

HXY4616 de Transistor van het logicaniveau, Bijkomende MOSFET van de Hoogspanningstransistor 30V

HXY4616 Mosfet de Hoogspanning VDS 40V VGS ±20v van de Machtstransistor ±20v VGS

Mosfet van 20G04S 40V van de het Kanaalverhoging van de Machtstransistor N+P de Wijzemosfet

LAAT BERICHT ACHTER

Privacybeleid | China Goed Kwaliteit mosfet machtstransistor Leverancier. © 2019 - 2022 mosfet-powertransistor.com. All Rights Reserved.

Laat een bericht achter

We bellen je snel terug!