Vraag een offerte aan |
Thuis ProductenDe Transistors van de uiteindemacht

Aan-252Tip de Transistor NPN van Machtstransistors 3DD13002

Alle producten

mosfet machtstransistor

(118)

De Transistors van de uiteindemacht

(30)

De Transistor van de siliciummacht

(19)

Dubbele Omschakelingsdiode

(15)

Mos Gebiedseffect Transistor

(29)

Dubbel - kanaalmosfet

(10)

de snelle diode van de terugwinningsgelijkrichter

(6)

machts zener diode

(6)

schottky bruggelijkrichter

(10)

de diode van de hoogspanningsgelijkrichter

(15)

Halfgeleidertriode

(9)

Voltagestabilisator IC

(14)
Certificaat
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaten
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaten
Klantenoverzichten
wij samenwerking met Hua Xuan Yang zijn grotendeels toe te schrijven aan hun professionalisme, hun scherpe reactie op de aanpassing van de producten die wij, de regeling van al onze behoeften en, vooral, zij voorziening van de kwaliteitsdiensten hebben gewenst.

—— — — Jason van Canada

In het kader van de aanbeveling van mijn vriend, zijn wij van Hua Xuan Yang, een hogere deskundige in de halfgeleider en de elektronische componentenindustrie op de hoogte, die ons heeft toegelaten om onze kostbare tijd te verminderen en niet poging moeten wagen andere fabrieken.

—— — — Виктор van Rusland

Ik ben online Chatten Nu

Aan-252Tip de Transistor NPN van Machtstransistors 3DD13002

Aan-252Tip de Transistor NPN van Machtstransistors 3DD13002
Aan-252Tip de Transistor NPN van Machtstransistors 3DD13002

Grote Afbeelding :  Aan-252Tip de Transistor NPN van Machtstransistors 3DD13002

Productdetails:
Plaats van herkomst: Shenzhen China
Merknaam: Hua Xuan Yang
Certificering: RoHS、SGS
Modelnummer: 3DD13002
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: 1000-2000 PCs
Prijs: Negotiated
Verpakking Details: In dozen gedaan
Levertijd: 1 - 2 weken
Betalingscondities: L/C T/T Western Union
Levering vermogen: 18,000,000PCS/per Dag
Contact

Aan-252Tip de Transistor NPN van Machtstransistors 3DD13002

beschrijving
Opslagtemperatuur: -55~150℃ TJ: 150 ℃
De dissipatie van de collectormacht: 1.25W Naam van het product: het type van halfgeleidertriode
Collectorstroom: 3.5A Type: Triodetransistor
Hoog licht:

uiteinde pnp transistor

,

hoge machts pnp transistor

Aan-251-3l/to-252-2L plastic-kapselen Transistors3dd13002 TRANSISTOR (NPN) in

 

EIGENSCHAP
 

De Toepassingen van de machtsomschakeling

 

 

 

MAXIMUMclassificaties (Teen =25 Š tenzij anders vermeld)

 

Symbool Parameter Waarde Eenheid
VCBO Collector - Basisvoltage 600 V
VCEO Collector-zender Voltage 400 V
VEBO Emitter-Base Voltage 6 V
IC Ononderbroken collectorstroom - 1 A
PC De Dissipatie van de collectormacht 1.25 W
TJ Verbindingstemperatuur 150 ℃
Tstg Opslagtemperatuur -55~150 ℃

 

 

 

 


ELEKTROkenmerken

 

 

Ta =25 Š tenzij anders gespecificeerd


 

Ta =25 Š tenzij anders gespecificeerd

Parameter Symbool Beproevingsomstandigheden Min Type Maximum Eenheid
Collector-base analysevoltage V (BR) CBO IC= 100ΜA, D.W.Z. =0 600     V
Collector-zender analysevoltage V (BR) CEO IC= 1MA, IB=0 400     V
Emitter-base analysevoltage V (BR) EBO D.W.Z. = 100ΜA, IC=0 6     V

 

De collector sneed stroom af

 ICBO VCB= 600V, D.W.Z. =0     100 µA
  ICEO VCB= 400V, D.W.Z. =0     100 µA
De zender sneed stroom af IEBO VEB= 7V, IC=0     100 µA

 

De huidige aanwinst van gelijkstroom

 hFE1 VCE= 10 V, IC= 200MA 9   40  
  hFE2 VCE= 10 V, IC= 0.25MA 5      
Collector-zender verzadigingsvoltage V (gezeten)Ce IC=200mA, IB= 40mA     0,5 V
Base-emitter verzadigingsvoltage VBEN (gezeten) IC=200mA, IB= 40mA     1.1 V

 

Overgangsfrequentie

 

FT

VCE=10V, IC=100mA

F =1MHz

 

5

    

 

Mhz
Dalingstijd tF IC=1A, IB1=-IB2=0.2A VCC=100V     0,5 µs
Opslagtijd ts       2.5 µs

 

 

CLASSIFICATIE VAN hFE1

Waaier 9-15 15-20 20-25 25-30 30-35 35-40

 

 


Typische Kenmerken

 

 Aan-252Tip de Transistor NPN van Machtstransistors 3DD13002 0Aan-252Tip de Transistor NPN van Machtstransistors 3DD13002 1Aan-252Tip de Transistor NPN van Machtstransistors 3DD13002 2Aan-252Tip de Transistor NPN van Machtstransistors 3DD13002 3
 

 

Aan-92 de Dimensies van het pakketoverzicht

 

Symbool Afmetingen in Millimeter Afmetingen in Duim
  Min. Max. Min. Max.
A 2,200 2,400 0,087 0,094
A1 1,050 1,350 0,042 0,054
B 1,350 1,650 0,053 0,065
B 0,500 0,700 0,020 0,028
b1 0,700 0,900 0,028 0,035
c 0,430 0,580 0,017 0,023
c1 0,430 0,580 0,017 0,023
D 6,350 6,650 0,250 0,262
D1 5,200 5,400 0,205 0,213
E 5,400 5,700 0,213 0,224
e 2.300 TYPE. TYPE 0,091.
e1 4,500 4,700 0,177 0,185
L 7,500 7,900 0,295 0,311

 

 

Aan-252Tip de Transistor NPN van Machtstransistors 3DD13002 4

 

 

label:

hoge machts pnp transistor,

de transistors van de uiteindereeks,

uiteinde pnp transistor

Contactgegevens
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Contactpersoon: David

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)

Over

mosfet machtstransistor

HXY4616 de Transistor van het logicaniveau, Bijkomende MOSFET van de Hoogspanningstransistor 30V

HXY4616 Mosfet de Hoogspanning VDS 40V VGS ±20v van de Machtstransistor ±20v VGS

Mosfet van 20G04S 40V van de het Kanaalverhoging van de Machtstransistor N+P de Wijzemosfet

LAAT BERICHT ACHTER

Privacybeleid | China Goed Kwaliteit mosfet machtstransistor Leverancier. © 2019 - 2022 mosfet-powertransistor.com. All Rights Reserved.

Laat een bericht achter

We bellen je snel terug!