Thuis Producten De Transistors van de uiteindemacht

2N3904 de de Transistorsoppervlakte van de uiteindereeks zet Hoge de Opslagtemperatuur -55-150 van de Celdichtheid op

Name: 2N3904 de de Transistorsoppervlakte van de uiteindereeks zet Hoge de Opslagtemperatuur -55-150 van de Celdichtheid op
Brand: Hua Xuan Yang
SKU: 2N3904

Alle producten

mosfet machtstransistor
(118)

De Transistors van de uiteindemacht
(30)

De Transistor van de siliciummacht
(19)

Dubbele Omschakelingsdiode
(15)

Mos Gebiedseffect Transistor
(29)

Dubbel - kanaalmosfet
(10)

de snelle diode van de terugwinningsgelijkrichter
(6)

machts zener diode
(6)

schottky bruggelijkrichter
(10)

de diode van de hoogspanningsgelijkrichter
(15)

Halfgeleidertriode
(9)

Voltagestabilisator IC
(14)

Certificaat

China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaten

Klantenoverzichten

wij samenwerking met Hua Xuan Yang zijn grotendeels toe te schrijven aan hun professionalisme, hun scherpe reactie op de aanpassing van de producten die wij, de regeling van al onze behoeften en, vooral, zij voorziening van de kwaliteitsdiensten hebben gewenst.

—— — — Jason van Canada

In het kader van de aanbeveling van mijn vriend, zijn wij van Hua Xuan Yang, een hogere deskundige in de halfgeleider en de elektronische componentenindustrie op de hoogte, die ons heeft toegelaten om onze kostbare tijd te verminderen en niet poging moeten wagen andere fabrieken.

—— — — Виктор van Rusland

Ik ben online Chatten Nu

2N3904 de de Transistorsoppervlakte van de uiteindereeks zet Hoge de Opslagtemperatuur -55-150 van de Celdichtheid op

Grote Afbeelding : 2N3904 de de Transistorsoppervlakte van de uiteindereeks zet Hoge de Opslagtemperatuur -55-150 van de Celdichtheid op

Productdetails:

Plaats van herkomst:	Shenzhen China
Merknaam:	Hua Xuan Yang
Certificering:	RoHS、SGS
Modelnummer:	2N3904

Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:

Min. bestelaantal:	1000-2000 PCs
Prijs:	Negotiated
Verpakking Details:	In dozen gedaan
Levertijd:	1 - 2 weken
Betalingscondities:	L/C T/T Western Union
Levering vermogen:	18,000,000PCS/per Dag

Contact

2N3904 de de Transistorsoppervlakte van de uiteindereeks zet Hoge de Opslagtemperatuur -55-150 van de Celdichtheid op

beschrijving

Naam van het product:	het type van halfgeleidertriode	Toepassing:	de mobiele geleide bestuurder van de machtslevering/motorcontrole
Materiaal:	silicium	Emitter-base voltage:	6v
Zaak:	Band/Dienblad/Spoel
Hoog licht:	uiteinde pnp transistor , hoge machts pnp transistor

Dronkaard-89-3L plastic-kapselen Transistors2n3904 TRANSISTOR (NPN) in.

EIGENSCHAP

Het silicium epitaxial vlaktransistor van Ÿ NPN voor omschakeling en Versterkertoepassingen

Ÿ als bijkomend type, wordt de PNP-transistor 2N3906 geadviseerd

Ÿ deze transistor is ook beschikbaar in geval dronkaard-23 met de typeaanduiding MMBT3904

2N3904 de de Transistorsoppervlakte van de uiteindereeks zet Hoge de Opslagtemperatuur -55-150 van de Celdichtheid op 0

HET OPDRACHT GEVEN VAN TOT INFORMATIE

Artikelnummer	Pakket	Verpakkingsmethode	Pakhoeveelheid
2N3904	Aan-92	Massa	1000pcs/Bag
2n3904-Ta	Aan-92	Band	2000pcs/Box

MAXIMUMclassificaties (Ta =25Š tenzij anders vermeld)

Symbool	Parameter	Waarde	Eenheid
VCBO	Collector-Base Voltage	60	V
VCEO	Collector-zender Voltage	40	V
VEBO	Emitter-Base Voltage	6	V
I_C	Ononderbroken collectorstroom -	0,2	A
P_C	De Dissipatie van de collectormacht	0,625	W
T_J	Verbindingstemperatuur	150	Š
Tstg	Opslagtemperatuur	-55-150	Š

Ta =25 Š tenzij anders gespecificeerd

Parameter	Symbool	Beproevingsomstandigheden	Min	Type	Maximum	Eenheid
Collector-base analysevoltage	V (BR) CBO	I_C=10ΜA, D.W.Z. =0	60			V
Collector-zender analysevoltage	V (BR) CEO	I_C= 1MA, I_B=0	40			V
Emitter-base analysevoltage	V (BR) EBO	D.W.Z. = 10ΜA, I_C=0	6			V
De collector sneed stroom af	ICBO	V_CB=60V, D.W.Z. =0			0,1	µA
De collector sneed stroom af	ICEX	V_CE=30V, V_EB(WEG) =3V			0,05	µA
De zender sneed stroom af	IEBO	V_EB= 5V, I_C=0			0,1	µA
De huidige aanwinst van gelijkstroom	hFE1	V_CE=1V, I_C=10mA	100		400
	hFE2	V_CE=1V, I_C=50mA	60
	hFE3	V_CE=1V, I_C=100mA	30
Collector-zender verzadigingsvoltage	(Gezeten) VCE	I_C=50mA, I_B=5mA			0,3	V
Base-emitter verzadigingsvoltage	(Gezeten) VBE	I_C=50mA, I_B=5mA			0,95	V
Overgangsfrequentie	F_T	V_CE=20V, I_C=10mA, f=100MHz	300			MH_Z
Vertragingstijd	t_D	V_CC=3V, V_BE=0.5V, I_C=10mA, I_B1=1mA			35	NS
Stijgingstijd	t_r	V_CC=3V, V_BE=0.5V, I_C=10mA, I_B1=1mA			35	NS
Opslagtijd	t_s	V_CC=3V, I_C=10mA I_B1=IB2=1mA			200	NS
Dalingstijd	t_F	V_CC=3V, I_C=10mA I_B1=IB2=1mA			50	NS

CLASSIFICATIE VAN H_FE1

Rang	O	Y	G
Ra nge	100-200	200-300	300-400

Typische Kenmerken

2N3904 de de Transistorsoppervlakte van de uiteindereeks zet Hoge de Opslagtemperatuur -55-150 van de Celdichtheid op 1

2N3904 de de Transistorsoppervlakte van de uiteindereeks zet Hoge de Opslagtemperatuur -55-150 van de Celdichtheid op 2

2N3904 de de Transistorsoppervlakte van de uiteindereeks zet Hoge de Opslagtemperatuur -55-150 van de Celdichtheid op 3

2N3904 de de Transistorsoppervlakte van de uiteindereeks zet Hoge de Opslagtemperatuur -55-150 van de Celdichtheid op 4

De Dimensies van het pakketoverzicht

Symbool	Afmetingen in Millimeter		Afmetingen in Duim
	Min	Maximum	Min	Maximum
A	3,300	3,700	0,130	0,146
A1	1,100	1,400	0,043	0,055
B	0,380	0,550	0,015	0,022
c	0,360	0,510	0,014	0,020
D	4,300	4,700	0,169	0,185
D1	3,430		0,135
E	4,300	4,700	0,169	0,185
e	1.270 TYPE		TYPE 0,050
e1	2,440	2,640	0,096	0,104
L	14,100	14,500	0,555	0,571
0		1,600		0,063
h	0,000	0,380	0,000	0,015

Dronkaard-89-3L Voorgestelde Stootkussenlay-out

2N3904 de de Transistorsoppervlakte van de uiteindereeks zet Hoge de Opslagtemperatuur -55-150 van de Celdichtheid op 5

Aan-92 voorgestelde Stootkussenlay-out
2N3904 de de Transistorsoppervlakte van de uiteindereeks zet Hoge de Opslagtemperatuur -55-150 van de Celdichtheid op 6

Aan-92 7DSH DQG 5HHO

2N3904 de de Transistorsoppervlakte van de uiteindereeks zet Hoge de Opslagtemperatuur -55-150 van de Celdichtheid op 7

2N3904 de de Transistorsoppervlakte van de uiteindereeks zet Hoge de Opslagtemperatuur -55-150 van de Celdichtheid op 8

2N3904 de de Transistorsoppervlakte van de uiteindereeks zet Hoge de Opslagtemperatuur -55-150 van de Celdichtheid op 9

label:

Contactpersoon: David

Andere Producten

PNP-de Transistors aan-251-3L Plastiek Ingekapselde B772 Omschakeling Met lage snelheid van de Uiteindemacht

Collector-Base voltageCollector-Basis Voltage: 40V
Collector-zender Voltage: 30V
Emitter-base voltage: -6V
Naam van het product: het type van halfgeleidertriode

B772 de Schakelaar van de Hoge Machtspnp Transistor, de Kring van de Uiteindepnp Transistor

De dissipatie van de collectormacht: 1.25W
VCEO: -30V
VEBO: -6V
Naam van het product: het type van halfgeleidertriode

MJE13003 van het de Transistorsnpn Silicium van de uiteindemacht Type van de Triodetransistor het Materiële

Type: Triodetransistor
Materiaal: silicium
Machtsmosfet Transistor: Aan-126 plastic-kapsel in
Naam van het product: het type van halfgeleidertriode

De Kring van de D882npn Transistor, NPN-van de de Collectorzender van de Machtstransistor het Voltage 30v

Collector-Base voltageCollector-Basis Voltage: 40V
Collector-zender Voltage: 30V
Emitter-base voltage: 6v
Machtsmosfet Transistor: Aan-126 plastic-kapsel in

De Machtstransistors aan-92 van het A733pnp Uiteinde Plastiek - kapsel Transistors in

VCBO: -60V
VCEO: -50V
VEBO: -5V
Naam van het product: triodetype van de siliciumhalfgeleider

2N3904 de de Transistorsoppervlakte van de uiteindereeks zet Hoge de Opslagtemperatuur -55-150 van de Celdichtheid op

mosfet machtstransistor

De Transistors van de uiteindemacht

De Transistor van de siliciummacht

Dubbele Omschakelingsdiode

Mos Gebiedseffect Transistor

Dubbel - kanaalmosfet

de snelle diode van de terugwinningsgelijkrichter

machts zener diode

schottky bruggelijkrichter

de diode van de hoogspanningsgelijkrichter

Halfgeleidertriode

Voltagestabilisator IC

2N3904 de de Transistorsoppervlakte van de uiteindereeks zet Hoge de Opslagtemperatuur -55-150 van de Celdichtheid op

2N3904 de de Transistorsoppervlakte van de uiteindereeks zet Hoge de Opslagtemperatuur -55-150 van de Celdichtheid op

uiteinde pnp transistor

hoge machts pnp transistor

HET OPDRACHT GEVEN VAN TOT INFORMATIE

MAXIMUMclassificaties (Ta =25Š tenzij anders vermeld)

CLASSIFICATIE VAN H_FE1

hoge machts pnp transistor,

de transistors van de uiteindereeks,

uiteinde pnp transistor

PNP-de Transistors aan-251-3L Plastiek Ingekapselde B772 Omschakeling Met lage snelheid van de Uiteindemacht

B772 de Schakelaar van de Hoge Machtspnp Transistor, de Kring van de Uiteindepnp Transistor

MJE13003 van het de Transistorsnpn Silicium van de uiteindemacht Type van de Triodetransistor het Materiële

De Kring van de D882npn Transistor, NPN-van de de Collectorzender van de Machtstransistor het Voltage 30v

De Machtstransistors aan-92 van het A733pnp Uiteinde Plastiek - kapsel Transistors in

mosfet machtstransistor

HXY4616 de Transistor van het logicaniveau, Bijkomende MOSFET van de Hoogspanningstransistor 30V

HXY4616 Mosfet de Hoogspanning VDS 40V VGS ±20v van de Machtstransistor ±20v VGS

Mosfet van 20G04S 40V van de het Kanaalverhoging van de Machtstransistor N+P de Wijzemosfet

2N3904 de de Transistorsoppervlakte van de uiteindereeks zet Hoge de Opslagtemperatuur -55-150 van de Celdichtheid op

2N3904 de de Transistorsoppervlakte van de uiteindereeks zet Hoge de Opslagtemperatuur -55-150 van de Celdichtheid op

2N3904 de de Transistorsoppervlakte van de uiteindereeks zet Hoge de Opslagtemperatuur -55-150 van de Celdichtheid op

uiteinde pnp transistor

hoge machts pnp transistor

HET OPDRACHT GEVEN VAN TOT INFORMATIE

MAXIMUMclassificaties (Ta =25Š tenzij anders vermeld)

CLASSIFICATIE VAN HFE1

hoge machts pnp transistor,

de transistors van de uiteindereeks,

CLASSIFICATIE VAN H_FE1