Thuis Producten De Transistors van de uiteindemacht

Van de het Uiteindemacht van dronkaard-89-3L B772 van de de Transistors het Lage Collector Voltage van de de Zenderverzadiging

Name: Van de het Uiteindemacht van dronkaard-89-3L B772 van de de Transistors het Lage Collector Voltage van de de Zenderverzadiging
Brand: Hua Xuan Yang
SKU: B772

Alle producten

mosfet machtstransistor
(118)

De Transistors van de uiteindemacht
(30)

De Transistor van de siliciummacht
(19)

Dubbele Omschakelingsdiode
(15)

Mos Gebiedseffect Transistor
(29)

Dubbel - kanaalmosfet
(10)

de snelle diode van de terugwinningsgelijkrichter
(6)

machts zener diode
(6)

schottky bruggelijkrichter
(10)

de diode van de hoogspanningsgelijkrichter
(15)

Halfgeleidertriode
(9)

Voltagestabilisator IC
(14)

Certificaat

China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaten

Klantenoverzichten

wij samenwerking met Hua Xuan Yang zijn grotendeels toe te schrijven aan hun professionalisme, hun scherpe reactie op de aanpassing van de producten die wij, de regeling van al onze behoeften en, vooral, zij voorziening van de kwaliteitsdiensten hebben gewenst.

—— — — Jason van Canada

In het kader van de aanbeveling van mijn vriend, zijn wij van Hua Xuan Yang, een hogere deskundige in de halfgeleider en de elektronische componentenindustrie op de hoogte, die ons heeft toegelaten om onze kostbare tijd te verminderen en niet poging moeten wagen andere fabrieken.

—— — — Виктор van Rusland

Ik ben online Chatten Nu

Van de het Uiteindemacht van dronkaard-89-3L B772 van de de Transistors het Lage Collector Voltage van de de Zenderverzadiging

Grote Afbeelding : Van de het Uiteindemacht van dronkaard-89-3L B772 van de de Transistors het Lage Collector Voltage van de de Zenderverzadiging

Productdetails:

Plaats van herkomst:	Shenzhen China
Merknaam:	Hua Xuan Yang
Certificering:	RoHS、SGS
Modelnummer:	B772

Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:

Min. bestelaantal:	1000-2000 PCs
Prijs:	Negotiated
Verpakking Details:	In dozen gedaan
Levertijd:	1 - 2 weken
Betalingscondities:	L/C T/T Western Union
Levering vermogen:	18,000,000PCS/per Dag

Contact

Van de het Uiteindemacht van dronkaard-89-3L B772 van de de Transistors het Lage Collector Voltage van de de Zenderverzadiging

beschrijving

Machtsdissipatie:	1.5W	Functies:	Laag collector-Zender Verzadigingsvoltage
Collectordissipatie:	1.25W	Gebruik:	Elektronische Componenten
Collector-Base Voltage:	40V	Zaak:	Band/Dienblad/Spoel
Hoog licht:	uiteinde pnp transistor , de transistors van de uiteindereeks

Dronkaard-89-3L plastic-kapselen Transistorsb772 TRANSISTOR (NPN) in

EIGENSCHAP

Omschakeling met lage snelheid

Symbool	Parameter	Waarde	Eenheid
VCBO	Collector-Base Voltage	-40	V
VCEO	Collector-zender Voltage	-30	V
VEBO	Emitter-Base Voltage	-6	V
I_C	Ononderbroken collectorstroom -	-3	A
P_C	Collectordissipatie	1.25	W
RӨJA	Thermische Weerstand van Verbinding tegen Omringend	100	℃/W
T_J	Verbindingstemperatuur	150	℃
Tstg	Opslagtemperatuur	-55~+150	℃

AXIMUM-CLASSIFICATIES (Ta =25℃ tenzij anders vermeld)

ELEKTROkenmerken (Ta=25℃ tenzij anders gespecificeerd)

Parameter	Symbool	Beproevingsomstandigheden	Min	Type	Maximum	Eenheid
Collector-base analysevoltage	V (BR) CBO	Ic=-100μA, D.W.Z. =0	-40			V
Collector-zender analysevoltage	V (BR) CEO	I_C=-10mA, I_B=0	-30			V
Emitter-base analysevoltage	V (BR) EBO	D.W.Z. =-100 ΜA, I_C=0	-6			V
De collector sneed stroom af	ICBO	V_CB=-40 V, D.W.Z. =0			-1	μA
De collector sneed stroom af	ICEO	V_CE=-30 V I_B=0			-10	μA
De zender sneed stroom af	IEBO	V_EB=-6V, I_C=0			-1	μA
De huidige aanwinst van gelijkstroom	hFE (1)	V_CE=-2V, I_C=-1A	60		400
	hFE (2)	V_CE=-2V, I_C=-100mA	32
Collector-zender verzadigingsvoltage	(Gezeten) VCE	I_C=-2A, I_B=-0.2A			-0.5	V
Base-emitter verzadigingsvoltage	(Gezeten) VBE	I_C=-2A, I_B=-0.2A			-1.5	V
Overgangsfrequentie	voet	V_CE=-5V, I_C=-0.1A f=10MHz	50			Mhz

CLASSIFICATIE VAN hFE (1)

Rang	R	O	Y	Gr.
Waaier	60-120	100-200	160-320	200-400

Typische Kenmerken

Van de het Uiteindemacht van dronkaard-89-3L B772 van de de Transistors het Lage Collector Voltage van de de Zenderverzadiging 0

Van de het Uiteindemacht van dronkaard-89-3L B772 van de de Transistors het Lage Collector Voltage van de de Zenderverzadiging 1

Van de het Uiteindemacht van dronkaard-89-3L B772 van de de Transistors het Lage Collector Voltage van de de Zenderverzadiging 2

Van de het Uiteindemacht van dronkaard-89-3L B772 van de de Transistors het Lage Collector Voltage van de de Zenderverzadiging 3

De Dimensies van het pakketoverzicht

Symbool	Afmetingen in Millimeter		Afmetingen in Duim
	Min.	Max.	Min.	Max.
A	— —	1,800	— —	0,071
A1	0,020	0,100	0,001	0,004
A2	1,500	1,700	0,059	0,067
B	0,660	0,840	0,026	0,033
b1	2,900	3,100	0,114	0,122
c	0,230	0,350	0,009	0,014
D	6,300	6,700	0,248	0,264
E	6,700	7,300	0,264	0,287
E1	3,300	3,700	0,130	0,146
e	2.300 (BSC)		0,091 (BSC)
L	0,750	— —	0,030	— —
θ	0°	10°	0°	10°

Van de het Uiteindemacht van dronkaard-89-3L B772 van de de Transistors het Lage Collector Voltage van de de Zenderverzadiging 4

Dronkaard-89-3L Voorgestelde Stootkussenlay-out

Dronkaard-89-3L Band en Spoel

label:

Contactpersoon: David

Andere Producten

PNP-de Transistors aan-251-3L Plastiek Ingekapselde B772 Omschakeling Met lage snelheid van de Uiteindemacht

Collector-Base voltageCollector-Basis Voltage: 40V
Collector-zender Voltage: 30V
Emitter-base voltage: -6V
Naam van het product: het type van halfgeleidertriode

B772 de Schakelaar van de Hoge Machtspnp Transistor, de Kring van de Uiteindepnp Transistor

De dissipatie van de collectormacht: 1.25W
VCEO: -30V
VEBO: -6V
Naam van het product: het type van halfgeleidertriode

MJE13003 van het de Transistorsnpn Silicium van de uiteindemacht Type van de Triodetransistor het Materiële

Type: Triodetransistor
Materiaal: silicium
Machtsmosfet Transistor: Aan-126 plastic-kapsel in
Naam van het product: het type van halfgeleidertriode

De Kring van de D882npn Transistor, NPN-van de de Collectorzender van de Machtstransistor het Voltage 30v

Collector-Base voltageCollector-Basis Voltage: 40V
Collector-zender Voltage: 30V
Emitter-base voltage: 6v
Machtsmosfet Transistor: Aan-126 plastic-kapsel in

De Machtstransistors aan-92 van het A733pnp Uiteinde Plastiek - kapsel Transistors in

VCBO: -60V
VCEO: -50V
VEBO: -5V
Naam van het product: triodetype van de siliciumhalfgeleider

Van de het Uiteindemacht van dronkaard-89-3L B772 van de de Transistors het Lage Collector Voltage van de de Zenderverzadiging

mosfet machtstransistor

De Transistors van de uiteindemacht

De Transistor van de siliciummacht

Dubbele Omschakelingsdiode

Mos Gebiedseffect Transistor

Dubbel - kanaalmosfet

de snelle diode van de terugwinningsgelijkrichter

machts zener diode

schottky bruggelijkrichter

de diode van de hoogspanningsgelijkrichter

Halfgeleidertriode

Voltagestabilisator IC

Van de het Uiteindemacht van dronkaard-89-3L B772 van de de Transistors het Lage Collector Voltage van de de Zenderverzadiging

Van de het Uiteindemacht van dronkaard-89-3L B772 van de de Transistors het Lage Collector Voltage van de de Zenderverzadiging

uiteinde pnp transistor

de transistors van de uiteindereeks

AXIMUM-CLASSIFICATIES (Ta =25℃ tenzij anders vermeld)

hoge machts pnp transistor,

de transistors van de uiteindereeks,

uiteinde pnp transistor

PNP-de Transistors aan-251-3L Plastiek Ingekapselde B772 Omschakeling Met lage snelheid van de Uiteindemacht

B772 de Schakelaar van de Hoge Machtspnp Transistor, de Kring van de Uiteindepnp Transistor

MJE13003 van het de Transistorsnpn Silicium van de uiteindemacht Type van de Triodetransistor het Materiële

De Kring van de D882npn Transistor, NPN-van de de Collectorzender van de Machtstransistor het Voltage 30v

De Machtstransistors aan-92 van het A733pnp Uiteinde Plastiek - kapsel Transistors in

mosfet machtstransistor

HXY4616 de Transistor van het logicaniveau, Bijkomende MOSFET van de Hoogspanningstransistor 30V

HXY4616 Mosfet de Hoogspanning VDS 40V VGS ±20v van de Machtstransistor ±20v VGS

Mosfet van 20G04S 40V van de het Kanaalverhoging van de Machtstransistor N+P de Wijzemosfet