Vraag een offerte aan |
Thuis ProductenDe Transistor van de siliciummacht

D882 van de de Transistorcollector van de Siliciummacht van de de Machtsdissipatie 0.5W de Hoge snelheidsomschakeling

Alle producten

mosfet machtstransistor

(118)

De Transistors van de uiteindemacht

(30)

De Transistor van de siliciummacht

(19)

Dubbele Omschakelingsdiode

(15)

Mos Gebiedseffect Transistor

(29)

Dubbel - kanaalmosfet

(10)

de snelle diode van de terugwinningsgelijkrichter

(6)

machts zener diode

(6)

schottky bruggelijkrichter

(10)

de diode van de hoogspanningsgelijkrichter

(15)

Halfgeleidertriode

(9)

Voltagestabilisator IC

(14)
Certificaat
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaten
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaten
Klantenoverzichten
wij samenwerking met Hua Xuan Yang zijn grotendeels toe te schrijven aan hun professionalisme, hun scherpe reactie op de aanpassing van de producten die wij, de regeling van al onze behoeften en, vooral, zij voorziening van de kwaliteitsdiensten hebben gewenst.

—— — — Jason van Canada

In het kader van de aanbeveling van mijn vriend, zijn wij van Hua Xuan Yang, een hogere deskundige in de halfgeleider en de elektronische componentenindustrie op de hoogte, die ons heeft toegelaten om onze kostbare tijd te verminderen en niet poging moeten wagen andere fabrieken.

—— — — Виктор van Rusland

Ik ben online Chatten Nu

D882 van de de Transistorcollector van de Siliciummacht van de de Machtsdissipatie 0.5W de Hoge snelheidsomschakeling

D882 van de de Transistorcollector van de Siliciummacht van de de Machtsdissipatie 0.5W de Hoge snelheidsomschakeling
D882 van de de Transistorcollector van de Siliciummacht van de de Machtsdissipatie 0.5W de Hoge snelheidsomschakeling

Grote Afbeelding :  D882 van de de Transistorcollector van de Siliciummacht van de de Machtsdissipatie 0.5W de Hoge snelheidsomschakeling

Productdetails:
Plaats van herkomst: Shenzhen China
Merknaam: Hua Xuan Yang
Certificering: RoHS、SGS
Modelnummer: D882
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: 1000-2000 PCs
Prijs: Negotiated
Verpakking Details: In dozen gedaan
Levertijd: 1 - 2 weken
Betalingscondities: L/C T/T Western Union
Levering vermogen: 18,000,000PCS/per Dag
Contact

D882 van de de Transistorcollector van de Siliciummacht van de de Machtsdissipatie 0.5W de Hoge snelheidsomschakeling

beschrijving
Collector-Base Voltage: 40V De dissipatie van de collectormacht: 0.5W
Emitter-base voltage: 6v Toepassing: de mobiele geleide bestuurder van de machtslevering/motorcontrole
Gepulseerde collectorstroom: -0.3A
Hoog licht:

hoge frequentietransistor

,

de transistor van de machtsschakelaar

Dronkaard-89-3L plastic-kapselen Transistorsd882 TRANSISTOR (NPN) in

 

 

EIGENSCHAP
 

Machtsdissipatie

 

Het merken: A94

 

 

 

MAXIMUMclassificaties (Ta=25℃ tenzij anders vermeld)

 

Symbool Parameter Waarde Eenheid
VCBO Collector-Base Voltage 40 V
VCEO Collector-zender Voltage 30 V
VEBO Emitter-Base Voltage 6 V
IC Ononderbroken collectorstroom - 3 A
PC De Dissipatie van de collectormacht 0,5 W

 

RӨJA

 Thermische Weerstand van Verbinding tegen Omringend

 

250

 ℃/W
TJ Verbindingstemperatuur 150 ℃
Tstg Opslagtemperatuur -55~150 ℃

 
 
 
ELEKTROkenmerken (Ta=25℃ tenzij anders gespecificeerd)
 

Parameter Symbool Beproevingsomstandigheden Min Type Maximum Eenheid
Collector-base analysevoltage V (BR) CBO IC = 100ΜA, D.W.Z. =0 40     V
Collector-zender analysevoltage V (BR) CEO IC = 10MA, IB=0 30     V
Emitter-base analysevoltage V (BR) EBO D.W.Z. = 100ΜA, IC=0 6     V
De collector sneed stroom af ICBO VCB= 40V, D.W.Z. =0     1 µA
De collector sneed stroom af ICEO VCE= 30V, IB=0     10 µA
De zender sneed stroom af IEBO VEB= 6V, IC=0     1 µA

 

De huidige aanwinst van gelijkstroom

 hFE (1) VCE=2V, IC= 1A 60   400  
  hFE (2) VCE=2V, IC= 100MA 32      
Collector-zender verzadigingsvoltage (Gezeten) VCE IC= 2A, IB= 0,2 A     0,5 V
Base-emitter verzadigingsvoltage (Gezeten) VBE IC= 2A, IB= 0,2 A     1.5 V

 

Overgangsfrequentie

 

FT

VCE= 5V, Ic=0.1A

F =10MHz

 

50

    

 

Mhz

 
 

FE CLASSIFICATIE VAN H(1)

Rang R O Y Gr.
Waaier 60-120 100-200 160-320 200-400

 

 

 

Typische Kenmerken

 

 

 

D882 van de de Transistorcollector van de Siliciummacht van de de Machtsdissipatie 0.5W de Hoge snelheidsomschakeling 0D882 van de de Transistorcollector van de Siliciummacht van de de Machtsdissipatie 0.5W de Hoge snelheidsomschakeling 1

D882 van de de Transistorcollector van de Siliciummacht van de de Machtsdissipatie 0.5W de Hoge snelheidsomschakeling 2

D882 van de de Transistorcollector van de Siliciummacht van de de Machtsdissipatie 0.5W de Hoge snelheidsomschakeling 3

 

 

 


 

 

 De Dimensies van het pakketoverzicht
 

Symbool Afmetingen in Millimeter Afmetingen in Duim
  Min Maximum Min Maximum
A 1,400 1,600 0,055 0,063
B 0,320 0,520 0,013 0,020
b1 0,400 0,580 0,016 0,023
c 0,350 0,440 0,014 0,017
D 4,400 4,600 0,173 0,181
D1 1.550 ref. 0,061 ref.
E 2,300 2,600 0,091 0,102
E1 3,940 4,250 0,155 0,167
e 1.500 TYPE. TYPE 0,060.
e1 3.000 TYPE. TYPE 0,118.
L 0,900 1,200 0,035 0,047

 
 
 Dronkaard-89-3L Voorgestelde Stootkussenlay-out

 

D882 van de de Transistorcollector van de Siliciummacht van de de Machtsdissipatie 0.5W de Hoge snelheidsomschakeling 4
 
Dronkaard-89-3L Band en Spoel
D882 van de de Transistorcollector van de Siliciummacht van de de Machtsdissipatie 0.5W de Hoge snelheidsomschakeling 5
D882 van de de Transistorcollector van de Siliciummacht van de de Machtsdissipatie 0.5W de Hoge snelheidsomschakeling 6
D882 van de de Transistorcollector van de Siliciummacht van de de Machtsdissipatie 0.5W de Hoge snelheidsomschakeling 7
 
 
 

label:

machtsmosfet transistors,

de transistor van de machtsschakelaar,

hoge frequentietransistor

Contactgegevens
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Contactpersoon: David

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)

Over

mosfet machtstransistor

HXY4616 de Transistor van het logicaniveau, Bijkomende MOSFET van de Hoogspanningstransistor 30V

HXY4616 Mosfet de Hoogspanning VDS 40V VGS ±20v van de Machtstransistor ±20v VGS

Mosfet van 20G04S 40V van de het Kanaalverhoging van de Machtstransistor N+P de Wijzemosfet

LAAT BERICHT ACHTER

Privacybeleid | China Goed Kwaliteit mosfet machtstransistor Leverancier. © 2019 - 2022 mosfet-powertransistor.com. All Rights Reserved.

Laat een bericht achter

We bellen je snel terug!