Thuis Producten De Transistors van de uiteindemacht

MMBT4401 dronkaard-23 van de de Transistors Snel Omschakeling van de Uiteindemacht Voltage van de de Zenderbasis 6 V

Name: MMBT4401 dronkaard-23 van de de Transistors Snel Omschakeling van de Uiteindemacht Voltage van de de Zenderbasis 6 V
Brand: Hua Xuan Yang
SKU: MMBT4401

Alle producten

mosfet machtstransistor
(118)

De Transistors van de uiteindemacht
(30)

De Transistor van de siliciummacht
(19)

Dubbele Omschakelingsdiode
(15)

Mos Gebiedseffect Transistor
(29)

Dubbel - kanaalmosfet
(10)

de snelle diode van de terugwinningsgelijkrichter
(6)

machts zener diode
(6)

schottky bruggelijkrichter
(10)

de diode van de hoogspanningsgelijkrichter
(15)

Halfgeleidertriode
(9)

Voltagestabilisator IC
(14)

Certificaat

China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaten

Klantenoverzichten

wij samenwerking met Hua Xuan Yang zijn grotendeels toe te schrijven aan hun professionalisme, hun scherpe reactie op de aanpassing van de producten die wij, de regeling van al onze behoeften en, vooral, zij voorziening van de kwaliteitsdiensten hebben gewenst.

—— — — Jason van Canada

In het kader van de aanbeveling van mijn vriend, zijn wij van Hua Xuan Yang, een hogere deskundige in de halfgeleider en de elektronische componentenindustrie op de hoogte, die ons heeft toegelaten om onze kostbare tijd te verminderen en niet poging moeten wagen andere fabrieken.

—— — — Виктор van Rusland

Ik ben online Chatten Nu

MMBT4401 dronkaard-23 van de de Transistors Snel Omschakeling van de Uiteindemacht Voltage van de de Zenderbasis 6 V

Grote Afbeelding : MMBT4401 dronkaard-23 van de de Transistors Snel Omschakeling van de Uiteindemacht Voltage van de de Zenderbasis 6 V

Productdetails:

Plaats van herkomst:	Shenzhen China
Merknaam:	Hua Xuan Yang
Certificering:	RoHS、SGS
Modelnummer:	MMBT4401

Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:

Min. bestelaantal:	1000-2000 PCs
Prijs:	Negotiated
Verpakking Details:	In dozen gedaan
Levertijd:	1 - 2 weken
Betalingscondities:	L/C T/T Western Union
Levering vermogen:	18,000,000PCS/per Dag

Contact

MMBT4401 dronkaard-23 van de de Transistors Snel Omschakeling van de Uiteindemacht Voltage van de de Zenderbasis 6 V

beschrijving

Opslagtemperatuur:

-55-150℃

Machtsmosfet Transistor:

Dronkaard-23 de Transistors van de uiteindemacht

Materiaal:

silicium

Type:

Triodetransistor

Hoog licht:

uiteinde pnp transistor

hoge machts pnp transistor

Dronkaard-23 plastic-kapsel Transistorsfmmt491 TRANSISTOR (NPN) in

EIGENSCHAP

Omschakelingstransistor

Het merken: 2X

MAXIMUMclassificaties (Ta=25℃ tenzij anders vermeld)

Symbool	Parameter	Waarde	Eenheid
VCBO	Collector-Base Voltage	60	V
VCEO	Collector-zender Voltage	40	V
VEBO	Emitter-Base Voltage	6	V
I_C	Collectorstroom	600	mA
P_C	De Dissipatie van de collectormacht	300	mw
RΘJA	Thermische Weerstand van Verbinding tegen Omringend	417	℃/W
T_j	Verbindingstemperatuur	150	℃
Tstg	Opslagtemperatuur	-55~+150	℃

ELEKTROkenmerken (Ta=25℃ tenzij anders gespecificeerd)

Parameter	Symbool	Beproevingsomstandigheden	Min	Type	Maximum	Eenheid
Collector-base analysevoltage	V (BR) CBO	I_C=100μA, D.W.Z. =0	60			V
Collector-zender analysevoltage	V (BR) CEO	I_C=1mA, I_B=0	40			V
Emitter-base analysevoltage	V (BR) EBO	D.W.Z. =100ΜA, I_C=0	6			V
De collector sneed stroom af	ICBO	V_CB=50V, D.W.Z. =0			0,1	μA
De collector sneed stroom af	ICEX	VCE=35V, VEB=0.4V			0,1	μA
De zender sneed stroom af	IEBO	V_EB=5V, I_C=0			0,1	μA
De huidige aanwinst van gelijkstroom	hFE1	V_CE=1V, I_C=0.1mA	20
	hFE2	V_CE=1V, I_C=1mA	40
	hFE3	V_CE=1V, I_C=10mA	80
	hFE4	V_CE=1V, I_C=150mA	100		300
	hFE5	V_CE=2V, I_C=500mA	40
Collector-zender verzadigingsvoltage	(Gezeten) VCE	I_C=150mA, I_B=15mA			0,4	V
		I_C=500mA, I_B=50mA			0,75	V
Base-emitter verzadigingsvoltage	(Gezeten) VBE	I_C=150mA, I_B=15mA			0,95	V
		I_C=500mA, I_B=50mA			1.2	V
Overgangsfrequentie	F_T	V_CE=10V, I_C=20mA, F =100MHz	250			Mhz
Vertragingstijd	t_D	VCC=30V, VBE (weg) =-2V IC=150mA, IB1=15mA			15	NS
Stijgingstijd	t_r				20	NS
Opslagtijd	t_s	VCC=30V, IC=150mA IB1=IB2=15mA			225	NS
Dalingstijd	t_F				60	NS

Gemeten in de gepulseerde omstandigheden, Impuls width=300μs, Plicht cycle≤2%.

Typische Characterisitics

MMBT4401 dronkaard-23 van de de Transistors Snel Omschakeling van de Uiteindemacht Voltage van de de Zenderbasis 6 V 0

MMBT4401 dronkaard-23 van de de Transistors Snel Omschakeling van de Uiteindemacht Voltage van de de Zenderbasis 6 V 1

MMBT4401 dronkaard-23 van de de Transistors Snel Omschakeling van de Uiteindemacht Voltage van de de Zenderbasis 6 V 2

MMBT4401 dronkaard-23 van de de Transistors Snel Omschakeling van de Uiteindemacht Voltage van de de Zenderbasis 6 V 3

De Dimensies van het pakketoverzicht

Symbool	Afmetingen in Millimeter		Afmetingen in Duim
	Min	Maximum	Min	Maximum
A	0,900	1,150	0,035	0,045
A1	0,000	0,100	0,000	0,004
A2	0,900	1,050	0,035	0,041
B	0,300	0,500	0,012	0,020
c	0,080	0,150	0,003	0,006
D	2,800	3,000	0,110	0,118
E	1,200	1,400	0,047	0,055
E1	2,250	2,550	0,089	0,100
e	TYPE 0,950		TYPE 0,037
e1	1,800	2,000	0,071	0,079
L	0,550 ref		0,022 ref
L1	0,300	0,500	0,012	0,020
θ	0°	8°	0°	8°

MMBT4401 dronkaard-23 van de de Transistors Snel Omschakeling van de Uiteindemacht Voltage van de de Zenderbasis 6 V 4

label:

Contactpersoon: David

Andere Producten

PNP-de Transistors aan-251-3L Plastiek Ingekapselde B772 Omschakeling Met lage snelheid van de Uiteindemacht

Collector-Base voltageCollector-Basis Voltage: 40V
Collector-zender Voltage: 30V
Emitter-base voltage: -6V
Naam van het product: het type van halfgeleidertriode

B772 de Schakelaar van de Hoge Machtspnp Transistor, de Kring van de Uiteindepnp Transistor

De dissipatie van de collectormacht: 1.25W
VCEO: -30V
VEBO: -6V
Naam van het product: het type van halfgeleidertriode

MJE13003 van het de Transistorsnpn Silicium van de uiteindemacht Type van de Triodetransistor het Materiële

Type: Triodetransistor
Materiaal: silicium
Machtsmosfet Transistor: Aan-126 plastic-kapsel in
Naam van het product: het type van halfgeleidertriode

De Kring van de D882npn Transistor, NPN-van de de Collectorzender van de Machtstransistor het Voltage 30v

Collector-Base voltageCollector-Basis Voltage: 40V
Collector-zender Voltage: 30V
Emitter-base voltage: 6v
Machtsmosfet Transistor: Aan-126 plastic-kapsel in

De Machtstransistors aan-92 van het A733pnp Uiteinde Plastiek - kapsel Transistors in

VCBO: -60V
VCEO: -50V
VEBO: -5V
Naam van het product: triodetype van de siliciumhalfgeleider

MMBT4401 dronkaard-23 van de de Transistors Snel Omschakeling van de Uiteindemacht Voltage van de de Zenderbasis 6 V

mosfet machtstransistor

De Transistors van de uiteindemacht

De Transistor van de siliciummacht

Dubbele Omschakelingsdiode

Mos Gebiedseffect Transistor

Dubbel - kanaalmosfet

de snelle diode van de terugwinningsgelijkrichter

machts zener diode

schottky bruggelijkrichter

de diode van de hoogspanningsgelijkrichter

Halfgeleidertriode

Voltagestabilisator IC

MMBT4401 dronkaard-23 van de de Transistors Snel Omschakeling van de Uiteindemacht Voltage van de de Zenderbasis 6 V

MMBT4401 dronkaard-23 van de de Transistors Snel Omschakeling van de Uiteindemacht Voltage van de de Zenderbasis 6 V

uiteinde pnp transistor

hoge machts pnp transistor

Het merken: 2X

hoge machts pnp transistor,

de transistors van de uiteindereeks,

uiteinde pnp transistor

PNP-de Transistors aan-251-3L Plastiek Ingekapselde B772 Omschakeling Met lage snelheid van de Uiteindemacht

B772 de Schakelaar van de Hoge Machtspnp Transistor, de Kring van de Uiteindepnp Transistor

MJE13003 van het de Transistorsnpn Silicium van de uiteindemacht Type van de Triodetransistor het Materiële

De Kring van de D882npn Transistor, NPN-van de de Collectorzender van de Machtstransistor het Voltage 30v

De Machtstransistors aan-92 van het A733pnp Uiteinde Plastiek - kapsel Transistors in

mosfet machtstransistor

HXY4616 de Transistor van het logicaniveau, Bijkomende MOSFET van de Hoogspanningstransistor 30V

HXY4616 Mosfet de Hoogspanning VDS 40V VGS ±20v van de Machtstransistor ±20v VGS

Mosfet van 20G04S 40V van de het Kanaalverhoging van de Machtstransistor N+P de Wijzemosfet