Vraag een offerte aan |
Thuis ProductenDe Transistor van de siliciummacht

Dronkaard-23 van de het Siliciummacht van MMBTA44 NPN van de de Transistorcollector de Huidige 600 doctorandus in de letteren

Alle producten

mosfet machtstransistor

(118)

De Transistors van de uiteindemacht

(30)

De Transistor van de siliciummacht

(19)

Dubbele Omschakelingsdiode

(15)

Mos Gebiedseffect Transistor

(29)

Dubbel - kanaalmosfet

(10)

de snelle diode van de terugwinningsgelijkrichter

(6)

machts zener diode

(6)

schottky bruggelijkrichter

(10)

de diode van de hoogspanningsgelijkrichter

(15)

Halfgeleidertriode

(9)

Voltagestabilisator IC

(14)
Certificaat
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaten
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaten
Klantenoverzichten
wij samenwerking met Hua Xuan Yang zijn grotendeels toe te schrijven aan hun professionalisme, hun scherpe reactie op de aanpassing van de producten die wij, de regeling van al onze behoeften en, vooral, zij voorziening van de kwaliteitsdiensten hebben gewenst.

—— — — Jason van Canada

In het kader van de aanbeveling van mijn vriend, zijn wij van Hua Xuan Yang, een hogere deskundige in de halfgeleider en de elektronische componentenindustrie op de hoogte, die ons heeft toegelaten om onze kostbare tijd te verminderen en niet poging moeten wagen andere fabrieken.

—— — — Виктор van Rusland

Ik ben online Chatten Nu

Dronkaard-23 van de het Siliciummacht van MMBTA44 NPN van de de Transistorcollector de Huidige 600 doctorandus in de letteren

Dronkaard-23 van de het Siliciummacht van MMBTA44 NPN van de de Transistorcollector de Huidige 600 doctorandus in de letteren
Dronkaard-23 van de het Siliciummacht van MMBTA44 NPN van de de Transistorcollector de Huidige 600 doctorandus in de letteren

Grote Afbeelding :  Dronkaard-23 van de het Siliciummacht van MMBTA44 NPN van de de Transistorcollector de Huidige 600 doctorandus in de letteren

Productdetails:
Plaats van herkomst: Shenzhen China
Merknaam: Hua Xuan Yang
Certificering: RoHS、SGS
Modelnummer: MMBTA44
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: 1000-2000 PCs
Prijs: Negotiated
Verpakking Details: In dozen gedaan
Levertijd: 1 - 2 weken
Betalingscondities: L/C T/T Western Union
Levering vermogen: 18,000,000PCS/per Dag
Contact

Dronkaard-23 van de het Siliciummacht van MMBTA44 NPN van de de Transistorcollector de Huidige 600 doctorandus in de letteren

beschrijving
Verbindingstemperatuur: 150 ℃ Type: Triodetransistor
Toepassing: de mobiele geleide bestuurder van de machtslevering/motorcontrole Materiaal: silicium
Collectorstroom: 600 mA Opslagtemperatuur: -55~+150℃
Hoog licht:

de transistor van de machtsschakelaar

,

machtsmosfet transistors

Dronkaard-23 plastic-kapsel Transistorsmmbta44 TRANSISTOR (NPN) in
 

EIGENSCHAP
 

 Omschakelingstransistor

Het merken: 2X

 

 

 

MAXIMUMclassificaties (Ta=25℃ tenzij anders vermeld)
 

Symbool Parameter Waarde Eenheid
VCBO Collector-Base Voltage 60 V
VCEO Collector-zender Voltage 40 V
VEBO Emitter-Base Voltage 6 V
IC Collectorstroom 600 mA
PC De Dissipatie van de collectormacht 300 mw
RΘJA Thermische Weerstand van Verbinding tegen Omringend 417 ℃/W
Tj Verbindingstemperatuur 150 ℃
Tstg Opslagtemperatuur -55~+150 ℃

 
 
 
ELEKTROkenmerken (Ta=25℃ tenzij anders gespecificeerd)
 

Parameter Symbool Beproevingsomstandigheden Min Type Maximum Eenheid
Collector-base analysevoltage V (BR) CBO IC=100μA, D.W.Z. =0 60     V
Collector-zender analysevoltage V (BR) CEO IC=1mA, IB=0 40     V
Emitter-base analysevoltage V (BR) EBO D.W.Z. =100ΜA, IC=0 6     V
De collector sneed stroom af ICBO VCB=50V, D.W.Z. =0     0,1 μA
De collector sneed stroom af ICEX VCE=35V, VEB=0.4V     0,1 μA
De zender sneed stroom af IEBO VEB=5V, IC=0     0,1 μA

 

 

 

De huidige aanwinst van gelijkstroom

 hFE1 VCE=1V, IC=0.1mA 20      
  hFE2 VCE=1V, IC=1mA 40      
  hFE3 VCE=1V, IC=10mA 80      
  hFE4 VCE=1V, IC=150mA 100   300  
  hFE5 VCE=2V, IC=500mA 40      

 

Collector-zender verzadigingsvoltage

 

(Gezeten) VCE

 IC=150mA, IB=15mA     0,4 V
    IC=500mA, IB=50mA     0,75 V

 

Base-emitter verzadigingsvoltage

 

(Gezeten) VBE

 IC=150mA, IB=15mA     0,95 V
    IC=500mA, IB=50mA     1.2 V
Overgangsfrequentie FT VCE=10V, IC=20mA, F =100MHz 250     Mhz
Vertragingstijd tD

VCC=30V, VBE (weg) =-2V

IC=150mA, IB1=15mA

     15 NS
Stijgingstijd tr       20 NS
Opslagtijd ts

VCC=30V, IC=150mA

IB1=IB2=15mA

     225 NS
Dalingstijd tF       60 NS

 
 
 

Gemeten in de gepulseerde omstandigheden, Impuls width=300μs, Plicht cycle≤2%.
 
 
 
Typische Characterisitics  
 
 Dronkaard-23 van de het Siliciummacht van MMBTA44 NPN van de de Transistorcollector de Huidige 600 doctorandus in de letteren 0

Dronkaard-23 van de het Siliciummacht van MMBTA44 NPN van de de Transistorcollector de Huidige 600 doctorandus in de letteren 1

Dronkaard-23 van de het Siliciummacht van MMBTA44 NPN van de de Transistorcollector de Huidige 600 doctorandus in de letteren 2

Dronkaard-23 van de het Siliciummacht van MMBTA44 NPN van de de Transistorcollector de Huidige 600 doctorandus in de letteren 3

 
 
 
 De Dimensies van het pakketoverzicht
 

Symbool Afmetingen in Millimeter Afmetingen in Duim
  Min Maximum Min Maximum
A 0,900 1,150 0,035 0,045
A1 0,000 0,100 0,000 0,004
A2 0,900 1,050 0,035 0,041
B 0,300 0,500 0,012 0,020
c 0,080 0,150 0,003 0,006
D 2,800 3,000 0,110 0,118
E 1,200 1,400 0,047 0,055
E1 2,250 2,550 0,089 0,100
e TYPE 0,950 TYPE 0,037
e1 1,800 2,000 0,071 0,079
L 0,550 ref 0,022 ref
L1 0,300 0,500 0,012 0,020
θ 0° 8° 0° 8°

 
 
Dronkaard-23 van de het Siliciummacht van MMBTA44 NPN van de de Transistorcollector de Huidige 600 doctorandus in de letteren 4
Dronkaard-23 van de het Siliciummacht van MMBTA44 NPN van de de Transistorcollector de Huidige 600 doctorandus in de letteren 5
Dronkaard-23 van de het Siliciummacht van MMBTA44 NPN van de de Transistorcollector de Huidige 600 doctorandus in de letteren 6
 
 
 
 

label:

machtsmosfet transistors,

de transistor van de machtsschakelaar,

hoge frequentietransistor

Contactgegevens
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Contactpersoon: David

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)

Over

mosfet machtstransistor

HXY4616 de Transistor van het logicaniveau, Bijkomende MOSFET van de Hoogspanningstransistor 30V

HXY4616 Mosfet de Hoogspanning VDS 40V VGS ±20v van de Machtstransistor ±20v VGS

Mosfet van 20G04S 40V van de het Kanaalverhoging van de Machtstransistor N+P de Wijzemosfet

LAAT BERICHT ACHTER

Privacybeleid | China Goed Kwaliteit mosfet machtstransistor Leverancier. © 2019 - 2022 mosfet-powertransistor.com. All Rights Reserved.

Laat een bericht achter

We bellen je snel terug!