Thuis Producten De Transistor van de siliciummacht

FMMT591 Transistor van de siliciummacht dronkaard-23 Plastiek Ingekapselde Transistors

Name: FMMT591 Transistor van de siliciummacht dronkaard-23 Plastiek Ingekapselde Transistors
Brand: Hua Xuan Yang
SKU: FMMT591

Alle producten

mosfet machtstransistor
(118)

De Transistors van de uiteindemacht
(30)

De Transistor van de siliciummacht
(19)

Dubbele Omschakelingsdiode
(15)

Mos Gebiedseffect Transistor
(29)

Dubbel - kanaalmosfet
(10)

de snelle diode van de terugwinningsgelijkrichter
(6)

machts zener diode
(6)

schottky bruggelijkrichter
(10)

de diode van de hoogspanningsgelijkrichter
(15)

Halfgeleidertriode
(9)

Voltagestabilisator IC
(14)

Certificaat

China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaten

Klantenoverzichten

wij samenwerking met Hua Xuan Yang zijn grotendeels toe te schrijven aan hun professionalisme, hun scherpe reactie op de aanpassing van de producten die wij, de regeling van al onze behoeften en, vooral, zij voorziening van de kwaliteitsdiensten hebben gewenst.

—— — — Jason van Canada

In het kader van de aanbeveling van mijn vriend, zijn wij van Hua Xuan Yang, een hogere deskundige in de halfgeleider en de elektronische componentenindustrie op de hoogte, die ons heeft toegelaten om onze kostbare tijd te verminderen en niet poging moeten wagen andere fabrieken.

—— — — Виктор van Rusland

Ik ben online Chatten Nu

FMMT591 Transistor van de siliciummacht dronkaard-23 Plastiek Ingekapselde Transistors

Grote Afbeelding : FMMT591 Transistor van de siliciummacht dronkaard-23 Plastiek Ingekapselde Transistors

Productdetails:

Plaats van herkomst:	Shenzhen China
Merknaam:	Hua Xuan Yang
Certificering:	RoHS、SGS
Modelnummer:	FMMT591

Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:

Min. bestelaantal:	1000-2000 PCs
Prijs:	Negotiated
Verpakking Details:	In dozen gedaan
Levertijd:	1 - 2 weken
Betalingscondities:	L/C T/T Western Union
Levering vermogen:	18,000,000PCS/per Dag

Contact

FMMT591 Transistor van de siliciummacht dronkaard-23 Plastiek Ingekapselde Transistors

beschrijving

Collector-Base Voltage van VCBO:

-80 V

Naam van het product:

Halfgeleidertriode

Hoog licht:

hoge frequentietransistor

machtsmosfet transistors

Dronkaard-23 plastic-kapsel Transistorsfmmt591 TRANSISTOR (PNP) in

EIGENSCHAP

Lage gelijkwaardige op-weerstand

Het merken: 591

MAXIMUMclassificaties (Ta=25℃ tenzij anders vermeld)

Symbool	Parameter	Waarde	Eenheid
VCBO	Collector-Base Voltage	-80	V
VCEO	Collector-zender Voltage	-60	V
VEBO	Emitter-Base Voltage	-5	V
IC	Collectorstroom	-1	A
ICM	Piekimpulsstroom	-2	A
PC	De Dissipatie van de collectormacht	250	mw
RΘJA	Thermische Weerstand van Verbinding tegen Omringend	500	℃/W
Tj	Verbindingstemperatuur	150	℃
Tstg	Opslagtemperatuur	-55~+150	℃

ELEKTROkenmerken (Ta=25℃ tenzij anders gespecificeerd)

Parameter	Symbool	Beproevingsomstandigheden	Min	Type	Maximum	Eenheid
Collector-base analysevoltage	V (BR) CBO	I_C=-100μA, D.W.Z. =0	-80			V
Collector-zender analysevoltage	V (BR) CEO1	I_C=-10mA, I_B=0	-60			V
Emitter-base analysevoltage	V (BR) EBO	D.W.Z. =-100ΜA, I_C=0	-5			V
De collector sneed stroom af	ICBO	V_CB=-60V, D.W.Z. =0			-0.1	μA
De zender sneed stroom af	IEBO	V_EB=-4V, I_C=0			-0.1	μA
De huidige aanwinst van gelijkstroom	hFE (1)	V_CE=-5V, I_C=-1mA	100
	hFE (2) 1	V_CE=-5V, I_C=-500mA	100		300
	hFE (3) 1	V_CE=-5V, I_C=-1A	80
	hFE (4) 1	V_CE=-5V, I_C=-2A	15
Collector-zender verzadigingsvoltage	(Gezeten) VCE 1 1	I_C=-500mA, I_B=-50mA			-0.3	V
	(Gezeten) VCE 2 1	I_C=-1A, I_B=-100mA			-0.6	V
Base-emitter verzadigingsvoltage	(Gezeten) VBE 1	I_C=-1A, I_B=-100mA			-1.2	V
Base-emitter voltage	1 VBE	V_CE=-5V, I_C=-1A			-1	V
Overgangsfrequentie	voet	V_CE=-10V, I_C=-50mA, f=100MHz	150			Mhz
De capacitieve weerstand van de collectoroutput	Maïskolf	V_CB=-10V, f=1MHz			10	pF

Gemeten in de gepulseerde omstandigheden, Impuls width=300μs, Plicht cycle≤2%.

Typische Characterisitics

FMMT591 Transistor van de siliciummacht dronkaard-23 Plastiek Ingekapselde Transistors 1

FMMT591 Transistor van de siliciummacht dronkaard-23 Plastiek Ingekapselde Transistors 2

FMMT591 Transistor van de siliciummacht dronkaard-23 Plastiek Ingekapselde Transistors 3

De Dimensies van het pakketoverzicht

Symbool	Afmetingen in Millimeter		Afmetingen in Duim
	Min	Maximum	Min	Maximum
A	0,900	1,150	0,035	0,045
A1	0,000	0,100	0,000	0,004
A2	0,900	1,050	0,035	0,041
B	0,300	0,500	0,012	0,020
c	0,080	0,150	0,003	0,006
D	2,800	3,000	0,110	0,118
E	1,200	1,400	0,047	0,055
E1	2,250	2,550	0,089	0,100
e	TYPE 0,950		TYPE 0,037
e1	1,800	2,000	0,071	0,079
L	0,550 ref		0,022 ref
L1	0,300	0,500	0,012	0,020
θ	0°	8°	0°	8°

FMMT591 Transistor van de siliciummacht dronkaard-23 Plastiek Ingekapselde Transistors 5

label:

Contactpersoon: David

Andere Producten

MMBD4148A/SE/CC/CA Transistor van de siliciummacht dronkaard-23 Plastiek kapselt Dioden in

Type: OMSCHAKELING DIODESOD
VRM: 100V
Machtsmosfet Transistor: Dronkaard-23 plastic-kapsel Dioden in
IFM: 300mA

MMBD1501A hoge Huidige Transistor, de Transistor Lage Lekkage van de Machtsschakelaar

Type: OMSCHAKELING DIODESOD
Functie: Lage Lekkage
Machtsmosfet Transistor: Dronkaard-23 plastic-kapsel Dioden in
Gelijkstroom-het Blokkeren Voltage: 200V

BAW56/BAV70/BAV9 de Transistor van de siliciummacht voor Algemeen Doelomschakeling

Type: OMSCHAKELING DIODESOD
Toepassing: Algemeen Doelomschakeling
Machtsmosfet Transistor: Zode-123 plastic-EncapsulateDiodes
Opslagtemperatuur: -55~+150℃

BAV19W~BAV21W gebiedseffect Transistor, Hoge Frequentietransistor

Type: OMSCHAKELING DIODESOD
Functie: Snelle Omschakelingssnelheid
Machtsmosfet Transistor: Zode-123 plastic-EncapsulateDiodes
Opslagtemperatuur: -55~+150℃

1SS184 van het de Transistorsilicium van de siliciummacht de Materiële Mobiele Voeding

Verbindingstemperatuur: 150 ℃
Machtsmosfet Transistor: Dronkaard-23 plastic-kapsel in
Toepassing: de mobiele geleide bestuurder van de machtslevering/motorcontrole
Materiaal: silicium

FMMT591 Transistor van de siliciummacht dronkaard-23 Plastiek Ingekapselde Transistors

mosfet machtstransistor

De Transistors van de uiteindemacht

De Transistor van de siliciummacht

Dubbele Omschakelingsdiode

Mos Gebiedseffect Transistor

Dubbel - kanaalmosfet

de snelle diode van de terugwinningsgelijkrichter

machts zener diode

schottky bruggelijkrichter

de diode van de hoogspanningsgelijkrichter

Halfgeleidertriode

Voltagestabilisator IC

FMMT591 Transistor van de siliciummacht dronkaard-23 Plastiek Ingekapselde Transistors

FMMT591 Transistor van de siliciummacht dronkaard-23 Plastiek Ingekapselde Transistors

hoge frequentietransistor

machtsmosfet transistors

Het merken: 591

machtsmosfet transistors,

de transistor van de machtsschakelaar,

hoge frequentietransistor

MMBD4148A/SE/CC/CA Transistor van de siliciummacht dronkaard-23 Plastiek kapselt Dioden in

MMBD1501A hoge Huidige Transistor, de Transistor Lage Lekkage van de Machtsschakelaar

BAW56/BAV70/BAV9 de Transistor van de siliciummacht voor Algemeen Doelomschakeling

BAV19W~BAV21W gebiedseffect Transistor, Hoge Frequentietransistor

1SS184 van het de Transistorsilicium van de siliciummacht de Materiële Mobiele Voeding

mosfet machtstransistor

HXY4616 de Transistor van het logicaniveau, Bijkomende MOSFET van de Hoogspanningstransistor 30V

HXY4616 Mosfet de Hoogspanning VDS 40V VGS ±20v van de Machtstransistor ±20v VGS

Mosfet van 20G04S 40V van de het Kanaalverhoging van de Machtstransistor N+P de Wijzemosfet