Vraag een offerte aan |
Thuis ProductenDubbele Omschakelingsdiode

1N4942 DOOR 1N4948-Diode I van de Hoge snelheidsomschakeling (AV) 1.0Amp-Hoogspanningsvermogen

Alle producten

mosfet machtstransistor

(118)

De Transistors van de uiteindemacht

(30)

De Transistor van de siliciummacht

(19)

Dubbele Omschakelingsdiode

(15)

Mos Gebiedseffect Transistor

(29)

Dubbel - kanaalmosfet

(10)

de snelle diode van de terugwinningsgelijkrichter

(6)

machts zener diode

(6)

schottky bruggelijkrichter

(10)

de diode van de hoogspanningsgelijkrichter

(15)

Halfgeleidertriode

(9)

Voltagestabilisator IC

(14)
Certificaat
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaten
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaten
Klantenoverzichten
wij samenwerking met Hua Xuan Yang zijn grotendeels toe te schrijven aan hun professionalisme, hun scherpe reactie op de aanpassing van de producten die wij, de regeling van al onze behoeften en, vooral, zij voorziening van de kwaliteitsdiensten hebben gewenst.

—— — — Jason van Canada

In het kader van de aanbeveling van mijn vriend, zijn wij van Hua Xuan Yang, een hogere deskundige in de halfgeleider en de elektronische componentenindustrie op de hoogte, die ons heeft toegelaten om onze kostbare tijd te verminderen en niet poging moeten wagen andere fabrieken.

—— — — Виктор van Rusland

Ik ben online Chatten Nu

1N4942 DOOR 1N4948-Diode I van de Hoge snelheidsomschakeling (AV) 1.0Amp-Hoogspanningsvermogen

1N4942 DOOR 1N4948-Diode I van de Hoge snelheidsomschakeling (AV) 1.0Amp-Hoogspanningsvermogen
1N4942 DOOR 1N4948-Diode I van de Hoge snelheidsomschakeling (AV) 1.0Amp-Hoogspanningsvermogen

Grote Afbeelding :  1N4942 DOOR 1N4948-Diode I van de Hoge snelheidsomschakeling (AV) 1.0Amp-Hoogspanningsvermogen

Productdetails:
Plaats van herkomst: Shenzhen China
Merknaam: Hua Xuan Yang
Certificering: RoHS、SGS
Modelnummer: 1N4942 DOOR 1N4948
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: 1000-2000 PCs
Prijs: Negotiated
Verpakking Details: In dozen gedaan
Levertijd: 1 - 2 weken
Betalingscondities: L/C T/T Western Union
Levering vermogen: 18,000,000PCS/per Dag
Contact

1N4942 DOOR 1N4948-Diode I van de Hoge snelheidsomschakeling (AV) 1.0Amp-Hoogspanningsvermogen

beschrijving
Type: Dubbele Omschakelingsdiode Gewicht: 0,012 ons, 0,33 gram
Functie: Ultrasnelle Terugwinningstijden IFSM: 30Amps
I (AV): 1.0AMP vf: 1.3Volts
Hoog licht:

de diode van de hoogspanningsomschakeling

,

de dubbele diode van de reeksomschakeling

1N4942 DOOR 1N4948 keren de SNELLE TERUGWINNINGSgelijkrichters Voltage - 200 tot 1000 Volts Voorwaartse om Stroom - 1,0 Ampère

 

 

 

EIGENSCHAPPEN
  •  Ultrasnelle Terugwinningstijden 
  •  Hoogspanningsvermogen 
  •  Lage Omgekeerde Lekkagestroom
  • Het plastic pakket draagt de Brandbaarheidsclassificatie 94V-0 van het Borgenlaboratorium
  • Snelle omschakeling voor hoog rendement Lage omgekeerde lekkage
  • Het hoge voorwaartse het vermogen van de schommelingsstroom solderen Op hoge temperatuur waarborgde:
  • 250 C/10-seconden, 0,375“ (9.5mm) leiden lengte, 5 pond. (2.3kg) spanning

 

 

MECHANISCHE GEGEVENS

 

 

Geval: JEDEC -41 gevormd plastic lichaam

Terminals: Geplateerde aslood, solderable per mil-std-750, Methode 2026

Polariteit: De kleurenband duidt kathodeeind aan

Opzettende Positie: Om het even welk

    Gewicht: 0,012 ons, 0,33 gram

 

MAXIMUMclassificaties EN ELEKTROkenmerken

 

 

 

Classificaties bij de omgevingstemperatuur van 25 C tenzij anders gespecificeerd.

Enige fasehalf-wave 60Hz, weerstand biedende of aanleidinggevende lading, voor capacitieve ladings huidige derate door 20%.
MDD-Catalogusaantal SYMBOLEN

1N

4942

1N

4944

1N

4946

1N

4947

1N

4948

 EENHEDEN
Maximum herhaald piek omgekeerd voltage VRRM 200 400 600 800 1000 VOLTS
Maximumrms voltage VRMS 140 280 420 560 700 VOLTS
Maximumgelijkstroom-het blokkeren voltage VDC 200 400 600 800 1000 VOLTS

Maximum gemiddelde vooruit gerectificeerde stroom

0,375“ (9.5mm) loodlengte bij Ta =75 C

 I (AV) 1.0 Ampère

Piek voorwaartse schommelingsstroom

8.3ms kies halve die sinus-golf uit op geschatte lading wordt toegevoegd (JEDEC-Methode)

 

IFSM

 

30.0

 

Ampèren
Maximum onmiddellijk voorwaarts voltage bij 1.0A VF 1.3 Volts

Maximumgelijkstroom omgekeerd huidig Ta =25 C

bij geschat gelijkstroom-het blokkeren voltage Ta =100 C

 IRL

5.0

50.0

 mA
Maximum omgekeerde terugwinningstijd (NOTA 1) trr 150 250 500 NS
Typische verbindingscapacitieve weerstand (NOTA 2) CJ 15.0 pF
Typische thermische weerstand (NOTA 3) RqJA 50.0 C/W
Werkende verbinding en opslagtemperatuurwaaier TJ, TSTG -65 tot +150 C

 

 

 

Nota:

1. Omgekeerde terugwinningsvoorwaarde IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A

2. Gemeten bij 1MHz en toegepast omgekeerd voltage van 4.0V D.C.

3. Thermische weerstand van verbinding tegen omringend bij 0,375“ (9.5mm) loodlengte, opgezette P.C.B

 

 

 

CLASSIFICATIES EN KARAKTERISTIEKEN 1N4942 DOOR 1N4948

 

 

1N4942 DOOR 1N4948-Diode I van de Hoge snelheidsomschakeling (AV) 1.0Amp-Hoogspanningsvermogen 0

1N4942 DOOR 1N4948-Diode I van de Hoge snelheidsomschakeling (AV) 1.0Amp-Hoogspanningsvermogen 1

1N4942 DOOR 1N4948-Diode I van de Hoge snelheidsomschakeling (AV) 1.0Amp-Hoogspanningsvermogen 2

 

label:

de diode van de hoogspanningsomschakeling,

de dubbele diode van de reeksomschakeling,

dubbele zenerdiode

Contactgegevens
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Contactpersoon: David

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)

Over

mosfet machtstransistor

HXY4616 de Transistor van het logicaniveau, Bijkomende MOSFET van de Hoogspanningstransistor 30V

HXY4616 Mosfet de Hoogspanning VDS 40V VGS ±20v van de Machtstransistor ±20v VGS

Mosfet van 20G04S 40V van de het Kanaalverhoging van de Machtstransistor N+P de Wijzemosfet

LAAT BERICHT ACHTER

Privacybeleid | China Goed Kwaliteit mosfet machtstransistor Leverancier. © 2019 - 2022 mosfet-powertransistor.com. All Rights Reserved.

Laat een bericht achter

We bellen je snel terug!